為了穩定性，必須在 MOSFET 柵極前面放一個 100 Ω 電阻嗎？
2023-03-13 10:18:05
957 相對于MOSFET也屬于高端功率器件，但在廣大的中低壓應用當中，無論是消費類電子，還是家用電器，或是嵌入式系統和工業領域，MOSFET依然占據著巨大的市場份額。
2021-05-20 10:09:488115 `2014 OPPO N3新品發布會10月29日，新款旗艦OPPO N3將于北京奧雅會展中心舉辦發布會，我們能從網上看到不少關于N3的曝光消息，隨處可見配置、外觀甚至是售價的曝光。據傳，OPPO
2014-10-28 16:53:52
8月20日，由昆明維佳特HIFI音頻、iFi中國所主辦的“2016 iFi中國SPDIF iPurifier新品發布試聽會”將在云南昆明“春城”隆重開幕。未來主流數字音頻的發展趨勢愈來愈指向
2016-08-13 10:57:28
壓場效率管（MOSFET）MOS管型號：HC021N10L-AMOS管參數：100V35A內阻：22mR（VGS=4.5V）結電容：1880pF類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V封裝：TO-252惠
2020-11-12 09:52:03
（MOSFET）MOS管型號：HC021N10L-AMOS管參數：100V35A內阻：22mR（VGS=4.5V）結電容：1880pF類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V封裝：TO-252惠海
2020-11-03 15:38:19
（MOSFET）MOS管型號：HC021N10L-AMOS管參數：100V35A內阻：22mR（VGS=4.5V）結電容：1880pF類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V封裝：TO-252惠海
2020-11-11 14:45:15
電路顯示LT1303,4芯至5V / 100mA MOSFET降壓/升壓轉換器
2020-06-16 12:32:22
（VGS=10V）內阻：28mR（VGS=10V）結電容：550pF結電容：650pF類型：SGT工藝NMOS類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V開啟電壓：1.8V封裝：TO-252封裝：TO-252惠海半導體MOSFET選型表參考：
2021-06-11 14:05:36
`30V 60V 100V 150V SGT工藝高性能MOS管 低內阻 低開啟 低結電容常規型號：25N10 17N06 30N06 50N06 30N03 3400 5N10 10N10
2020-10-27 13:54:30
17N10 30V 60V 100V 150V SGT工藝高性能MOS管 低內阻 低開啟 低結電容東莞市惠海半導體有限公司專業從事DC-DC中低壓MOS管市場，專注中低壓MOS管的設計、研發、生產與銷售
2020-09-24 16:34:09
7月27日 19:30HarmonyOS 3及華為全場景新品發布會高能來襲！在HarmonyOS開發者社區企微直播間一起見證HarmonyOS的又一次智慧進化掃碼預約直播，與您不見不散！
2022-07-26 12:02:36
壓大功率MOSFET 100V-250V產品特征1、低導通電阻，低柵極電荷2、高散熱能力，高結溫下，大電流持續導通能力3、高EAS能力。（100%UIS測試）P/NPartNumberPackageV
2012-06-20 16:24:38
供周到完善的技術支持、售前服務及售后服務，讓您無任何后顧之憂 （二）惠海半導體--中低壓場效率管（MOSFET） MOS管型號：HC080N10L MOS管參數：100V15A 內阻：76mR
2020-11-13 14:59:06
`30V 60V 100V 150V SGT工藝高性能MOS管 低內阻 低開啟 低結電容常規型號：25N10 17N06 30N06 50N06 30N03 3400 5N10 10N10
2020-10-27 15:40:02
電源，充電器，小家電，電源，香薰機,美容儀加濕器,霧化器,混色LED燈等電子產品。MOS管型號：HG160N10LMOS管參數：100V 8A低內阻：110mR（VGS=10V）低結電容：201pF
2020-12-07 11:02:00
紋波電壓[td]–[tr]效率[td]80[tr][td]–264VAC––50mW輸入：100VAC/230VAC1212.6V–––A––100mV帶寬20MHz––%輸出：12V/1.5A表格
2018-11-27 16:50:30
本帖最后由 mtss 于 2015-11-11 09:50 編輯
論壇的大神們好，我現在需要設計一款4MHz的E型功放，要求100V,1mA。請問，需要什么型號的MOSFET芯片和MOSFET驅動芯片。對這個不太了解，求大神們幫助。多謝了。
2015-10-22 11:41:26
，增強型MOSFET分為P溝道增強型和N溝道增強型，耗盡型MOSFET分為P溝道耗盡型和N溝道耗盡型。在本文中，小編將介紹其中一種類型的MOSFET，即P溝道MOSFET?；靖拍顪系烙纱蠖鄶惦姾奢d流子作為
