奈梅亨，2022年4月27日：基礎半導體元器件領域的高產能生產專家Nexperia，今日宣布其分立式器件系列推出新品，新器件采用無引腳DFN封裝，配有側邊可濕焊盤 (SWF)。這些器件堅固耐用，節省
2022-04-27 18:08:53
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奈梅亨，2022年5月12日：基礎半導體器件領域的專家Nexperia推出了用于自動化安全氣囊應用的專用MOSFET (ASFET)新產品組合，重點發布的BUK9M20-60EL為單N溝道60
2022-05-12 10:20:495112 
DSN1006和DSN1010中的三款全新器件可在空間受限的應用中節省電力并簡化散熱管理 ? 奈梅亨，2022年7月27日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出
2022-07-27 10:14:36526 
Diodes公司推出旗下有助節省空間的DFN3020封裝分立式產品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補器件
2011-05-13 08:44:56928 多年來，功率MOSFET一直是高功率應用的支柱，能夠可靠地提供大電流。然而，隨著功率應用技術的進步，需要極高水平的電流。這些應用已達到功率水平要求，而一個MOSFET的實現已不再足夠，這迫使設計人
2021-03-12 11:29:324652 假定我們設計電路中的功率MOSFET的總計算功耗為10W。該器件的最高結溫為150℃。考慮到結到外殼還存在溫差，那么MOSFET的實際外殼溫度必須保持在等于或低于100°C才能可靠運行。假定MOSFET的結到外殼的熱阻為3K/W，那么我們如何確定所需的最小散熱器尺寸呢？
2022-05-20 10:06:086324 
Fig. 2標出了我們所關注的MOSFET器件的幾何尺寸，包括溝道的有效長度L_eff（導體的長度L_drawn略大于L_eff），溝道的寬度W，絕緣層的厚度t_ox，這些參數主要影響溝道兩側的電容和溝道的電阻，從而影響著電壓電流的關系，后面的表達式會用到這些尺寸。
2023-02-16 11:35:281560 
PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節省了超過36%的空間。
2020-04-23 11:05:58799 LFPAK封裝采用銅夾片結構，由Nexperia率先應用，已在汽車等要求嚴格的應用領域中使用近20年。
2020-05-08 09:02:451216 采用DFN2020D-6 （SOT1118D）封裝，能有效節省空間。
2020-10-12 11:20:34752 Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網供電（PoE）應用提供ASFET系列。
2020-10-23 09:38:13881 Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產線啟動，首批產品使用最新的NextPower芯片技術的低RDS（on）和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。
2021-06-24 09:18:57701 Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細預覽，該模型可以在仿真中準確呈現器件的靜態和動態特性，并降低在設計過程后期發現EMC問題的風險。
2021-08-30 09:47:281500 
Nexperia今日宣布推出全系列低電流穩壓器二極管。50μA齊納二極管系列提供3種不同的表貼（SMD）封裝選項，采用超小型分立式扁平無引腳（DFN）封裝以及符合AEC-Q101標準的器件。
2022-01-27 10:40:402669 
Nexperia（安世半導體）今日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數。
2022-03-24 09:31:461418 
? RDS(on)額外降低40%，功率密度提高58倍，適合電信和熱插拔計算應用 ? 奈梅亨， 2023 年 3 月 22 日： 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出首批80
2023-03-22 09:11:33422 
) MOSFET，并發布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia
2023-11-30 09:12:02432 
`315433MHZ超小尺寸方案，詳情見圖`
2018-06-05 19:00:04
DFN,QFN代工QQ67217217
2015-07-21 13:41:32
DL0521P1有低電容，超小尺寸和ESD高穩健性等特點，是高速數據端口和高頻線路（如USB 2.0和天線線路）應用的理想選擇，如蜂窩電話和高清視頻設備。超低電容TVS/ESD保護二極管特征高速數據線的瞬態保護
