14W CFL鎮(zhèn)流器的設(shè)計(jì)和性能測(cè)試。該電路基于由MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)的諧振拓?fù)洹Ｔ撾娐酚蒊R2520D鎮(zhèn)流器控制IC控制
2019-10-10 08:40:58
方案：SL9003內(nèi)置MOS開關(guān)降壓型LED恒流驅(qū)動(dòng)器概述SL9003 是一款內(nèi)置100V 功率MOS高效率、高精度的開關(guān)降壓型大功率LED恒流驅(qū)動(dòng)芯片。SL9003 采用固定關(guān)斷時(shí)間的峰值電流控制
2022-02-28 09:46:43
通訊應(yīng)用使用基于半橋、全橋或同步降壓功率拓?fù)涞碾娫茨K。這些拓?fù)涫褂?b class="flag-6" style="color: red">高性能半橋驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高頻操作和高效率。半橋柵極驅(qū)動(dòng)器采用的技術(shù)已在業(yè)界成功應(yīng)用了數(shù)十年，UCC27282 120-V 2.5A
2019-08-01 07:20:54
、大功率 MOSFET 開關(guān)管，外圍元器件簡(jiǎn)單，系統(tǒng)應(yīng)用靈活，轉(zhuǎn)換效率最高可達(dá) 98%以上，輸入電壓可兼容到 100V以上，系統(tǒng)體積小，內(nèi)置過(guò)溫保護(hù)，開路保護(hù)，過(guò)流保護(hù)，短路保護(hù)，輸入過(guò)壓保護(hù)等全套可靠
2015-12-18 11:48:51
半橋驅(qū)動(dòng)器IR2103和IR2101S有什么區(qū)別嗎？可以代替IR2001S嗎？
2017-04-28 11:10:05
器件適用于隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的初級(jí)側(cè)，輸入電壓高達(dá)100V。與傳統(tǒng)半橋及全橋控制器相比，LM5036有著自身不可替代的優(yōu)勢(shì)：集成輔助偏置電源，為L(zhǎng)M5036及原邊和副邊元器件供電，無(wú)需外部輔助電源
2019-08-23 04:45:06
2023 年 3 月 14 日，中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出兩個(gè)基于Arm?Cortex? -M33內(nèi)核和Arm TrustZone?技術(shù)
2023-03-14 15:30:18
在2023年上半年發(fā)布包含新柵極驅(qū)動(dòng)IC的版本。瑞薩電子汽車模擬應(yīng)用特定業(yè)務(wù)部副總裁大道昭表示：“瑞薩很高興面向車載應(yīng)用推出具有高隔離電壓和卓越CMTI性能的第二代柵極驅(qū)動(dòng)IC。我們將繼續(xù)推動(dòng)針對(duì)電動(dòng)車
2023-02-15 11:19:05
2023 年 3 月 2 日，中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出10款結(jié)合了瑞薩廣泛產(chǎn)品的全新“成功產(chǎn)品組合”——其中包括電動(dòng)汽車（EV）充電、儀表盤
2023-03-02 14:29:51
瑞薩電子與3db Access合作推出安全超寬帶解決方案
2021-02-05 07:05:13
和可靠的Flash存儲(chǔ)器，并且產(chǎn)品的高性能周邊功能模塊的統(tǒng)一幫助客戶實(shí)現(xiàn)了削減系統(tǒng)成本的目的。同時(shí)，瑞薩科技還通過(guò)提供低成本的開發(fā)工具、通用周邊機(jī)器的統(tǒng)一、Web上的技術(shù)支持，以及Simple OS
2012-08-08 19:59:58
瑞薩推出SH7216系列32-位片上Flash存儲(chǔ)器MCU作者：時(shí)間：2009-04-21來(lái)源：電子產(chǎn)品世界字號(hào)： 小 中 大關(guān)鍵詞： 瑞薩 RISC 32MCU Flash SuperH 瑞薩
2022-01-26 06:01:47
技術(shù)系統(tǒng)開發(fā)課題的“答案”期待“功能模塊”長(zhǎng)期以來(lái)，瑞薩對(duì)于IGBT和MOSFET等功率器件以及模擬數(shù)字IC、光電耦合器、驅(qū)動(dòng)器IC等產(chǎn)品推出了低端到高端的各類控制用MCU，而瑞薩提案把電力電子技術(shù)電路
2012-12-06 16:15:17
瑞薩解決方案之LCD直接驅(qū)動(dòng)瑞薩車載導(dǎo)航系統(tǒng)解決方案瑞薩解決方案之洗衣機(jī)方案瑞薩解決方案之洗衣機(jī) (740系列, R8C Tiny, H8 Tiny)瑞薩電子智能家居解決方案【視頻】瑞薩純數(shù)字照明
2015-01-30 18:27:24
MS8844是瑞盟科技推出的一款直流驅(qū)動(dòng)電路，提供四個(gè)可獨(dú)立控制的半H橋驅(qū)動(dòng)器。可被用于驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)，一個(gè)步進(jìn)電機(jī)，4個(gè)螺線圈或者其他負(fù)載。每個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器通道包含采用半H橋配置的N通道功率
2021-08-25 14:28:12