2022-09-27 08:00:00
子的歐姆區域（ohmic region），MOSFET“完全導通”。在對比圖中，N溝道歐姆區的VGS是7V，而P溝道的是-4.5V。隨著柵極電壓增加，歐姆曲線的斜率變得更陡，表明器件導電能力更強。施加
2018-03-03 13:58:23
SGT100A羅德與施瓦茨SGT100A-------------------------------------------公司名稱：深圳市捷威信電子儀器有限公司聯系人：譚會平
2021-08-06 09:35:51
SGT03U13 - Unidirectional Transient - GE Solid State
2022-11-04 17:22:44
新品發布|業界首款！潤開鴻最新推出RISC-V 高性能芯片? OpenHarmony標準系統的智能硬件開發平臺HH-SCDAYU800
2023-01-13 17:43:15
松下于近日發布：用于替代「FK系列」的—全新「FN系列」貼片鋁電解電容（松下型號EEEFN***）一、新品介紹：①「FN系列」產品特點：>>105 ℃ 2000 小時保證產品>
2020-03-17 17:57:12
」 新品發布會，我們邀請廣大開發者和我們一起，見證人機交互技術的全新變革！2全新的智能化解決方案這場新品發布會，科大訊飛旨在為所有開發者帶來人機交互一站式智能化解決方案。在技術層面上，全新升級的AIUI將能
2018-05-15 11:56:30
的非常寬的結溫和存儲溫度范圍.特征：?溝槽型Power MV MOSFET技術-60V?低RDS(ON)?低 GATE CHARGE?針對快速切換應用程序進行優化?VDS：-60V?ID (at VGS
2019-03-13 10:54:35
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
Cogobuy商城Wifi模塊新品發布1.型號21033112400環形公制連接器制造商：Harting詢價>> 1.型號F931C475MAA鉭電容 制造商：Nichicon詢價>
2012-03-20 18:25:22
主要是：電子設備和消費類電子產品等模塊供電，包括：BMS POE GPS儀器儀表 車充等等，它們有低功耗，大電流，大功率等特點，往往需要24V 36V 48V 60V 72V 100V 120V
2024-01-20 15:30:35
`華為全場景新品發布會直播報名地址：華為全場景新品發布會開播時間：周三 6月2日 下午20:00一、活動話題1、【有獎討論】 HarmonyOS成為清華等頂級高校課程，HarmonyOS高校計劃你
2021-05-27 11:07:19
1 方案名稱 JW1251A杰華特自適應100/120Hz電流紋波消除器與功率MOSFET集成 2 品牌名稱杰華特 -QQ 289 271 5427 3 方案特點適應性100/120Hz紋波電流劑
2020-08-19 10:52:42
/120Hz電流紋波消除器內置60V功率MOSFET可編程LED電流紋波優化的TRIAC調光SOT23-3包 4 規格 JW?M366用于驅動LED串，消除了恒流AC/DC LED驅動上的100
2020-08-19 11:06:58
【10月9日消息】高集成度模擬與混合信號半導體廠商Maxim Integrated Products，Inc.(NASDAQ)在京召開2012新品牌新聞發布會，正式發布Maxim新品牌形象及相關
2013-07-11 15:46:55
【10月9日消息】高集成度模擬與混合信號半導體廠商Maxim Integrated Products，Inc.(NASDAQ)在京召開2012新品牌新聞發布會，正式發布Maxim新品牌形象及相關策略
2013-07-11 11:18:45
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
MOSFET 切換高于5V 的電壓，則需要另一個晶體管（某種晶體管）來打開和關閉它。P 溝道場效應管P溝道區域位于P溝道MOSFET的源極和漏極之間。它是一個四端子器件，具有以下端子：柵極、漏極、源極和主體
2023-02-02 16:26:45
倒計時！就在明天！大咖打call 第二彈！OpenHarmony開源大師兄新品發布會，6月30日10:00重磅開啟。立即報名：OpenHarmony開源大師兄新品發布會
2022-06-29 13:59:54
R&S羅德SGT100A回收射頻信號源供應熱線：***供應VX號：15015200707供應QQ:3140751627（同微）koukou:三一四零七五一六二七(同微)R_SSGT100
2021-06-24 16:22:34
`全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出內置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2
2021-07-14 15:17:34
我想知道STL62P3LLH6 P溝道MOSFET的安全工作區圖表是否正確http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet
2019-07-29 12:23:12
