Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:32
1787 電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環境下，仍具有更優越的開關性能以及更小的結溫和結溫波動。 碳化硅二極管廣泛應用于開關電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏
2020-09-24 16:22:14
二極管三極管與晶閘管場效應管解析
2021-02-24 09:22:34
防止場效應管(MOSFET)接電感負載時，在截止瞬間產生感應電壓與電源電壓之和擊穿場效應管(MOSFET)，一般功率場效應管 (MOSFET)在漏極與源極之間內接一個快速恢復二極管，如圖8所示
2011-12-19 16:52:35
功率場效應管MOSFET,功率場控晶體管
2019-04-10 10:02:53
場效應管(MOSFET)是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件)，因此在驅動大電流時無需推動級，電路較簡單。
2019-09-30 09:01:58
在介紹功率場效應管時，有如下介紹：Planar HD3e Process for Fast Switching Performance。請問其中的HD3E是什么意思？麻煩了解的朋友耽誤一點時間能說明一下？
2016-09-14 09:00:33
功率場效應管的驅動
2012-08-20 21:01:05
的基本電路如圖4所示。由電流互感器CT檢測過電流，進而切斷柵極信號,實現對功率場效應管的保護。也可用電阻或霍爾元件替代CT。圖3、過壓保護電路圖4、過流保護電路另外功率場效應管的柵極極易擊穿損壞，柵源
2018-01-31 10:01:49
功率場效應管（VMOS）是單極型電壓控制器件。具有驅動功率小、工作速度高、無二次擊穿問題、安全工作區寬等顯著特點，還具有電流負溫度系數、良好的電流自動調節能力、良好的熱穩定性和抗干擾能力等優點。其
2018-01-29 11:04:58
時的漏源電流。 2、UP — 夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。 3、UT — 開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。 4、gM — 跨導
2021-05-13 06:13:46
場效應管與晶體管的比較（1）場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。（2
2018-11-05 17:16:04
場效應管與晶體管的比較（1）場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。（2
2009-04-25 15:43:51
`場效應管與晶體管的比較（1）場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管
2017-05-06 15:56:51
晶閘管的門控極G只能控制晶閘管的導通而不能控制晶閘管的關斷。第二點是場效應管與晶閘管的輸入電阻不同場效應管的直流等效輸入電阻非常高，其阻值可以達到10九次方歐姆，對于MOSFET管來說最高可以達到10
2021-03-16 13:48:28
場效應管具有什么特點？場效應管的工作原理是什么？
2021-09-29 07:19:20
增強型的管子，試過FQA24N60，IPW65R110CFD,FCH04160F等功率的管子，都能正常使用，但我今天換了IXFH80N65X2(890W.80A,650V)開機出發倆次就擊穿，換了三塊電路板，試了三次，每次都這樣，請問這樣是什么原因導致的呢？`
2017-09-20 09:29:28
場效應管及三級管型號大全
2012-08-16 16:37:48
型)，它的電路圖符號： 仔細看看你會發現，這兩個圖似乎有差別，對了，這實際上是兩種不同的增強型場效應管，第一個那個叫N溝道增強型場效應管，第二個那個叫P溝道增強型場效應管，它們的的作用是剛好相反
2018-10-10 15:11:23
GS=0時的漏源電流。2、UP — 夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。3、UT — 開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。4、gM
2013-03-27 16:19:17
一部分電路圖，在這里的Q1場效應管用作PWM調制器或開關穩壓控制器的功率開關管。 場效應管除了以上三大作用之外還可以用作可變電阻，實現壓控電阻，另外，場效應管應用場合還有很多，例如高保真音響系統、防反接電路等。原作者：大年君愛好電子
2023-02-24 16:28:18
根部尺寸5毫米處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。對于功率型場效應管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩定可靠地工作
2012-07-28 14:13:50
不動，只有將G-S極間電荷短路放掉才行。（4）用測電阻法判別無標志的場效應管 首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆
2021-05-25 06:58:37
場效應管(FET)是一種具有pn結的正向受控作用的有源器件，它是利用電場效應來控制輸出電流的大小，其輸入端pn一般工作于反偏狀態或絕緣狀態，輸入電阻很高，柵極處于絕緣狀態的場效應管，輸入阻抗很大
2019-07-29 06:01:16
場效應管的作用 1、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作