MS8313是瑞盟科技推出的人一款可提供三個(gè)可獨(dú)立控制的半H橋驅(qū)動(dòng)器。可用于驅(qū)動(dòng)螺線管或者其他負(fù)載，主要用于驅(qū)動(dòng)一個(gè)三相無(wú)刷直流電機(jī)。每個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器通道包含半H橋配置的 N 通道功率MOSFET
2021-11-11 11:48:43
MS8847是瑞盟科技推出的一款雙路H橋驅(qū)動(dòng)電路。提供適用于家用電器和其他機(jī)電一體化應(yīng)用。該器件可用于驅(qū)動(dòng)一個(gè)步進(jìn)電機(jī)或其它負(fù)載。每個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)器通道包含采用H橋配置的N通道功率MOSFET。這個(gè)
2021-09-10 10:04:05
描述DC-DC 轉(zhuǎn)換器 33-42 Vin/12V, 5A 輸出該項(xiàng)目最初旨在為驅(qū)動(dòng) BLDC 電機(jī)的半橋開啟高端和低端 MOSFET。最好將此設(shè)計(jì)與柵極驅(qū)動(dòng)器連接。PCB+展示
2022-08-09 06:31:26
【轉(zhuǎn)】PWM亮度控制的白光LED驅(qū)動(dòng)器，可驅(qū)動(dòng)高達(dá)10個(gè)LED，效率高達(dá)90％SGM3726是圣邦微推出的一款高性能白光LED驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)部集成了40V的FET開關(guān)管，開關(guān)頻率為1.1MHz，開關(guān)電流
2019-04-11 02:02:54
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
CK5G14 在同一顆芯片中同時(shí)集成了三個(gè) 250V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，特別適合于三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)。芯片內(nèi)置了死區(qū)時(shí)間和上下管直通保護(hù)，非常有效地阻止半橋
2022-01-04 14:16:57
特征 ?三個(gè)1/2小時(shí)橋式驅(qū)動(dòng)器IC –三相無(wú)刷直流電機(jī) –電磁閥和有刷直流電機(jī) ?高電流驅(qū)動(dòng)能力：2.5-A峰值 ?低MOSFET導(dǎo)通電阻 ?獨(dú)立1/2 H橋控制 ?非承諾比較器
2020-07-10 14:23:52
FAN73832 是一款半橋、柵極驅(qū)動(dòng) IC，帶關(guān)斷和可編程死區(qū)時(shí)間控制功能，能驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達(dá) +600 V。飛兆的高壓工藝和共模噪聲消除技術(shù)可使高側(cè)驅(qū)動(dòng)器在高 dv
2022-03-08 08:36:21
FAN73912MX是一款單片半橋柵極驅(qū)動(dòng) IC，設(shè)計(jì)用于高壓、高速驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT，工作電壓高達(dá) +1200 V。 HIN 的先進(jìn)輸入濾波器針對(duì)噪聲產(chǎn)生的短脈沖輸入信號(hào)提供保護(hù)功能
2021-12-20 09:19:25
對(duì)這些寄生效應(yīng)進(jìn)行優(yōu)化可以減少該問(wèn)題，并且以高于100V/ns的高壓擺率實(shí)現(xiàn)出色的開關(guān)性能。圖1. 由獨(dú)立封裝內(nèi)的驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)的GaN器件 (a)；一個(gè)集成GaN/驅(qū)動(dòng)器封裝 (b)。圖2.用于仿真的半橋
2018-08-30 15:28:30
概述：IR2111是International Rectifier公司生產(chǎn)的一款半橋驅(qū)動(dòng)器，它為雙列直插或貼片8腳封裝。驅(qū)動(dòng)電壓10-20V，電流（IO+/-）200 mA /420 mA。
2021-05-19 07:43:22
LED驅(qū)動(dòng)芯片概述：LN2544 為一款高效率、降壓型、內(nèi)置高壓MOSFET 的恒流LED 驅(qū)動(dòng)電路。LN2544 采用固定關(guān)斷時(shí)間的峰值電流檢測(cè)模式，最高輸出電壓可達(dá)100V。芯片包括一個(gè)PWM
2014-05-12 11:32:13
/ESOP-8、MSOP-8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封裝形式，給方案設(shè)計(jì)帶來(lái)更多的選擇。半橋/全橋轉(zhuǎn)換器同步降壓、升降壓拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">電子煙、無(wú)線充 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電源電壓工作范圍為 4.5V
2022-01-12 13:39:25
LT1160的典型應(yīng)用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。 LT 1160 / LT1162是經(jīng)濟(jì)高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器