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
`昨日原道召攜英特爾、微軟、京東在京召開新品發布會，一大波Win8平板來襲，原道W10pro，原道W11C和原道W11pro亮相發布會現場。小鑫作為原道粉絲，在幾天前收到邀請，以原道達人身份參加此次
2014-05-30 09:10:09
MOS管型號：HG1006D參數：100V 25A 封裝：DFN3333內阻：25mR(Vgs=10V) 30mR(Vgs=4.5V)結電容：839pF開啟電壓：1.7V應用領域：車燈照明、車載電子
2021-01-07 15:37:15
景新品發布會這場直播會為大家揭示什么呢?首批搭載鴻蒙手機上線？鴻蒙全場景新品類發布！平板？智慧屏？全屋智能？智能座艙、車機？各位開發者沒有不愛電子產品的吧？大家希望這次的華為全場景新品能上什么呢，有你
2021-05-28 19:07:46
、樂視也都將在本月召開新品發布會。今天有網友曝光了中興的新品發布會海報，而此前中興卻沒有公布過一點消息，海報顯示中興將于 4月20日在北京751召開春季新品發布會?！ 暮髢热輥砜?，中興即將召開的新品
2016-04-14 16:33:37
為什么 ST 在 AN4599 的 LLC 諧振拓撲中添加一個 100pf 1000V 1210 并聯電容器和 MOSFET？
2022-12-26 07:53:01
半導體產品采用的是也是平面柵MOSFET結構?；谄矫鏂沤Y構，派恩杰已經發布了650V-1700V各個電壓平臺的SiC MOSFET，而且已經順利在新能源龍頭企業批量供貨，實現“上車”。
2022-03-29 10:58:06
中低壓場效率管（MOSFET）MOS管型號：HG012N06LMOS管參數：60V50A內阻：14mR（VGS=4.5V）結電容：550pF類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V封裝
2020-07-31 11:03:26
在通孔板上建立電路數小時后，我發現使用P-MOSFET時Vgs并不容易。經過搜索，我發現我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）將源極電壓帶到柵極，以便關斷MOSFET。對我來說非常重要的是，當
2018-08-23 10:30:01
，二邊的P區中間夾著一個N區，由于二個P區在外面通過S極連在一起，因此，這個結構形成了標準的JFET結構。 4 隔離柵SGT場效應晶體管 功率MOSFET的導通電阻Rds(on)和寄生的電容是一個相互
2016-10-10 10:58:30
低端，可以直接驅動。如果是+48V的系統，熱插撥的功率MOSFET使用N溝道放在低端，雖然可以直接驅動，但輸出地會產生浮動的問題。使用P溝道的功率管放在高端，驅動簡單，但是這個電壓規格的P溝道的功率管
2016-12-07 11:36:11
7月19日消息稱，華為終端官方微博正式宣布，將于7月29日19點30分舉行旗艦新品發布會。從此前爆料來看，華為P50系列外觀設計類似上個月剛剛發布的榮耀50，后置雙圓環多攝，兩款高配型號配備f
2021-07-20 16:31:21
上周六華為官方宣布將于北京時間10月22日20點舉行華為Mate?40系列新品發布會，而本次發布會除了華為Mate?40系列還將有哪些新品呢？華為本次發布會可能會帶來：1、華為Mate40系列四款
2020-10-12 17:40:11
低噪聲、高電源抑制比、低靜態電流和很好的負載/線性瞬變。NCP148提供軟啟動功能，集成優化的轉換率控制用于攝像機模塊。該器件設計為與1 uF輸出陶瓷電容器一起工作。采用超小的0.35P、0.65毫米×0.65毫米的芯片級封裝（CSP）。欲查看我們的最新產品發布，請到我們的特色新品頁面。
2018-10-25 08:56:49
安森美半導體的特色新品(FNP)清單重點介紹最新發布的一些器件。每一更新包括最新產品的產品類別、其獨特之處的概要和了解更多詳細信息的鏈接。無論您正在研發最新的設計還是僅僅出于對新產品的好奇，這些更新
2018-10-23 09:13:18
是您的理想指南。以下是您將在今天的清單中看到的一些新品。安森美半導體的最近的特色新品的完整清單可在這里找到。EFC4C002NL: 功率MOSFET 用于3節鋰電池保護, 30V, 2.6m
2018-10-22 09:08:52
開放、共享、共建OpenHarmony開源大師兄新品發布會 2022 年 6月30日 10:00 AM 2019年12月 521位教師聯合發起歷時三年 探索不止2022年6月 相約線上 正式開啟
2022-06-30 09:24:21
，N溝道歐姆區的VGS是7V，而P溝道的是-4.5V。隨著柵極電壓增加，歐姆曲線的斜率變得更陡，表明器件導電能力更強。施加的柵極電壓越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些應用中
2021-04-09 09:20:10
`德國R&S 深圳SMR50回收SMR60咨詢SGT100A公司名稱：深圳市捷威信電子儀器有限公司聯系人：譚S ***座機號碼：0755-27538807QQ
2021-04-17 09:34:29
