在未來十年，受電源、光伏（PV）逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體
2013-04-26 10:10:04
1532 工程師對電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當從基于硅的芯片過渡到碳化硅或寬帶隙器件時，需要多加注意。 芯片顯示，基于硅（Si）的半導體比寬帶隙（WBG）半導體具有十多年的領先優勢，主要是碳化硅
2021-04-06 17:50:533168 
(電子發燒友網報道 文/章鷹)近日，著名調研機構Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導體報告》顯示，在混合動力及電動汽車、電源和光伏逆變器需求的拉動下，碳化硅（SiC）和氮化
2020-11-18 09:40:576941 功率轉換器中使用的半導體開關技術是改進的關鍵，而使用碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 的新型寬帶隙（WBG） 類型有望取得重大進展。讓我們詳細研究一下這些優勢。
2022-07-29 08:07:58246 
第三代半導體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是近幾年新興的功率半導體，相比于傳統的硅（Si）基功率半導體，氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度，更高的臨界場強，使得基于這兩種材料制作的功率半導體具有
2023-01-06 15:26:41613 
超結（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商業化用于功率器件應用領域以來，在400–900V功率轉換電壓范圍內取得了巨大成功。參考寬帶隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件，我們將在本文中重點介紹其一些性能特性和應用空間。
2023-06-08 09:33:241389 
電子發燒友網報道（文/莫婷婷）在綠色低碳的發展背景下，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體成為市場的焦點和話題。根據市場調研機構Yole的預測，到2025年全球以半絕緣型襯底制備
2023-08-11 00:11:001484 基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始在各種創新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器
2019-07-31 06:16:52
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
范圍的高性能硅方案，也處于實現寬禁帶的前沿，具備全面的寬禁帶陣容，產品涵蓋碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)分立器件、模塊乃至圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態系統，為設計人員提供針對不同應用需求的更多的選擇。
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，寬禁帶，以下簡稱為：WBG）”以及基于新型材料的電力半導體，其研究開發技術備受矚目。根據日本環保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
具有7A直流和脈沖電流能力，已為高功率材 料、器件和模塊特性分析和測試而優化，如碳化硅 (SiC)、 氮化鎵(GaN)、DC-DC轉換器、功率MOSFET、太陽電池 和面板、LED與照明系統、電化學
2019-05-30 14:42:53
地學習、更智能地工作和更輕松地發明。2470 具有 1100V 和 10fA 的能力，經過優化，可用于表征和測試高壓、低泄漏器件、材料和模塊，例如碳化硅 (SiC)、氮化鎵 (GaN)、功率 MOSFET
2022-03-02 15:00:33
碳化硅 (SiC)、氮化鎵(GaN)、DC-DC轉換器、功率MOSFET、太陽電池和面板、LED與照明系統、電化學電池與電池組，等等。這些新的能力加上企業數十年開發高精密、高精度源測量單元（SMU）儀器
2018-11-17 18:45:16
安森美半導體已成為主要汽車半導體技術的一個全球領袖。 安森美半導體是自動駕駛系統的圖像傳感器、電源管理和互通互聯領域的一個公認的佼佼者。此外，公司的廣泛電源方案組合，包括模塊和碳化硅（SiC）/氮化鎵
2018-10-11 14:33:43
下一代電源半導體的方案陣容，包括針對汽車功能電子化的寬禁帶WBG（碳化硅SiC和氮化鎵GaN）、全系列電子保險絲eFuse以減少線束、和免電池的智能無源傳感器以在汽車感測/車身應用中增添功能。
2018-10-25 08:53:48
，從而支持每次充電能續航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現這一目標。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
范圍的高性能硅方案，也處于實現寬禁帶的前沿，具備全面的寬禁帶陣容，產品涵蓋碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)分立器件、模塊乃至圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態系統，為設計人員提供針對不同應用需求的更多的選擇。
2019-07-31 08:33:30
，而且實現學習曲線最小化，幫助工 程師和科學家更迅速學習、更聰明工作、更容易發明。 2460型儀器具有7A直流和脈沖電流能力，已為高功率材 料、器件和模塊特性分析和測試而優化，如碳化硅 (SiC
2021-09-27 14:34:33
之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導體供應商，提供廣泛的高能效和高可靠性的系統方案，并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等進行新產品開發，用于汽車功能電子化和HEV/EV應用。