2020-03-18 10:30:15
產品概述：8323是兩款國內首創采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內建穩壓電路,提供穩定的電壓給觸摸感應電路使用,穩定的觸摸檢測效果可以廣泛的滿足不同應用的需求,此觸摸檢測芯片是專為取代
2018-08-31 11:14:25
`產品概述：8323是國內首創采用DFN超小封裝的單按鍵觸摸芯片,此觸摸芯片內建穩壓電路,提供穩定的電壓給觸摸感應電路使用,穩定的觸摸檢測效果可以廣泛的滿足不同應用的需求,此觸摸檢測芯片是專為取代
2019-07-23 09:11:37
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應用？
2021-07-09 07:45:34
`Nexperia 200V超快恢復整流器擁有高功率密度，同時最大限度地減少了反向恢復時間和損耗。這些器件是大功率密度、超快恢復整流器，采用高效平面技術，采用小型扁平引線SOD123W或SOD128
2020-02-13 14:30:30
。推薦產品：BCP56-16,115；BCX56-16,115Nexperia其它相關產品請 點擊此處 了解特性：大電流三種電流增益選擇高功耗能力裸露的散熱器具有出色的導熱性和導電性（SOT89
2020-03-11 17:20:01
`Nexperia汽車用MOSFET包括一系列符合AEC-Q101標準的器件，符合汽車行業制定的嚴格標準。這些Nexperia汽車器件設計用于比家用和便攜式應用中使用的功率MOSFET更惡劣
2021-01-23 11:20:27
，設計工程師已經習慣于接受效率和隔離能力之間的折衷。然而，來自 Nexperia 的最新特定應用 50 V 和 55 V MOSFET 避免了這樣的折衷。它們得益于卓越的超結技術，可產生較低的導通電阻，而
2022-10-28 16:18:03
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結功率MOSFET技術白皮書資料來自網絡
2019-06-26 20:37:17
導讀：全球功率半導體領先供應商國際整流器公司（International Rectifier,簡稱IR）日前發布其近日新增產品--AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET
2018-09-28 15:57:04
/ESOP-8、MSOP-8、DFN2*2-8、DFN3*3-8 等封裝形式，給方案設計帶來更多的選擇。半橋/全橋轉換器同步降壓、升降壓拓撲電子煙、無線充 MOSFET 驅動器電源電壓工作范圍為 4.5V
2022-01-12 13:39:25
`羅姆低門驅動電壓MOSFET具有0.9伏至10伏的寬驅動類型。 這種廣泛的驅動器類型范圍支持從小信號到高功率的各種應用。 這些MOSFET具有與微型封裝（0604尺寸）一樣小的尺寸選擇。 各種大小
2021-02-02 09:55:16
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進行替換時，還需要探討柵極驅動器電路。與Si-MOSFET的區別：內部柵極電阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的內部柵極電阻Rg依賴于柵電極材料的薄層電阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
反向保護連接集成先進功率MOSFET相當于44米′DS(ON)·Dfn1X1x0.37-4包·低過充釋放電壓·超溫保護·過充電流保護0.4A兩步過流檢測：-過充電流0.4A-負載短路·充電器檢測功能
2021-04-10 17:15:51
?電池壽命。<p>·電池反向保護連接·集成先進功率MOSFET相當于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·過充釋放電壓低·過熱保護·過度充電電流保護·兩步過電
2019-08-24 10:30:38
?電池壽命。 ·電池反向保護連接·集成先進功率MOSFET相當于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·過充釋放電壓低·過熱保護·過度充電電流保護·兩步過電流檢測:過量放電電流負載短路
2019-08-24 09:36:42
`深圳市展嶸電子有限公司朱一鳴 手機號碼：***QQ：1275294458XB6091全網超小封裝DFN1X1封裝之一，耳機二合一保護IC專用XB6091ISC產品是一個高鋰的集成解決方案?離子
2019-05-05 19:42:04
DFN1X1x0.37-4包裝，只有一個外部組件使其成為理想的組件解決方案在有限的空間電池包。XB6091ISC具有所有的保護功能要求在電池應用中包括過度充電、過放電、過電流以及負載短路保護等準確的超充電檢測電壓
2018-11-01 19:06:21
長時間使用的信息設備?電池壽命。·電池反向保護連接·集成先進功率MOSFET相當于60m?RSS(上)·DFN1X1x0.37-4包·過充釋放電壓低·過熱保護·過度充電電流保護·兩步過電流檢測:過量