德國羅德與施瓦茨SGT100A/SGS100A射頻信號源公司名稱：深圳市捷威信電子儀器聯系人：劉*** V：18025446127座機號：0755-27538807QQ
2021-09-26 08:57:49
德國羅德與施瓦茨SGT100A矢量射頻信號源公司名稱：深圳市捷威信電子儀器聯系人：劉*** V：18025446127座機號：0755-27538807QQ：2770811561Ｅ－mail：liu
2021-10-09 10:46:49
管（MOSFET）MOS管型號：惠海半導體HG012N06LMOS管參數：60V50A（50N06）內阻：11mR（VGS=10V）結電容：550pF 類型：SGT工藝NMOS開啟電壓：1.8V封裝
2020-08-29 14:51:46
型號:HC030N10L參數：100V 30A類型：N溝道 MOS場效應管內阻22毫歐低結電容2000pF封裝：貼片（TO-252）■HC030N10L是一款采用SGT工藝超結MOS管，低開啟電壓
2020-12-12 14:41:06
型號： HG080N10LSMOS管參數：100V17A（17N10）低內阻：76mR（VGS=10V）低結電容：525pF類型：SGT工藝NMOS低開啟電壓：1.6V封裝：TO-252 HG080N10LS特點
2020-11-12 14:51:50
全國回收SGT100A、高價收購R&S SGT100A信號發生器本公司大量回收二手儀器上門回收現金回收高價回收無論你在哪，只要你想賣，一個電話，我們上門回收！R&S?SGT100
2018-11-23 16:33:09
`明德揚原價99元的視頻資料，包含100多個案例教學，現在完全免費，共享給大家。360云盤下載，http://yunpan.cn/cjZTiDA9pY56x訪問密碼 c359由于視頻非常大，打包下載需要安裝360云盤`
2015-10-12 08:40:13
明德揚模板匯總命令1. 明德揚設計模板匯總前面已經介紹了多個明德揚的模板，本視頻將所有的模板匯總起來，供同學們查詢和掌握。http://v.youku.com/v_show/id_XOTI2MzYxNjUy.html
2015-11-27 15:30:13
明德揚FPGA01 時序約束步驟http://v.youku.com/v_show/id_XMjg3NjY2ODU0MA==.html?spm=a2hzp.8253869.0.0潘文明至簡設計法系
2017-07-27 17:05:14
需要采購MOSFET 測試設備， 滿足手工測試MOSFET的電參數（IDSS/IGSS/VTH/RDSON/VDSS/VGSS等等），ID電流最大100A，VDS電壓高至1500V， 求推薦生產廠家和設備型號。謝謝。
2021-05-06 09:57:38
有沒有人用過SI2307 P溝道MOSFET?不知道為什么5V的電壓無法關斷、、、是不是設計問題？
2016-08-28 18:29:46
本帖最后由 jf_00753945 于 2023-2-2 15:50 編輯
沛城科技2KW單向逆變器新品發布在“碳達峰”、“碳中和”國家戰略目標和新能源革命的大背景下，我國將推進風電、太陽能等
2023-02-02 15:46:12
開發者與我們共同探索新的可能。我們誠摯邀請您參加“科大訊飛AI·飛無界 新品發布會”，與全球人工智能領域學者、企業家、創業團隊一起，關注、體驗、揭秘科大訊飛AIUI的全新升級。 從機器為中心的人
2018-05-14 21:16:36
40V，60V MOSFET可大幅簡化熱管理，從而節省成本。 一個典型的服務器電源的輸出電壓為12V，在100%輸出負載下，功率為600W至2400W，業界的標準做法是二次側采用同步整流器（即
2018-12-06 09:46:29
`史上第一家市值突破萬億的科技公司，今晚又要發布新品了。蘋果2018秋季新品發布會將于北京時間9月13日凌晨1點在史蒂夫·喬布斯劇院開幕。國內手機廠商們都非常識趣，新品發布幾乎都推遲到了一周以后
2018-09-13 09:36:01
薄晶圓倒片機系統（Sorter System）新品發布會，同時還向大家展示了公司具有代表性的各種設備，包括雙臂潔凈機械手臂、EFEM系統、Scara機械手、小型桌面系統等半導體裝置。此次新品發布會吸引
2015-12-02 10:48:57
揚杰D20JA80 整流橋800V20A 超薄電源專用整流橋 現貨供應
2023-01-01 15:52:11
SGT100A 是 Rohde & Schwarz 的 3 或 6 GHz 射頻發生器。?特征：頻率范圍：1 MHz 至 3 GHz使用 SGT-KB106 選項：1 MHz 至 6 GHz
2023-02-16 14:44:41
供應士蘭微焊機IGBT單管 驅動SGT20T60SDM1P7 20A、600V參數，提供SGT20T60SDM1P7 關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:01:10
供應ups逆變器中的igbt管600v 60a SGT60N60FD1P7，是士蘭微IGBT代理，提供SGT60N60FD1P7關鍵參數 ，可應用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領域，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-04-04 10:37:48