2019-05-29 06:18:14
場效應管的作用1、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3、場效應管可以用作可變電阻。4、場效應管可以方便地用作恒流源。5、場效應管可以用作電子開關。
2009-04-25 15:43:23
場效應管的作用 1、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級
2021-05-13 06:55:31
場效應管si2301（p溝道）柵極D1接單片機引腳，電源接源極（s），輸出端漏極（d）接一個DCDC然后接負載。問題是，單片機引腳低電平時，輸出端(d)確實為高電壓，但是單片機引腳高電平時。輸出端為0.69v，并沒有完全關斷。這是場效應管的原因還是電路的設計問題？怎么讓場效應管完全關斷呢？
2017-12-09 18:46:35
的是MOS場效應管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管，以及最近剛問世的πMOS場效應管、VMOS功率模塊等。 按溝道半導體
2009-04-25 15:38:10
1、結型場效應管分為N溝道和P溝道兩種類型。這里的溝道是指導電的主要離子，N溝道為電子，P溝道為空穴。
為使N溝道場效應管能夠正常工作，應在其柵源之間加負向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間
2024-01-30 11:51:42
。2、UP — 夾斷電壓。是指結型或耗盡型絕緣柵場效應管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。3、UT — 開啟電壓。是指增強型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導通時的柵極電壓。4、gM — 跨導。是表示柵源電壓
2009-04-25 15:43:12
。 d. 跨導gm的測試 根據轉移特性曲線數值，求出VGS在-0.1v和-0.2v之間時的跨導： (2)按照本課件圖3-7連接一個結型場效應管共源放大電路。調節Rs使VGSQ=-0.2V，測量并
2019-09-10 01:34:43
這2圖是2個場效應管的手冊，里面的功率看得有點亂，有沒有人能教下怎么看，謝謝
2019-03-10 21:09:56
的管腳排列（底視圖）見圖2。 MOS場效應管比較“嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當高的電壓（U=Q
2009-04-25 15:43:42
場效應管的特性是什么場效應管的主要參數有哪些場效應管怎么選用？場效應管的選用注意事項？
2021-04-20 06:49:52
不動，只有將G-S極間電荷短路放掉才行。（4）用測電阻法判別無標志的場效應管首先用測量電阻的方法找出兩個有電阻值的管腳，也就是源極Ｓ和漏極Ｄ，余下兩個腳為第一柵極G1和第二柵極G2。把先用兩表筆測的源極Ｓ與漏
2008-06-03 14:57:05
，這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當場效應管連接到總線及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道場效應管，這也是出于對電壓驅動的考慮。 2）電壓和電流的選擇。額定電壓
2020-07-10 14:51:42
`請問場效應管的驅動電壓多少？`
2019-08-22 15:55:28
電流增大到一定電流時三極管導通，使場效應管GS電壓下降來實現穩流。 3也是最重要的一點也是我不理解的點，我對tl431的了解，tl431是三端可調穩壓管，U0=(1+R2/R3)2.5V，由公式看出
2015-09-22 20:06:06
場效應管這種器件也是有PN結構成的，它幾乎只利用半導體中的一種載流子來導電，故又稱單極性晶體管。特點是輸入電阻高，有10^7~10^15歐，所以外部的電壓幾乎全部會加在管子內部，而 不用考慮外部電源
2019-06-25 04:20:03
在分析的時候，比如此時輸入端為高電平，如何確定場效應管源極（S極）的電平，從而無法確定Vgs的值大小
2016-01-09 20:11:56
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
框圖如圖2所示。 第二代可穿戴設備背后的傳感器技術 ADPD105/ADPD106/ADPD107功能框圖 ADPD107 用作完整收發器，驅動系統中的 LED 并測量光電二極管的返回信號。目標
2018-09-21 11:46:21
和提高可靠性都起到至關重要的作用，如果場效應管的質量不過關，容易使電器開關電源失控，導致電器損壞。所以為了減少電器的返修率，廠家在生產時就應該選用一款質量過硬的場效應管，例如飛虹的這個FHP730高壓
2019-07-18 20:32:19
AN15261基于CYWUSB6934將無線USB LS設計移植到無線USB LP。第二代無線電具有第一代無線電中不存在的其他強大功能：更高的傳輸比特率，更低的接收靈敏度，更高的最大發射功率，專用的發送和接收緩沖器以及自動CRC
2019-07-19 09:05:47
(on))：1.9Ω源-漏二極管壓降(VSD)：1.4V漏源擊穿電流(IDSS)：10uA反向恢復時間(trr)：320NS工作溫度：-55~+150℃引線數量：3 用萬用表定性判斷場效應管1、定性判斷MOS型
2021-12-16 16:59:22
數量，實現了高度集成的充電器設計。鈺泰半導體ETA80G25采用SSOP10封裝，內置650V耐壓，850mΩ D-mode氮化鎵開關管。內部開關管漏極連接大面積銅箔散熱，可實現良好的散熱并滿足絕緣耐壓要求
2021-11-28 11:16:55
FLIR第二代熱像儀ADK有哪些特點？FLIR第二代熱像儀ADK有哪些功能？
