功率MOSFET管
自1976年開發出功率MOSFET以來，由于半導體工藝技術的發展，它的性能不斷提高：如高壓功率MOSFET其工作電
2009-11-07 09:23:12
1870 安森美半導體創新的ATPAK封裝不僅可使功率MOSFET外形更纖薄，其采用的夾焊技術更可實現達100 A的電流處理能力，極佳的散熱性確保安全性和更高可靠性，且成本與DPAK相當.
2016-08-08 16:58:411812 MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅動功率小、動態范圍大、安全工作區域(SOA)寬等一系列的優點，因此被廣泛的應用于開關電源、電機控制、電動工具
2022-08-23 09:27:541524 今天給兄弟們分享一個infineon的文檔《使用功率MOSFET進行設計，如何避免常見問題和故障模式》，依然是我覺得比較好的。
2023-04-13 16:02:34941 MOSFET是一種常見的電壓型控制器件，具有開關速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅動功率小、動態范圍大、安全工作區域(SOA)寬等一系列的優點，因此被廣泛的應用于開關電源、電機控制、電動工具
2023-05-04 09:43:01735 
今天給大家分享一個infineon的文檔《使用功率MOSFET進行設計，如何避免常見問題和故障模式》。
2023-06-01 09:27:29860 
功率MOSFET在電力電子設備中應用十分廣泛，因其故障而引起的電子設備損壞也比較常見。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，對于MOSFET的進一步推廣應用具有重要意義。
2023-12-04 15:57:241124 
研發及產業化項目、研發中心建設及第三代半導體功率器件研發項目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業，主要產品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
現在能夠提供更高功率、監控操作環境且能相應地適應所處環境。以前，需要高于10-15A電流的應用通常依賴于具有外部MOSFET的控制器，以提供所需功率完成工作。轉換器盡管可讓設計的布局更簡單，使用物料清單
2019-07-31 04:45:11
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅動方式
2021-03-29 07:29:27
速度都是影響電源電路MOSFET性能的重要因素。因此，要想在高功率密度條件下獲得最佳的轉換效率，必須在設計MOSFET過程中，充分考慮封裝、電路板布局(包括互連線)、阻抗和開關速度。F3: 實際上，當
2019-05-13 14:11:31
mosfet的TO220封裝上的背后的鐵片接的是漏極嗎？為什么？
2015-10-25 20:56:23
功率mosfet 在中國IC市場中有很大的市場，2010年預計整個MOSFET的市場收益大于160億。主要的應用使數據處理如： 臺式電腦，筆記本，還有家電，汽車和工業控制。。功率MOSFET 按分裝
2011-03-07 14:30:04
`功率MOSFET入門`
2012-08-15 13:15:18
功率MOSFET怎樣關斷？能否用PWM實現？怎樣實現？
2023-05-08 16:16:27
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數，進而確保持續提升系統效率和功率密度。分析顯示，在研發功率
2019-07-04 06:22:42
能力的快照。本網上廣播將提供功率MOSFET數據表概覽，和闡明具體的數據表參數和定義。 功率MOSFET有各種各樣的尺寸、配置和封裝，取決于目標應用的需求。功率MOSFET的尺寸從行業最小的封裝
2018-10-18 09:13:03
書的目的是對功率MOSFET的復雜行為和有時困惑的地方提供一些啟示，也向工程師提供一些必要信息來解決常見問題以及避免潛在問題發生。
2019-03-01 15:37:55
使用功率 MOSFET 也有兩年多時間了，這方面的技術文章看了不少，但實際應用選型方面的文章不是很多。在此，根據學到的理論知識和實際經驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級的器件。
2021-04-23 07:04:52
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計算 同步整流器的功耗如何計算
2021-03-11 07:32:50
功率MOSFET的正向導通等效電路（1）：等效電路（2）：說明功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻
2021-09-05 07:00:00
一、功率MOSFET的正向導通等效電路1）等效電路：2）說明：功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻
2021-08-29 18:34:54
功率MOSFET的高效熱管理
2019-02-03 21:16:30
MOSFET和開關頻率不太高的中壓功率MOSFET。如果需要低的導通電阻，只有增大的晶片面積，晶片的面積受到封裝尺寸的限制，因此不適合于一些高功率密度的應用。平面型高壓的功率MOSFET管的耐壓主要通過厚的低
