【2022年5月10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）發布了一項全新的CoolSiC?技術，即CoolSiC? MOSFET 1200
2022-05-10 14:10:02
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其CIPOS? Tiny智能功率模塊（IPM）系列的產品陣容。這款全新的IPM采用了TRENCHSTOP? RC-D2 IGBT功率開關器件和先進的SOI柵極驅動技術，可最大限度地提高效率，實現更高的可靠性
2022-05-10 17:38:122681 
【2022年5月30日，德國慕尼黑訊】Infineon Technologies Bipolar GmbH Co. KG推出具有內部續流二極管（FWD）、采用陶瓷平板封裝的全新壓接式IGBT（PPI
2022-05-30 16:44:422667 
瑞薩電新發表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）系列新產品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統中的直流電轉換為交流電的功率半導體裝
2012-07-31 11:34:281650 隨著新產品的發布，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產品組合
2020-02-26 08:26:001315 新款 CoolSiC Hybrid產品系列結合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術和碳化硅肖特基二極管的主要優點，具備出色的開關速度和更低的開關損耗，特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。
2021-08-06 15:40:471728 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 
英飛凌科技宣布推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專門針對分立式汽車牽引逆變器進行了優化，進一步豐富了英飛凌車規級分立式高壓器件的產品陣容。
2022-03-21 14:14:041435 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，進一步擴展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產品陣容。全新器件配備尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49644 
：“英飛凌多年來一直引領著功率半導體的發展，致力于進一步提高電源管理效率，是一個值得信賴的合作伙伴。借助英飛凌的功率半導體器件，我們能夠將三種應用整合到一個系統中，向著綠色能源的發展目標邁出了一大步
2022-08-09 15:17:41
2018年6月1日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步壯大其薄晶圓技術TRENCHSTOP5 IGBT產品陣容。新的產品家族可提供最高
2018-10-23 16:21:49
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
和高性能PC等不僅需要提高效率，還要求具備更高的抗浪涌電流性能。SCS3系列改善了第二代的正向電壓特性，可進一步提高效率。而且，抗浪涌電流性能提升達2倍以上，對于意外發生的異常問題等具有更高的安全余量
2018-12-03 15:11:25
及設備用電安全的需要，更進一步提高電源的可靠性，及時發現供電隱患，提高設備的運行壽命，對電源進行在線管理已經成為普遍的需求。針對早期的UPS電源的RS232標準，已經無法滿足目前計算機硬件及軟件技...
2021-12-28 08:05:27
進一步理解量子力學經典理論與應用 多方面豐富相關圖表為了進一步深入理解量子力學理論經典及其應用，從多個方面豐富內容，附圖頁碼一致，符合國際標準。聲學，聲波自然現象，以及經典原子理論的應用等對理解量子力學經典之波的概念有益。大灣區2020-8-2
2020-08-02 07:05:50
的TO247-4L IGBT將可為相關應用提供更高的效能與更佳的成本效益，究竟它是如何辦到的？讓我們來進一步深入了解。
2019-07-18 06:12:00
提高開關電源的效率一直是開關電源設計者不懈的追求。要進一步提高開關電源的效率首先應該知道開關電源的損耗產生自哪里，哪一部分損耗可以減小，哪一部分損耗基本上不能減小，采用何種方式是最有效、最實際的減小
2016-06-12 12:39:36
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統的硅基器件相比，具有更優越的性能，零開關損耗，提高效率，降低解決方案成本，功率密度增加，實現更高的開關頻率，減少對散熱器
2021-11-09 16:36:57
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統的硅基器件相比，具有更優越的性能，零開關損耗，極低反向電流 ，無反向恢復電流 ，低電容電荷， 提高效率，降低解決方案
2021-10-27 15:00:42
適合對C語言有一定基礎積累的童鞋 想進一步學習C語言的 可以看哈
2012-09-10 22:26:29
降壓型轉換器的電氣原理圖LTC7803如何提高效率和EMI標準合規性
2021-03-11 06:25:16
，究竟它是如何辦到的？讓我們來進一步深入了解?！ ⊥ㄟ^TO-247-4L IGBT封裝減少Eon損耗IGBT是主要用作電子開關的三端子功率半導體器件，正如其開發的目的，結合了高效率和快速的開關功能，它在
2020-07-07 08:40:25
SOP位移傳感器防水功能將進一步提高位移傳感器應用的行業越來越廣，使用的環境也是各種各樣，SOP位移傳感器有些系列可以適用于潮濕、油污、灰塵等各種惡劣環境，但是有好些客戶問咱們的位移傳感器防水
2019-08-20 16:40:48
有什么方法可以進一步降低待機模式的功耗
2023-10-12 07:23:28
應用推出一款具備高效率、超低功耗降壓轉換器。全新的 TPS62120 不但可實現高達 96% 的效率，而且還可透過 2 V 至 15 V 輸入電壓產生 75 mA 的輸出電流。這一款高效能裝置支援能量
2010-10-12 21:03:17
keil5提高效率的技巧：1.編寫程序時右鍵點擊即可快速添加頭文件。2.固定模板可以在“Templates”中寫入，使用時可直接引用。3.模塊化編程，即編寫頭文件，之前的博客有提到，這里不再贅述。...