2019-05-14 09:23:01
采用半橋（或任何其他高側(cè)+低側(cè)）配置。它使用自舉技術(shù)確保正確驅(qū)動(dòng)高端電源開關(guān)。驅(qū)動(dòng)器采用2個(gè)獨(dú)立輸入，以適應(yīng)任何拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（包括半橋，非對(duì)稱半橋，有源鉗位和全橋）
2019-10-12 10:29:07
瑞薩電子推出圍繞64位RISC-V CPU內(nèi)核構(gòu)建的RZ/5個(gè)通用微處理器單元（MPU），具體的型號(hào)是多少？性能怎么樣？
2024-01-11 13:03:31
描述 SL9486A是一款高壓降壓開關(guān)產(chǎn)品向提供高達(dá)2A的連續(xù)電流的調(diào)節(jié)器加載。它集成了高端電源電流限值通常為3.5A的MOSFET。寬5V至100V的輸入范圍適應(yīng)各種降壓應(yīng)用，非常適合汽車、工業(yè)
2022-07-01 15:20:52
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅(qū)動(dòng)器專為特定的GaN FET驅(qū)動(dòng)要求而設(shè)計(jì)，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過(guò)較高的共模瞬態(tài)抗擾度、一套集成式保護(hù)功能
2023-09-05 06:58:54
柵極電壓，在20V柵極電壓下從幾乎300A降低到12V柵極電壓時(shí)的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受時(shí)間短于IGTB的短路耐受時(shí)間，也可以通過(guò)集成在柵極驅(qū)動(dòng)器IC中的去飽和功能來(lái)保護(hù)SiC
2019-07-30 15:15:17
摘要通訊應(yīng)用使用基于半橋、全橋或同步降壓功率拓?fù)涞碾娫茨K。這些拓?fù)涫褂?b class="flag-6" style="color: red">高性能半橋驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)高頻操作和高效率。半橋柵極驅(qū)動(dòng)器采用的技術(shù)已在業(yè)界成功應(yīng)用了數(shù)十年，UCC27282 120-V 2.5A
2022-11-10 07:04:55
[求助]瑞薩RL78/G13(R5F100LEA)驅(qū)動(dòng)1602因?yàn)閯倓偨佑|這塊板子很多不懂1.之前使用51可以驅(qū)動(dòng)1602，想問(wèn)一下51的程序復(fù)制在瑞薩的代碼下能行么？2.有沒(méi)有瑞薩編程的教學(xué)視頻？
2015-10-21 14:39:40
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動(dòng)器（如圖1所示）以極性相反的信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來(lái)控制輸出功率
2018-07-03 16:33:25
本文通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無(wú)損。隨著
2021-01-22 06:45:02
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器？MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規(guī)格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅(qū)動(dòng)器
2018-09-01 09:53:17
LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器。浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對(duì)最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
+下橋)。高耐壓42V，大電流4.3A(峰值，實(shí)際應(yīng)用中不超過(guò)40V,4A)。具有電源指示、控制輸出指示LED燈。雙全橋MOSFET驅(qū)動(dòng)THB8128步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器實(shí)物截圖：雙全橋MOSFET驅(qū)動(dòng)
2019-11-12 07:00:00
推出了眾多的用于電子鎮(zhèn)流器的驅(qū)動(dòng)電路，本文介紹的電子鎮(zhèn)流器基于IR公司開發(fā)的IR2153驅(qū)動(dòng)器和摩托羅拉公司的MC33262功率因數(shù)控制器，是一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本低廉，可靠性高的解決方案。
2012-06-07 14:42:11
電平轉(zhuǎn)換所需要的電荷（對(duì)于600V的半橋驅(qū)動(dòng)器，該參數(shù)通常為5nC） 系統(tǒng)可靠性設(shè)計(jì) 由于直流電機(jī)是感性負(fù)載，因此當(dāng)Q1關(guān)斷時(shí)，負(fù)載的電流不能突變，會(huì)轉(zhuǎn)換到由Q2的續(xù)流二極管進(jìn)行續(xù)流。由于在Q2的源