2020年7月，作為大華股份旗下存儲子公司，大華存儲重磅發布了全系列新品，其中包括S100高耐用存儲卡系列、 P100高速存儲卡系列、F100智能存儲卡系列、T100安防監控存儲卡系列等，多種規格的存儲產品，帶來了多種存儲解決方案，滿足日常辦公、休閑娛樂，專業攝影等不同人群的需求。
2020-07-10 11:33:222381 產品特點
1、優異的開關特性和導通特性；
2、更好的導通電阻溫度特性，顯著增強器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性；
3、配合先進的封裝技術，SGT MOSFET器件有助于提升系統效率和功率密度；
4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。
2020-11-26 14:54:432062 
的電機驅動系統、逆變器系統及電源管理系統，是核心功率控制部件。 ? ? ? ? ? ?SGT(Shield Gate Trench MOSFET) MOSFET結構及工藝制造方法，因其不需要在溝槽內生長厚的屏蔽電極介質層，同時Bsg具有良好的高溫回流特性，具備良好的溝槽填充能力，可以將溝槽CD極大程度縮小
2020-12-25 14:02:0728403 MOSFET大致可以分為以下幾類：平面型MOSFET；Trench （溝槽型）MOSFET，主要用于低壓領域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽柵溝槽）MOSFET，主要用于中壓和低壓領域；SJ-（超結）MOSFET，主要在高壓領域應用。
2021-01-22 08:41:429130 揚杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET產品，采用先進的SGT （Shield Gate Trench MOSFET） 制程工藝，針對電機驅動、BMS等應用設計，優化BVdss、Rdson、Qg等參數性能同時，提升MOSFET抗沖擊電流能力。
2022-04-08 15:01:341688 
近日，昆侖芯新品R100于2022智算峰會「智能芯力量」專題論壇正式發布。昆侖芯AI加速卡R100（以下簡稱“昆侖芯R100”）定位于邊緣大算力推理，較昆侖芯1代AI加速卡K100平均性能提升2.3倍，以更低功耗、更小巧體積靈活適配各類服務器，賦能多種復雜邊緣推理場景。
2022-12-29 11:36:231679 揭秘WAYON維安新研發的SGT MOSFET，三大優勢前途無量！
2023-01-06 12:59:081797 
100 V，P 溝道溝槽 MOSFET-PXP1500-100QS
2023-02-15 18:51:49
0 100 V，P 溝道溝槽 MOSFET-PXP400-100QS
2023-02-20 18:48:420 100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D385-100E
2023-02-20 19:57:310 30 V，N 溝道 MOSFET-PMPB100ENE
2023-02-21 19:32:000 雙 N 溝道 100 V、33 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K32-100E
2023-02-21 19:40:460 雙 N 溝道 100 V、27.5 mΩ 標準電平 MOSFET-山毛櫸7K32-100E
2023-02-22 18:41:140 雙 N 溝道 100 V、121 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7K134-100E
2023-02-22 18:43:220 摘要：CMSH10H12G是一款高性能的100V N-Channel SGT MOSFET。該器件采用SGTLV MOSFET技術，具有出色的Qg*Ron產品(FOM)，極低的導通電阻(Ron
2023-06-08 14:24:22620 
摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技術。它具有快速開關和改進的dv/it能力，適用于MB/VGA、POL應用和DC-DC轉換器等領域。本文將介紹CMS4070M的特點、應用領域以及關鍵性能參數。
2023-06-08 14:28:28663 
安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45474 安建半導體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產品平臺，平臺采用先進的技術和設計，提供了卓越的開關特性和低導通電阻，從而實現了高效的能源轉換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49293 
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