2021-07-11 07:27:39
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
經過整流橋后輸出最高電壓約為220*1.414≈311（V）。 總結：IGBT 一般在高壓大功率場合上應用，而場效應管一般在低壓中低電流下應用，兩者的應用場合不同，一般情況下IGBT和場效應管
2021-03-15 15:33:54
P型半導體上。場效應管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應管的原因。在二極管加上正向電壓（P端接正極
2018-10-27 11:36:33
和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。我們知道一般三極管是由輸入的電流控制輸出的電流。但對于場效應管，其輸出電流是由輸入的電壓（或稱場電壓）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應管的原因。
2011-06-08 10:43:25
的是MOS場效應管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管，以及最近剛問世的πMOS場效應管、VMOS功率模塊等。按溝道半導體資料
2018-10-29 22:20:31
良好焊接，以利于散熱），適應寬電源9.5V～26V，是MPS生產的第二代高集成音頻放大芯片，它集成了以下功能：180mΩ 場效應管，快速開啟/關斷，精簡保護電路。MP7722 利用單獨的一個輸出機構，把
2021-05-19 06:15:50
晶體管的開關。 第二部分 N型場效應管的主要用途 N型場效應管在一些工業設備和電子裝置中廣泛被用來控制信號的開關和功率的傳遞，可應用于功率的放大器，適用于數字電路以及機械設備的控制等等。 N型
2023-03-08 14:21:22
VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發展起來的高效、功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W
2021-05-13 06:33:26
對稱問題，所以非線性失真極小。因為場效應管是電壓控制器件，輸出級所需要的推動功率較小，所以推動級也很簡單，由一只結型場效應管擔任。 功率輸出端通過輸出變壓器耦臺輸出，音樂韻味和電子管功放相似。 二
2019-06-21 04:03:47
VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱Vmos管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發展起來的高效、功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W
2021-05-13 06:40:51
兄弟姐妹們，做proteus仿真，發現里面找不著雙柵極場效應管3sk系列的怎么辦啊？？？
2012-12-05 22:55:00
場效應管性能當面不是已經超過了三極管了么，三極管會不會被淘汰？為什么總是討論三極管問題？我是初學者，剛學了場效應管，嘿嘿，
2015-11-04 12:54:44
第二代導航衛星系統與第一代導航衛星系統在體制上的差別主要是：第二代用戶機可免發上行信號，不再依靠中心站電子高程圖處理或由用戶提供高程信息，而是直接接收衛星單程測距信號自己定位，系統的用戶容量不受限制，并可提高用戶位置隱蔽性。
2019-08-14 07:06:41
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區窄短，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
行業標準，成為落地量產設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統性能的關鍵，是創造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數字信號，轉化為無損功率傳輸的電路構件。
納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
帶寬度的半導體材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs等前輩相比，其在特性上優勢突出。由于禁帶寬度大、導熱率高，GaN器件可在200℃以上的高溫下工作，能夠承載更高的能量密度，可靠性更高；較大禁帶寬
2019-07-08 04:20:32
、美容儀型號：HC610N溝道場效應管100V6A 6N10SOT23-3L內阻80mR型號：HC160N10LN溝道場效應管 100V10A(10N10)TO-252封裝，內阻145mR,可用于霧化器
2020-09-23 11:38:52
場效應管的作用：放大、調制、諧振和作開關用，場效應管是電壓控制型器件。場效應管的好壞判斷：把數字萬用表打到二極管檔，用萬用表任意觸碰場效應管的三只引腳，好的場效應管最終結果只有一次有讀數，并且在
2012-05-04 09:51:12
原理圖如圖所示，其中2、4引腳接輸入-和輸入+，5、6引腳接場效應管的G級和D級，7引腳為差分放大的輸出端，8引腳接地。場效應管S級接12v電壓，分析得知場效應管的功能可能是由該未知器件驅動并輸出5v電壓。 請問貴公司有沒有類似功能的器件，可否給我推薦一兩個型號的類似器件？謝謝！：
2018-12-14 09:20:08
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
由于柵極電壓被穩壓管鉗位，當流過場效應管的電流有增大的趨勢時，負反饋電阻上的電壓增加，使場效應管截止趨勢增加，電流下降，反之亦然，使負載電阻電流保持恒定轉載自http://www.wggk.net/