2018-09-27 15:06:25
器件適用于隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的初級(jí)側(cè)，輸入電壓高達(dá)100V。與傳統(tǒng)半橋及全橋控制器相比，LM5036有著自身不可替代的優(yōu)勢(shì)：(1)集成輔助偏置電源，為L(zhǎng)M5036及原邊和副邊元器件供電，無(wú)需外部
2022-11-10 07:46:30
描述PMP10645 參考設(shè)計(jì)適合使用反激式電源來(lái)驅(qū)動(dòng)半橋的 SM74101 mosfet 驅(qū)動(dòng)器。SM74101 是一款體積很小的 7A mosfet 驅(qū)動(dòng)器，支持 3A 拉電流和 7A 灌電流
2018-12-21 11:39:19
全橋拓?fù)洹＿@種轉(zhuǎn)換使系統(tǒng)的輸出功率加倍。FDMF8811集成了一對(duì)100V的功率MOSFET、120 V驅(qū)動(dòng)器IC和一個(gè)自舉二極管到6.0 mm x 7.5 mm 的PQFN封裝。通過(guò)集成所有的關(guān)鍵
2018-10-24 08:59:37
穩(wěn)壓器，可以解決負(fù)電壓操作期間柵極過(guò)充電的風(fēng)險(xiǎn)。這會(huì)產(chǎn)生定義明確且受到可靠保護(hù)的柵極驅(qū)動(dòng)器電壓。 圖 4：MDC901 GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器的框圖。 圖 5：MDC901 100V 半橋評(píng)估
2023-02-24 15:09:34
闡述這些設(shè)計(jì)理念，以展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動(dòng)器(如圖1所示)以極性相反的信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)高端和低端N溝道MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22
驅(qū)動(dòng)器解決方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔離式半橋驅(qū)動(dòng)器的功能是驅(qū)動(dòng)上橋臂和下橋臂N溝道MOSFET(或IGBT)的柵極，通過(guò)低輸出阻抗降低導(dǎo)通損耗，同時(shí)通過(guò)快速開關(guān)時(shí)間降低開關(guān)損耗。上橋臂
2018-10-16 16:00:23
展現(xiàn)采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力。 采用光耦合器隔離的基本半橋驅(qū)動(dòng)器（如圖1所示）以極性相反的信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)高端和低端N溝道MOSFET（或IGBT）的柵極，由此來(lái)控制
2018-09-26 09:57:10
電流傳感高度集成而無(wú)需外部電流放大器。雙半橋 100V 3A MOSFET 驅(qū)動(dòng)器簡(jiǎn)單、BOM 數(shù)目少且成本低廉的設(shè)計(jì)，適合偏置電源讓隔離式偏置電源不再需要外部適配器
2018-09-10 09:20:30
是基本半導(dǎo)體針對(duì)新能源商用車等大型車輛客戶對(duì)主牽引驅(qū)動(dòng)器功率器件的高功率密度、長(zhǎng)器件壽命等需求而專門開發(fā)的產(chǎn)品。 該產(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)ED3封裝，采用雙面有壓型銀燒結(jié)連接工藝、高密度銅線鍵合技術(shù)、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
怎么實(shí)現(xiàn)MOSFET的半橋驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)？
2021-10-11 07:18:56
納芯微全新推出120V半橋驅(qū)動(dòng)NSD1224系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品具備3A/-4A的峰值驅(qū)動(dòng)電流能力，集成 高壓自舉二極管 ，提供使能、互鎖、欠壓保護(hù)不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
在高度可靠、高性能的應(yīng)用中，如電動(dòng)/混合動(dòng)力汽車，隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)器需要確保隔離柵在所有情況下完好無(wú)損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進(jìn)，以及對(duì)GaN和SiC工藝技術(shù)的引進(jìn)，現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通過(guò)故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來(lái)研究柵極驅(qū)動(dòng)器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