2019-08-29 09:13:50
一種傳統平面式高壓MOSFET的簡單結構。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實現較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸
2017-08-09 17:45:55
揚杰電子，代工DFN,QFN,不分單，有需求聯系：QQ67217217
2015-07-21 13:34:27
揚杰電子，代工DFN,QFN,不分單，有需求聯系：QQ67217217
2015-07-21 13:29:59
超小尺寸寬帶頻率源，低相噪保證，可內外置晶振，唯一的區別在于腔體的高度增加兩毫米。可靠地質量。仁健微波，頻率源專家。{:12:}
2013-07-11 09:58:40
長期供應泰德IC MOSFET產品：[tr=transparent]針對快充應用 全系列的MOSFET [/tr] [tr=transparent]PartNumberpackagecfgBv(v
2018-06-07 16:51:22
電機驅動市場特別是家電市場對系統的能效、尺寸和穩健性的要求越來越高。 為滿足市場需求，意法半導體針對不同的工況提供多種功率開關技術，例如， IGBT和最新的超結功率MOSFET。 本文在實際
2018-11-20 10:52:44
幾乎所有的設備都有印刷電路板。然而，并不是每個設備都有相同的大小。例如，與電視相比，智能手機需要非常小的PCB。與重型機械相比，電視機需要更小的PCB。因此，這些尺寸在電路中起著至關重要的作用。設計人員必須根據設備尺寸來設計印刷電路板。而我們如何選擇這些電子印刷電路板的尺寸呢？
2023-04-14 15:17:35
封裝技術的優勢，進一步推進了小信號MOSFET的微型化。 亞芯片級封裝 XLLGA封裝在封裝底部提供可焊接的金屬觸點（類似于DFN型封裝），采用創新的內部設計，使整體封裝尺寸小于任何類似芯片級封裝
2018-09-29 16:50:56
電子煙充電管理芯片 DFN-8 有那種類型可以選擇
2016-07-23 12:52:06
：介于平面和超結型結構中間的類型超級結結構是高壓MOSFET技術的重大發展并具有顯著優點，其RDS(on)、柵極容值和輸出電荷以及管芯尺寸同時得到降低。為充分利用這些快速和高效器件，設計工程師需要非常注意
2018-10-17 16:43:26
PW2601是一種充電器前端集成電路，旨在為鋰離子提供保護電池充電電路故障。該設備監測輸入電壓，電池電壓以及充電電流，以確保所有三個參數都在正常范圍內工作。這個該設備將關閉內部MOSFET斷開，以
2021-01-25 17:46:48
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-19 09:43 編輯
針對快充應用設計需要的3 mΩ、5 mΩ、10 mΩ，DFN33和DFN56封裝的MOSFET，推出全系列的MOSFET
2018-06-15 17:28:34
東風DFN-15A DFN-20A DFN-25A充油式電暖器電路圖
2009-06-06 16:24:59629 
Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節省一半以上的占板空間
2011-05-31 09:31:183330 Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為 -25V的P通道器
2012-05-03 10:08:401838 日前，集設計，開發和全球銷售的功率半導體供應商AOS半導體有限公司（AOS），發布了具有行業領先標準的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。
2012-05-28 11:30:242463 Vishay發布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET? Gen IV技術的新款30V非對稱雙片TrenchFET 功率MOSFET
2014-02-10 15:16:51890 MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON)，外形尺寸為1mm2或小于0.7mm2，開啟電壓低至1.2V
2015-06-19 17:07:561040 有些電子系統受制于PCB的尺寸和內部的高度，如通信系統的模塊電源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封裝；在有些ACDC的電源中，使用超薄設計或由于外殼的限制，裝配時TO220封裝
2020-01-28 15:17:006671 
半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產品。
2020-05-09 11:07:263164 AOI檢測等優點的DFN（分立式扁平無引腳）封裝，涵蓋Nexperia的所有產品組合，包括開關、肖特基、齊納和保護二極管、雙極結晶體管（BJT）、N溝道及P溝道MOSFET、配電阻晶體管和LED驅動器。