2022-01-12 07:53:28
【單片機開發300問】怎樣進一步降低功耗功耗，在電池供電的儀器儀表中是一個重要的考慮因素。PIC16C××系列單片機本身的功耗較低（在5V，4MHz振蕩頻率時工作電流小于2mA）。為進一步降低
2011-12-07 13:59:56
中國上海，2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調和工業設備大型電源的功率因數校正（PFC）電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
在實際的應用電路中，二極管和晶體管因其特性和性能不同而需要區分使用。在電源類應用中區分使用的主要目的是提高效率。本文將介紹PFC（功率因數改善）的一個例子，即利用二極管的特性差異來改善臨界模式
2018-11-27 16:46:59
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-22 10:36 編輯
我使用6467t預計實現4路d1mpeg2到h264的轉碼，但是目前只能實現3路，根據官方數據應該是可以達到4路的，請問我有什么辦法提高效率？關于hdvicp的使用？
2018-06-22 05:27:30
的例子中，開關損耗可以降低24%。此外，還可以 在更寬的工作頻率范圍內實現97%以上的高效率 ，在工作頻率為100kHz時與IGBT相比效率提高3%，可進一步降低車載和工業設備應用的功耗。此外
2022-07-27 10:27:04
初學linux，安裝了Ubuntu系統界面，請教該如何進一步快速學習，大家有什么好的初學的資料分享一下，謝謝啦
2015-08-24 18:39:29
單片機驅動LCD如果提高效率
2023-10-23 07:44:25
上升、Ron增加、故芯片溫度進一步上升的“熱失控”狀態。而Hybrid MOS即使在高溫狀態下，Ron及Ron的變動非常小，在Tj＝125℃、ID＝20A條件下的比較中，Ron換算結果減少達62%。在
2018-11-28 14:25:36
較小，以提高效率和降低功耗。平均二極管電流等于平均輸出電流。所選二極管封裝必須能夠處理功耗。 同步控制器控制整流開關的另一個MOSFET。如果使用N通道MOSFET，則必須產生高于輸出電壓的電壓，以
2013-08-12 15:05:53
交流輸入的工頻正半周期和負半周期，導通時間較長，因此建議選擇低速和低導通壓降的硅整流二極管。為進一步提高效率，可以考慮用硅 MOSFET替代（同步整流模式），從而降低整流回路的導通損耗?！ ∪绻麍D騰柱無
2023-02-28 16:48:24
GN1302 晶振引腳連接 2 個 30pf 電容，每天大約慢 4 秒，如何進一步提高精度?時鐘每天慢 4 秒是因為晶振的外部負載電容過大，即 30pf 電容過大。如果使用的晶振的負載電容參數為
2022-12-29 17:36:43
如何進一步加強對RFID的安全隱私保護？
2021-05-26 06:09:27
濾波電感。有了電容濾波器，LLC轉換器還可以使用額定電壓較低的整流器，從而降低系統成本。此外，次級側整流器可實現零電流轉換，大大減少了反向恢復損耗。利用LLC拓撲結構的各項優勢，可進一步提高效率，降低
2022-11-10 06:45:30
本應用指南介紹了使用 UCC28056 優化過渡模式 PFC 設計以提高效率和待機功耗的設計決策。
2021-06-17 06:52:09
方法限制了從一個逆變器單元到另一個逆變器單元的設計靈活性和優化，在某些拓撲中，在單個逆變器單元內也是如此。適用于不同工作頻率的IGBT有助于提高效率戴通的新產品展示了提供針對不同工作頻率進行優化的IGBT
2023-02-27 09:54:52
如何讓計算機視覺更進一步接近人類視覺？
2021-06-01 06:27:08
傳感器為震動速度傳感器，待提取信號頻率0.1~200Hz ,幅度幾十uV，原來采用AD620放大，現在希望進一步降低功耗與噪聲，采用什么片子好？
2018-10-25 09:25:24
網絡時間協議NTP是什么意思？NTP授時的原理是什么？怎樣去進一步提高NTP的授時精度呢？
2021-11-01 07:12:40
、電視手機。這些采用多種RF技 術的手機在提供便利的同時也使得手機的設計變得復雜，如何進一步集成射頻元件也變得至關重要。
2019-08-27 08:33:19
無線充電怎么提高效率呢，急需
2015-10-19 10:43:15
第二十章提高效率技巧1. 利用GVIM制作模板http://yunpan.cn/cjZTiDA9pY56x訪問密碼 c359
2015-11-07 09:22:06
級放大再加給AD7714時，測得人分辨率還要低一些。由于是用干電池得到AD7714的輸入信號，該信號相對來說很穩定，而且板上的噪聲也不是太大。請問各位大蝦，還有什么方法可以進一步提高AD7714的分辨率啊？不勝感激！
2023-12-25 06:33:32