求教各位大佬：MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)芯片空載時(shí)為什么HO和LO都沒(méi)有輸出波形？最近我在做D類放大，由于是分模塊做的，半橋驅(qū)動(dòng)芯片沒(méi)有與mosfet相連，是空載。當(dāng)我把pwm波輸入半橋驅(qū)動(dòng)芯片后，半橋驅(qū)動(dòng)器HO和LO無(wú)輸出。調(diào)試了半天也沒(méi)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題。各位大佬如果知道的話，請(qǐng)指點(diǎn)下小弟。萬(wàn)分感謝！！！
2018-04-09 23:54:28
FAN7382MX 是一款單片半橋門極驅(qū)動(dòng)器集成電路 FAN7382 可以驅(qū)動(dòng)最高在 +600V 下運(yùn)行的 MOSFET 和 IGBT。高電壓工藝和共模干擾抑制技術(shù)提供了高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器在高 dv/dt
2021-12-16 08:48:48
描述此參考設(shè)計(jì)是一種通過(guò)汽車認(rèn)證的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動(dòng)碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計(jì)分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器提供兩個(gè)推挽式偏置電源，其中每個(gè)電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng) N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 內(nèi)置 VCC 和 VB 欠壓（UVLO）保護(hù)功能，防止功率管在過(guò)低的電壓下工作。 FD2606S 邏輯輸入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便與控制設(shè)備接口。該驅(qū)動(dòng)器輸出具有最小驅(qū)動(dòng)器跨導(dǎo)的高脈沖電流緩沖設(shè)計(jì)。
2021-09-14 07:29:33
Portfolio系統(tǒng)，跨越12v 到80v 的范圍往往需要一個(gè)司機(jī)與較高的供應(yīng)額定值，支持高功率18v 鉆頭和80v 割草機(jī)。雖然選擇合適的集成三相無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是有限的，一套有能力的100伏半橋可以
2022-04-14 14:43:07
驅(qū)動(dòng)器，特別適合于三相電機(jī)應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動(dòng)。芯片內(nèi)置了死區(qū)時(shí)間和上下管直通保護(hù)，非常有效地阻止半橋電路損壞。為了防止因芯片工作在較低的電源電壓而對(duì)功率管產(chǎn)生損害
2019-12-06 13:13:21
有大神知道不用集成芯片搭建半橋驅(qū)動(dòng)器的套路嗎？最近看電瓶車控制器里的驅(qū)動(dòng)模塊沒(méi)有類似半橋驅(qū)動(dòng)器的芯片，應(yīng)該是自己搭建的，網(wǎng)上看了看也沒(méi)有類似的東西，來(lái)請(qǐng)教一下
2017-01-14 18:03:50
超聲波發(fā)送器需要穩(wěn)定的可編程直流電源，以便在傳輸期間將高電流驅(qū)動(dòng)到壓電傳感器。TIDA-01371 參考設(shè)計(jì)展示了一款能夠提供 ±2.5 至 ±100V 輸出電壓的正負(fù)線性穩(wěn)壓器。使用外部控制電壓
2018-12-05 14:16:39
請(qǐng)問(wèn)怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)？
2021-06-17 06:45:48
EVAL-CN0196-EB1Z，H橋驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板，采用隔離式半橋驅(qū)動(dòng)器。 CN0196是由高功率開關(guān)MOSFET組成的H橋，其由低壓邏輯信號(hào)控制。該電路在邏輯信號(hào)和高功率電橋之間提供了方便的接口
2019-05-17 09:15:02
采用小型封裝的隔離式半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC在造就高性能方面的卓越能力
2021-03-03 06:35:03
適用于 GaNFET 的汽車類 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET, GaNFET
2022-12-14 14:43:03
具有 8V UVLO 和自適應(yīng)延遲的 1.8A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:11
具有 8V UVLO 和高噪聲抗擾度的 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 90 Power switch MOSFET Input
2022-12-14 14:43:13
具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 2A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:14