2020-06-29 15:09:052666 DN466 - 熱插拔控制器、MOSFET 和檢測電阻器集成在一個 5mm x 3mm DFN 封裝中，以在緊湊狹小的空間提供 準確的電流限制和負載電流監視
2021-03-18 21:25:58
5 DFN封裝，相對來說，是一種比較新的表面貼裝封裝工藝。在ESD二極管產品中，DFN封裝很常見，具體封裝有：DFN-2L、DFN-3L、DFN-6L、DFN-8L、DFN-10L、DFN
2021-08-16 17:12:352684 Nexperia今天宣布，其位于德州達拉斯的全新設計中心正式啟動。值此成為獨立實體五周年之際，這一舉措標志Nexperia朝著2030年成為全球基礎半導體領軍企業的既定目標又邁出了重要的一步。
2022-03-25 09:13:241015 
基本半導體專家Nexperia今天宣布為其 MOSFET 器件發布新的增強型電熱模型。半導體制造商通常會為其 MOSFET 提供仿真模型，但這些模型通常只包含在典型工作溫度下建模的有限數量的器件參數
2022-03-28 09:56:054259 Nexperia全新POWER MOSFET工程師設計指南 認識理解功率 MOSFET 數據手冊中的參數 功率 MOSFET 單次和重復雪崩強度限值 RC 熱阻模型的使用 基于 LFPAK 封裝的 MOSFET 熱設
2022-04-07 11:40:220 基礎半導體元器件領域的高產能生產專家Nexperia(安世半導體)今日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數。Nexperia的全新先進模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數。
2022-09-21 00:08:34704 __[導讀]__Nexperia 是基本半導體領域的專家，最近宣布其最新產品添加到越來越多的分立器件中，該器件采用具有側面可濕性側面 (SWF) 的無引線 DFN 封裝。這些節省空間且堅固耐用的組件
2022-09-27 11:53:231092 設備。 ? 多年來，Nexperia致力于將成熟的MOSFET專業知識和廣泛的應用經驗結合起來，增強器件中關鍵MOSFET的
2022-11-18 10:32:58399 
的安全工作區（SOA）性能與超低的 RDS(on)相結合，非常適合用于 12V 熱插拔應用，包括數據中心服務器和通信設備。? 多年來，Nexperia（安世半導體）致力于將成熟的 MOSFET 專業知識和廣泛的應用經驗結合起來，增強器件中關鍵 MOSFET 的性能，滿足特定應用的要求，以打造市場領先的
2022-11-21 16:11:38646 雖然尺寸至關重要，但在許多方面，Nexperia的DFN0603 MOSFET的真正優勢在于其RDSon。提供額定 VGS 為 4.5 V 的選項，典型 RDSon 低至 122 mΩ。在某些
2023-02-03 10:39:55298 
針對空間非常緊湊的功率MOSFET應用而言，3x3封裝是理想的尺寸。因此，在Nexperia的MOSFET產品序列中，采用了非常可靠的高性能LFPAK33封裝。Nexperia開發了MLPAK33，它是一款功率MOSFET封裝，與業界聞名的DFN3333封裝保持管腳兼容性，提供給客戶另外一個選項。
2023-02-08 09:18:00243 盡管DFN封裝的尺寸非常緊湊，但它具有出色的功耗能力。然而， 使用具有低熱阻和足夠導熱性的 PCB 是強制性的，以允許適當的橫向散熱.圖2中的紅外圖片顯示了高功率密度，顯示了SOT23
2023-02-08 09:45:381925 
Nexperia 文檔白皮書 RET 設備 2021-Nexperia_document_wh...
2023-02-08 19:15:040 自動焊接在電子元件如何在PCB上工作方面起著至關重要的作用。一般來說，有兩種主要技術：表面貼裝封裝的回流焊和通孔或雙列直插式封裝的波峰焊。Nexperia創建了DFN波峰焊評估項目，以確定波峰焊工藝對于某些分立式扁平無鉛（DFN）封裝是否可行。
2023-02-09 09:50:091014 用于功率 MOSFET 的 SPICE 和 VHDL-AMS 中的 Nexperia 精密電熱模型-AN90034
2023-02-09 21:43:380 對于移動和便攜式產品應用中，尤其是可穿戴設備來說，準則是更精簡、更高效。通過使用高效的開關選項，設計者可以擁有更多空間來嵌入功能，同時最大限度降低電池消耗。Nexperia新發布的小信號MOSFET采用超小型DFN0606，擁有低導通電阻，能夠節省大量空間
2023-02-10 09:33:31349 
Nexperia邏輯產品組合中的移位寄存器有助于減小使用LED的設計的尺寸和BOM。通過提供I/O擴展，移位寄存器支持使用引腳較少的較便宜的微控制器。
2023-02-10 10:08:13617 
在半橋拓撲中并聯 Nexperia GaN FET-AN90030
2023-02-15 19:06:190 Nexperia 白皮書溝槽肖特基整流器日語-nexperia_whitepaper_...