2016-10-10 10:58:30
`功率Mosfet參數介紹V(BR)DSS（有時候叫做BVDSS）是指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達到一個特定值時的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿電壓。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
的干擾，另外，應避免引線電感引起的柵極（MOSFET/IGBT）電路 振蕩。 布局基本原則：a. 控制電路部分盡量遠離功率輸出部分和驅動電路的輸出端，尤其是其模擬部分。 b. 驅動電路信號輸入部分盡量遠離
2013-01-29 10:39:56
電流變化速率dId/dt可以求解為： 從等式（2）和（3）可知，源極電感可以減慢開關瞬態，加劇開關過程中的有關能耗。在傳統的TO247 MOSFET配置中，電路源極電感是MOSFET封裝源電感Ls1
2018-10-08 15:19:33
一些常見的阻容封裝尺寸相關圖片，供大家參考
2015-08-26 20:41:13
。 ADP2386是一款同步降壓DC-DC穩壓器，集成44 mohm高側功率MOSFET和11 mohm同步整流MOSFET，采用緊湊的4 mm×4 mm LFCSP封裝，提供高效率解決方案
2019-08-12 07:38:58
`Diodes公司繼續擴展其功率MOSFET產品組合，采用新型N和P通道器件，擊穿電壓高達450V，并提供多種封裝選擇。 Diodes Inc. MOSFET產品系列非常適合各種應用，包括DC-DC
2019-05-13 11:07:19
IPS5451是美國國家半導體公司生產的一款高壓側功率MOSFET開關，它為單列5腳封裝，工作電壓50V，電流35A，Rds(on) 25m歐姆。
2021-04-23 07:32:01
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電
2010-05-06 08:55:20
LLC諧振變換器中常見MOSFET失效模式有哪幾種?怎么解決？
2021-09-18 07:30:41
) MOSFET功率模塊的極低電感封裝 這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產品系列 而開發，經設計提供適用于SiC MOSFET技術的2.9 nH雜散電感，同時實現高電流、高開關頻率以及高效率。美高森美將在德國
2018-10-23 16:22:24
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
阻。此外，若給定了導通電阻，則需要一個更大的晶圓來實現，但是這會增加柵極電荷，導致降低器件的開關速度。 圖4圖4顯示的是，在最常見的低壓MOSFET中，封裝電阻占晶圓尺寸最大的器件的總電阻的比例。若要
2018-12-07 10:21:41
常見EDA文件格式的轉換，理解封裝庫設計。能用常規CAM工具對Gerber文件進行檢查。另外還必須掌握至少一種阻抗計算工具，熟悉操作系統，能進行常用EDA軟件的安裝與配置。能看懂主流CAD格式的機械圖
2018-11-27 14:57:26
RF 功率 MOSFET的最大應用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現改變了這一
2019-07-08 08:28:02
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結構。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻，近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅動，從而也可以實現無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優勢在于芯片面積?。蓪崿F小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
極管腳，我們將它稱為輔助源極或者開爾文管腳KS（Kelvin Source）。同時，這種封裝形式將驅動回路和主功率回路解耦開，有利于驅動板的布局設計。 下面，我們先從實戰數據的角度來感受一下
2023-02-27 16:14:19
`<p><font face="Verdana">功率MOSFET管<br/>
2010-08-12 13:58:43
零件封裝是指實際零件焊接到電路板時所指示外觀和焊點位置。只要畫PCB就必須要涉及到元器件的封裝，掌握一些protel元件常見封裝是畫PCB板的基本功。不同元件可共用同一零件封裝，同種元件也可有
2009-08-18 23:08:49
在理解功率MOSFET的VTH的特性之前，先看一個在實際客戶產品應用中遇到的問題，了解這個不起眼的、卻有些獨特的VTH對系統設計的影響。例：國內某通訊公司，做了一批基站系統，出口到俄羅斯，7、8份
2019-08-08 21:40:31
常見的PCB布局方面的問題和困惑優秀的PCB元件布局原則精巧PCB元件布局的案例分享
2021-03-17 07:13:06
關于汽車電子功率MOSFET技術，總結的太棒了
2021-05-14 06:13:01
的封裝內采用更高性能的MOSFET，業內的一個趨勢是從SO-8等標準引線封裝向帶有底面漏極焊盤的功率封裝轉變。對于大電流應用，常用的是功率6mmx 5mm封裝，例如PowerPAK? SO-8。但對