2012-07-04 17:37:37
情況下，在HF~VHF頻段設計的寬帶射頻功放，采用場效應管(FET)設計要比使用常規功率晶體管設計方便簡單，正是基于場效應管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏差，易于阻抗匹配
2019-06-19 06:30:29
）。圖1. 三相電機驅動方案中使用的功率器件，顯示了兩種短路情況：（a）高端和低端之間的擊穿和（b）感性負載上的短路。為了支持高壓氮化鎵場效應管的持續采用，確保高SCWT非常重要。但是，鑒于其固有屬性
2023-02-22 16:27:02
代表絕緣柵場效應管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型層是N溝道；C是N型硅P溝道。例如,3DJ6D是結型N溝道場效應三極管，3DO6C 是絕緣柵型N溝道場效應三極管。第二種命名方法是CS
2012-07-11 11:41:15
!三極管收購,回收連接器,磁珠收購,收購工廠電子元器件,回收高頻管,光纖頭回收中心,電解電容收購中心,二極管收購中心,傳感器回收,ic回收公司,收購數碼IC,鉭電容回收公司,庫存場效應管收購中心,收購
2020-07-16 10:36:53
，對了，這實際上是兩種不同的增強型場效應管，第一個那個叫N溝道增強型場效應管，第二個那個叫P溝道增強型場效應管，它們的的作用是剛好相反的。前面說過，場效應管是用電控制的開關，那么我們就先講一下怎么使用它來
2021-05-25 06:00:00
組成的推挽推動級，例如電磁爐IGBT管的推動電路。如圖1所示。該推動級工作在開關狀態，輸出功率可以達5W左右，因為是射極輸出，所以輸出阻抗很小（< 10Ω）。無需功率驅動的場效應管為何要用大功率低阻抗的推動級呢？
2019-05-22 08:29:46
。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。通過導通電阻選擇器件內部氮化鎵場效應晶體管（FET）的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或導通電阻…
2022-11-10 06:36:09
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結場效應管 ，原裝正品，優勢價格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
，氮化鎵器件可以在同一襯底上集成多個器件，使得單片式電源系統可以更直接、更高效和更具成本效益地在單芯片上進行設計。集成功率級諸如EPC23102為設計人員提供了一個比基于分立器件方案的體積小35
2023-06-25 14:17:47
求分享USB3.1第二代應用的ESD解決方案
2022-01-14 07:35:38
`海飛樂技術現貨替換IXTH80N65X2場效應管制造商: IXYS 產品種類: MOSFET RoHS: 詳細信息 技術: Si 安裝風格: Through Hole 封裝 / 箱體
2020-03-05 11:07:30
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
純直流場效應管功放電路原理圖
2019-11-01 09:10:41
1、結型場效應管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場效應管能夠正常工作，應在其柵源之間加負向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場效應管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
由MOS場效應管和普通電源變壓器構成，TK8A50D場效應管是目前家用電器的逆變器后級電路應用得比較多的場效應管型號之一。冰箱、空調、LED等是我們每天都會應用到的電器，如果場效應管的質量不過關，無法進行
2019-08-15 15:08:53
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
功率場效應管的原理、特點及參數
功率場效應管又叫功率場控晶體管。
一．功率場效應管
2009-10-06 22:55:144643 
VMOS場效應管,VMOS場效應管是什么意思
VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應
2010-03-04 09:51:031344 近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產品IV2Q06040D7Z通過了嚴苛的車規級可靠性認證，該產品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡便，損耗更低的特點。
2024-01-16 10:16:24770 
3月8日，瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38287 
近日，瞻芯電子宣布其研發的三款第二代650V SiC MOSFET產品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規級可靠性認證，這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領域的持續創新與技術突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品，這些產品不僅通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279
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