2023-02-16 19:52:000 MOSFET 和 GaN FET 應用手冊-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1625 NEXPERIA LFPAK 功率 MOSFET 中的最大連續電流-AN90016
2023-02-17 19:38:100 白皮書：DFN 能否成功進行波峰焊？-Nexperia_document_wh...
2023-02-17 19:40:190 可濕性側面-Nexperia_Document_Wh...
2023-02-20 19:03:582 Side-Wettable Flanks 可在無引線 SMD (DFN) 封裝上啟用 AOI-Nexperia_document_wh...
2023-02-20 19:05:261 具有集成 ESD 保護功能的差分通道共模 EMI 濾波器-PCMF2DFN1_PCMF3DFN1
2023-03-03 20:02:550 無需人工計算，參數可隨用戶輸入動態響應 ? 奈梅亨， 2023 年 5 月 11 日： 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數據手冊
2023-05-11 10:12:23300 
在功率MOSFET的數據手冊中會有一個看似復雜的SOA（Safe Operation Area）圖片，這個安全工作區域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲線內才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA圖。
2023-05-15 16:16:311174 
Nexperia | 了解RET的開關特性
2023-05-24 12:16:30450 
日：基礎半導體器件領域的專家 Nexperia（安世半導體）推出了用于自動化安全氣囊應用的專用 MOSFET (ASFET) 新產品組合，重點發布的 BUK9M20-60EL 為單 N 溝道 60 V、13 m
2023-05-29 10:35:11372 Ci24R1小尺寸封裝DFN8/2*2*0.8mm已上市，并提供相應的demo板供客戶測試。（詳詢各銷售網絡）區別兩個封裝的端口順序有調整，但DFN8的性能參數和原有SOP8一樣，在SOP8封裝
2022-03-08 09:43:09619 
通過AEC-Q101認證且可承受的接面溫度高達175°C，強茂P溝道MOSFET是汽車設計工程師理想的選擇，可實現簡化電路而又不犧牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多種封裝。
2023-07-20 15:57:45526 有四個主要元件可滿足電池反向保護，分別是恢復整流二極管、肖特基整流二極管、P 溝道 MOSFET 和 N 溝道 MOSFET。
2023-08-10 14:00:10263 
億件，Nexperia深知自身對保護環境應承擔的社會責任。今年五月，Nexperia發布了其首份可持續發展報告，其中針對公司的環境影響、社會責任、增長目標以及其作為國際行業領導者的重要角色進行了評估。今天，Nexperia自豪地宣布其實現碳中和的預期目標，同時秉持公開透明的原則
2023-09-21 09:10:15165 
電子發燒友網站提供《MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:081 意識到自己對環境的責任。Nexperia于今年5月發布了首份《可持續發展報告》，審查了該公司對環境的影響、對社會責任的承諾、未來增長計劃以及作為全球工業部門主要參與者的地位。Nexperia很高興以公開和負責任的方式宣布其對碳中和的承諾。 Nexperia致力于到2035年實現其
2023-10-13 17:13:34935 ) MOSFET分立產品。Nexperia和三菱電機都是各自行業領域的領軍企業，雙方聯手開發，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。 三菱電機的功率半導體產品有助于客戶在汽車、家用電器、工業設備和牽引電機等眾多領域實現大幅節
2023-11-14 10:06:00101 
Nexperia 適用于 36V 電池系統的特定應用 MOSFET
2023-11-30 11:47:40251 
三菱電機公司宣布將與Nexperia B.V.結成戰略合作伙伴關系，共同為電力電子市場開發硅碳（SiC）功率半導體。三菱電機將利用其廣帶隙半導體技術開發和供應SiC MOSFET芯片，這些芯片將用于Nexperia開發SiC分立器件。
2023-11-30 16:14:09165 
基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 Nexperia（安世半導體）再次在 APEC 上展示產品創新，宣布發布幾款新型 MOSFET，以進一步拓寬其分立開關解決方案的范圍，可用于多個終端市場的各種應用。
2024-02-29 11:44:53225 在追求更長電池壽命和無電池應用趨勢的推動下，全球知名半導體廠商Nexperia（安世半導體）近日發布了一款創新的能量平衡計算器。這款網絡工具專為電池管理工程師設計，旨在通過提供精確的數據支持，幫助
2024-03-11 10:13:3662
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