2013-12-23 11:55:35
背靠背的功率MOSFET，使用N溝道需要控制芯片內部集成驅動的充電泵，使用P溝道可以直接驅動。2、選取封裝類型功率MOSFET的溝道類型確定后，第二步就要確定封裝，封裝選取原則有：（1）溫升和熱
2019-04-04 06:30:00
單片機常見的封裝形式有哪些？有沒有了解的朋友，麻煩分享下，謝啦
2022-11-02 21:36:29
功率MOSFET的電流感知有哪幾種方法？SenseFET方法檢測電流的工作原理是什么？影響電流檢測準確性的原因有哪些？
2021-04-21 07:16:38
功率MOSFET是便攜式設備中大功率開關電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過
2021-01-11 16:14:25
使用功率 MOSFET 也有兩年多時間了，這方面的技術文章看了不少，但實際應用選型方面的文章不是很多。在此，根據學到的理論知識和實際經驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
獨創的小型大功率封裝，是低導通電阻的元器件。這種產品從2007年4月開始逐步供應樣品；預定從2007年8月開始以月產300萬個的規模大量生產。生產過程的芯片工序在ROHM筑波株式會社（茨城縣）進行；包裝
2018-08-24 16:56:26
導讀：近日，德州儀器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產品
2018-11-29 17:13:53
。產品特色特性集成了控制器、高壓端和低壓端柵極驅動以及高壓功率MOSFET的LLC半橋功率級可最多省去30個外圍元件降低裝配成本并減小PCB布局的環路面積最高工作頻率為1 MHz大幅降低磁芯尺寸并允許
2019-03-07 14:39:44
多個過孔，使FET與輸入引腳Vin或接地層連接。電路板上任何未用區域必須灌注銅?？傊?，封裝阻抗、PCB布局、互連線寄生效應和開關速度都是影響電源電路MOSFET性能的重要因素。因此，要想在高功率
2011-08-18 14:08:45
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅動更高功率得益于半導體和封裝技術的進步。一種采用頂部散熱標準封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
功率MOSFET來說，通常連續漏極電流是一個計算值。當器件的封裝和芯片的大小一定時，如對于底部有裸露銅皮的封裝TO220，D2PAK，DFN5*6，DPAK等，那么器件的結到裸露銅皮的熱阻RqJC是一
2016-08-15 14:31:59
TrenchFET? IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產品。與TrenchFET III相比，TrenchFET IV的導通電阻(RDS(ON))和柵極電荷(QG, QGD
2013-12-31 11:45:20
所需的功率。在正常工作期間，耗盡型 MOSFET 由于其低靜態電流而消耗的功率最小。這種方法的主要優點是理論上啟動序列后的功耗為零，從而提高了整體效率。此外，它在PCB上占用的面積更小，可實現寬輸入
2023-02-21 15:46:31
請問：驅動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
功率MOSFET
2009-09-23 19:35:06
36 功率MOSFET的基本知識
2006-04-16 23:34:422032 
MOSFET將封裝面積減半-Zetex新款無鉛型Zetex 新款無鉛型 MOSFET 將占位面積減半模擬信號處理及功率管理方案供應商Zetex Semiconductors (捷特科)公司推出其
2008-03-22 14:46:02484 功率MOSFET并聯均流問題研究
對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯均流問題進行了研究，詳細分析了影響功率MOSFET并聯均流諸因素。通過Q軌跡把器件參
2009-06-30 13:38:073401 
功率MOSFET雪崩擊穿問題分析
摘要：分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因，以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關系。和傳統的
2009-07-06 13:49:385513 
小信號應用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節約更多
2009-12-31 09:59:441421 TI推出通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產品系列。相對
2010-01-22 09:40:49932 創新封裝將功率MOSFET散熱效率提升80%
德州儀器 (TI) 公司采用創新的封裝技術，面向高電流DC/DC應用，推出5款目前業界首個采用封裝頂部散熱的標
2010-03-01 11:37:22828 
基于功率MOSFET設計考量
用作功率開關的MOSFET
隨著數十年來器件設計的不斷優化，功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓撲和電源效率的提升。功率器件從電流驅