頻率可以進一步提高效率。本文設計了一種400W逆變器用于電機集成，在230V交流電網電源下運行，以及完整的文檔設計和測量結果，突出了組件計數的量化改進，裝配和冷卻成本，以及幾個性能參數和操作成本。
2023-06-16 07:53:41
半導體三十年的發展 技術變革 圖2還暗示了一個事實，即從某個時刻開始，需要技術變革以克服現有技術的不足。對于功率半導體，碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）等寬帶隙材料是進一步提高效率且極具競爭力的不二
2018-10-09 11:35:50
CoolSiC 汽車 MOSFET 技術的成熟，英飛凌也成功的將該技術進入 EasyPACK，并獲得了汽車級認證，目前正在擴展該模塊系列的應用范圍，旨在涵蓋具有高效率和高開關頻率需求的電動汽車的高壓應用。其中
2021-03-27 19:40:16
如何進一步減小DTC控制系統的轉矩脈動？
2023-10-18 06:53:31
有個問題
一直困擾我，到底無源有損緩沖電路到底是能
提高效率，還是把損耗轉移到緩沖電路的電阻上去了！！請高手解答
一下?。。?/div>
2019-03-08 14:07:55
提高了50V，達到650V。圖1圖1 全新650V IGBT4的截面圖。相對于600V IGBT3的改進：芯片厚度增加 （y）、溝道寬度降低（z）、背部P射極能效提高。650V IGBT4動態特性
2018-12-07 10:16:11
通過禁用文件緩沖提高效率在每次文件I/O操作中，LabVIEW調用操作系統(OS)并請求在文件和磁盤之間傳輸數據，調默認狀態下LabVIEW啟用緩沖。緩沖減少了操作系統訪問磁盤的次數并減少了處理時間
2017-03-16 09:17:20
增加另外恒壓電路來穩定VCC電壓，直接兼容5-12V輸出電壓時正常工作。配合電流驅動的電壓鉗位驅動外接開關管，優化減少系統損耗進一步提高整體系統效率芯片超低靜態工作電流ETA8047/8小于0.4mA
2021-07-13 19:28:14
能夠完全恢復保存的磁能和泄漏的電感能量，從而提高效率和可靠性。驅動第二級同步整流器的預測信號能夠進一步提高效率。全面的保護功能包括UVLO、熱關斷和具有間隔電流限制的短路保護，有助于提高系統性能和可靠性
2021-05-17 06:18:24
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
的SJ-MOSFET。通過降低柵極電阻Rg和柵極-漏極間電荷量Qgd，提高了開關性能。通過提高開關速度，可降低開關損耗并提高效率。最后列出了這三個系列相關技術信息的鏈接。這里雖然給出了各系列的特征，但為了進一步
2018-12-03 14:27:05
卡套管的使用有助于提高效率并達到更合格的標準
Enhancing Efficient and Reaching Higher Standard by using Clip Tubes
2009-03-14 17:26:09
11 一種提高效率和減小電壓紋波的電荷泵:提出了一種經穩壓后的電荷泵架構，通過改進傳統四相位電荷泵的輸出級使效率提高了5%，通過改進傳統的控制時鐘方案使輸出電壓紋波降低
2009-12-14 09:41:1521 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:261672 英飛凌目前正推出另一項重要的創新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171845 2015年3月2日，德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發布了能夠讓應用于汽車中的高速開關實現最高效率的高堅固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443 英飛凌推出全新可控逆導型IGBT芯片，可提高牽引和工業傳動等高性能設備的可靠性
2015-06-24 18:33:292516 
2016年5月10日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技術，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC? MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。
2016-05-10 18:14:091164 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步壯大其薄晶圓技術TRENCHSTOP?5 IGBT產品陣容。新的產品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它與
2018-06-04 08:31:002053 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）進一步壯大1200 V單管IGBT產品組合陣容，推出最高電流達75 A的新產品系列。TO-247PLUS封裝同時還集成