具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:15
具有 8V UVLO 和 TTL 輸入的 2A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:15
具有 8V UVLO 和 TTL 輸入的 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:16
具有 8V UVLO 和可編程死區(qū)時(shí)間的 1.2A、1.8A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:17
具有 8V UVLO 的 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 90 Power switch MOSFET Input VCC
2022-12-14 14:43:17
具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET Input VCC
2022-12-14 14:43:18
具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 3A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:18
具有 8V UVLO 和 TTL 輸入的 3A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:19
具有 8V UVLO 和可編程延遲的 2A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET Input
2022-12-14 14:43:20
具有 8V UVLO 和自適應(yīng)延遲的 2A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET Input
2022-12-14 14:43:20
具有 8V UVLO 和可編程死區(qū)時(shí)間的 1.8、1.6A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 100 Power switch MOSFET
2022-12-14 14:43:21
TFB0504是一個(gè)半橋式柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n通道mosfet和igbt。TF半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝，使浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-27 17:01:42
TFB0527是一個(gè)半橋式柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)部集成了自舉二極管，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n通道mosfet和igbt。TF半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝，使浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器操作到100V的引導(dǎo)
2023-06-28 17:08:12
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅(qū)動(dòng)器 - TI | 貿(mào)澤Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅(qū)動(dòng)器是一款100V器件，集成了頂部和底部驅(qū)動(dòng)器
2024-02-22 13:39:55
加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2008 年 6 月 12 日 – 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4446，用來(lái)驅(qū)動(dòng)雙晶
2008-06-30 10:51:21
902 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444-5 的高可靠性 (MP) 級(jí)新版本，該器件是一個(gè)高速、高輸入電源電壓 (100V)、同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器，以在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)高端和
2008-12-09 02:33:471568 
的輸入電壓工作，在高達(dá) 100V 瞬態(tài)時(shí)可連續(xù)工作。該驅(qū)動(dòng)器可與功率 MOSFET 以及凌力爾特眾多 DC/DC 控制器選擇中相結(jié)合，構(gòu)成完整的電源。
2013-10-09 15:41:271040 
LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-18 22:10:11
3 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作
2021-03-19 06:51:081
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