2010-04-24 11:44:421237 
用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間
2010-05-12 18:17:18951 本內容提供了兩種常見的MOSFET驅動電路
2011-09-23 10:03:5922186 
英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451013 日前，集設計，開發和全球銷售的功率半導體供應商AOS半導體有限公司（AOS），發布了具有行業領先標準的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。
2012-05-28 11:30:242463 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見的mosfet驅動電路設計，功率mosfet驅動電路原理圖。
2016-08-04 18:15:3534307 
MCP87130 是采用常見的 PDFN 5 mm x 6 mm 封裝和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封裝的 N 溝道功率 MOSFET。
MCP87130 利用先進的封裝和硅片
2018-06-29 11:23:002 MCP87090 是采用常見的 PDFN 5 mm x 6 mm 封裝和
PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封裝的 N 溝道功率 MOSFET。
MCP87090 利用先進的封裝和硅片
2018-07-02 10:23:0010 MCP87055 器件是采用常見的 PDFN 3.3 mm x 3.3 mm
封裝的 N 溝道功率 MOSFET。先進的封裝和硅片加工技
術使 MCP87055 可以在給定 RDS
2018-06-29 10:24:005 電壓、大電流及低功率損耗方面提供極佳性能。它們在高速、高頻工作方面極為出色。功率MSOFET廣泛用于開關穩壓器，如AC-DC或DC-DC轉換器及電機控制器。這視頻討論功率MOSFET，特別是安森美半導體先進的纖薄ATPAK封裝功率MOSFET。
2019-03-06 06:05:003591 
電源系統中的恒定電流源，固態繼電器，電信開關和高壓直流線路等應用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:587444 
功率MOSFET帶負載功率能力的評估
2022-07-26 17:43:441860 
功率MOSFET是專門針對解決高功率電流和電壓的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)，同樣是功率半導體中的一種。與其它功率半導體相比較，功率MOSFET具備電源開關速度快、低壓效率高的優勢
2022-08-16 14:30:56791 功率 MOSFET 是最常見的功率半導體，主要原因是因為其柵極驅動需要的功率小、以及快速的切換速度，使其成為電機驅動時最常用的功率半導體。本文將為您簡介功率 MOSFET 的技術特性，以及由安森美（onsemi）推出的NTBLS1D5N10MC功率MOSFET的產品特性。
2022-09-27 15:17:561407 
Vishay?七款新型二極管和 MOSFET 功率模塊 靈活的器件采用 PressFit 引腳壓合技術 在小型封裝中內置各種電路配置 Vishay? 針對車載充電應用專門推出七款新型二極管
2022-11-25 15:20:05926 功率MOSFET是較常使用的一類功率器件?！?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET”是英文MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管
2023-02-15 15:47:36426 比較慢，特別是使用PFC的電感繞組給PFC控制芯片供電的情況，會導致功率MOSFET管的驅動在起動的過程中，由于驅動電壓不足，容易進入線性區工作，功率MOSFET反復不斷的進入線性區工作，工作一段時間后，就會形成局部熱點而損壞。
2023-02-16 10:58:19531 
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應用優化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39988 
及產業化項目、研發中心建設及第三代半導體功率器件研發項目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發、設計、封裝測試、銷售為主的半導體企業，主要產品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02522 
產品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34886 
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術需求
2、車規級功率模塊封裝的現狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
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