2018-05-18 09:04:001989 東芝宣布推出新一代超結功率MOSFET，新器件進一步提高電源效率。在這個連小學生做作業都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？
2018-09-13 15:54:155102 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術和流程的結果，讓碳化硅肖特基二極管的設計和開發更具價格優勢，性能一代更比一代強。因此，G6是英飛凌最具有性價比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523697 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 什么樣的MOSFET才適合儲能系統？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產品系列，幫助儲能系統輕松實現更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設計。
2020-08-21 14:01:251014 
英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高效率
2021-03-01 12:16:022084 ，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD續流二極管，在硬換流的場合，至少有兩個主要優勢： 沒有Si二極管的反向恢復
2021-03-26 16:40:202349 
AN144-通過靜默交換機設計降低EMI并提高效率
2021-05-07 15:27:556 深成科技：深圳圓柱電池分選機怎么提高效率？
2021-12-28 17:54:08418 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 
為提高效率——如何將雙向功率流集成到UPS設計中（第一部分）
2022-11-01 08:27:170 使用 DSN2 肖特基二極管提高效率
2022-11-15 20:25:240 Nexperia的LFPAK88不使用內部焊線，減小了源極引腳長度，從而最大程度地減少在開關過程中產生的寄生源極電感，以此提高效率。 無引腳(QFN)封裝或開爾文源極連接等備選方案也具有類似的優點，但它們也存在很大的缺陷，這就使得“提高效率的捷徑”LFPAK88成為我們的首選。
2023-02-10 09:38:03448 
英飛凌和Schweizer Electronic AG正在合作，將英飛凌的1200V CoolSiC?芯片嵌入印刷電路板(PCB)，以提高基于碳化硅的芯片效率。
2023-05-05 10:31:31518 
電子發燒友網站提供《NIKKEI邏輯整合Brocade SAN以提高效率和安全性.pdf》資料免費下載
2023-08-30 10:36:070 英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產品陣容。全新器件配新一代發射極控制的EC7續流二極管，以滿足對環保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:06255 
使用自增自減運算提高效率 在使用到加一和減一操作時盡量使用增量和減量操作符，因為增量符語句比賦值語句更快，原因在于對大多數CPU來說，對內存字的增、減量操作不必明顯地使用取內存和寫內存的指令，比如
2023-11-21 11:29:42188 帶有快速體二極管的MOSFET器件通過LLC拓撲和FREDFET來提高效率
2023-12-08 17:35:56359 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310 BOSHIDA ?提高效率的DC電源模塊設計技巧 設計高效率的BOSHIDA ?DC電源模塊可以幫助減少能源浪費和提高系統功耗，以下是一些設計技巧： 1. 選擇高效率的功率轉換器：選擇具有高效率
2024-02-26 14:27:38110 
碳化硅（SiC）技術一直是推動高效能源轉換和降低碳排放的關鍵，英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技術，也是要在這個領域提高了MOSFET的性能指標，擴大還在光伏、儲能、電動汽車充電等領域的市場份額。
2024-03-12 09:33:26239 
本次推出的產品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07188 
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