2019-07-23 07:30:07
，是氮化鎵功率芯片發展的關鍵人物。
首席技術官 Dan Kinzer在他長達 30 年的職業生涯中，長期擔任副總裁及更高級別的管理職位，并領導研發工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
）與電容式觸摸屏技術，讓您可直觀地執行測試、減少學習曲線，以協助工程師和科學家能「快速掌握，靈活操作，輕松創新」。2460擁有 7A 直流和脈沖電流能力，并針對如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、直流
2021-08-11 11:28:51
全球八大LED制造商簡介
1,CREE著名LED芯片制造商，美國CREE公司，產品以碳化硅(SiC)，氮化鎵(GaN),硅(Si)及相關的化合物為基礎,
2009-11-13 09:31:282389 安森美半導體作為汽車功能電子化的領袖之一和全球第二大功率分立器件和模塊半導體供應商，提供廣泛的高能效和高可靠性的系統方案，并采用新型的寬禁帶材料如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等進行新產品開發，用于汽車功能電子化和HEV/EV應用。
2017-09-18 18:42:50
3 5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元，而GaN基板產值僅約3百萬美元。
2018-03-29 18:48:001589 
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元，而GaN基板產值僅約3百萬美元。
2018-03-29 14:56:1235825 
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計，2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元，而GaN基板產值僅約3百萬美元。
2018-03-29 14:52:507478 
雖然以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) 為代表的寬禁帶半導體材料由于面臨專利、成本等問題放緩了擴張的步伐，但世易時移，新興市場為其應用加速增添了新動能。
2018-07-19 09:47:205129 行業標準的收緊和政府法規的改變是提高產品能效的關鍵推動因素。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎，具有比硅更佳的特性和性能。
2018-07-21 08:04:515860 寬禁帶功率半導體的研發與應用日益受到重視，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉化能力、優良的高頻功率特性、高溫性能穩定和低能量損耗等優勢，成為支撐信息、能源、交通、先進制造、國防等領域發展的重點新材料。
2018-08-06 11:55:008001 寬禁帶功率半導體的研發與應用日益受到重視，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉化能力、優良的高頻功率特性、高溫性能穩定和低能量損耗等優勢，成為支撐信息、能源、交通、先進制造、國防等領域發展的重點新材料。
2018-08-09 16:59:444664 基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關技術的出現促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統系統。
2018-10-04 09:03:004753 
新興市場碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體預計將在2020年達到近10億美元，推動力來自混合動力及電動汽車、電力和光伏（PV）逆變器等方面的需求。
2018-11-02 15:12:233544 基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關技術的出現促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術的傳統系統。
2019-01-05 09:01:093767 
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體的新型高效率、超快速功率轉換器已經開始在各種創新市場和應用領域攻城略地——這類應用包括太陽能光伏逆變器、能源存儲、車輛電氣化（如充電器和牽引電機逆變器）。
2019-06-13 11:45:003995 第三代半導體，又稱寬禁帶半導體，是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的半導體材料，具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317739 的尺寸上忍耐高得多的運行溫度，也激發了新型應用的出現。目前流行的WBG應用材料是碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。
2019-08-28 12:31:068446 
智能化依托能效化，英飛凌在功率領域不斷創新，已成功量產最新一代氮化鎵功率產品，突破更高的功率轉化效率，致力于探索當前半導體材料無法企及的應用領域。至此，英飛凌成為了市場上唯一一家提供覆蓋硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的全系列功率產品的公司，為業界樹立了下一代功率半導體的創新標桿！
2019-09-23 16:44:291016 日前，華為旗下哈勃投資入股山東天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料再次走入大眾視野，引起業界重點關注。
2019-09-05 15:57:046423 5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯網化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。2018年全球SiC基板產值將達1.8億美元，而GaN基板產值
2020-03-15 09:56:574129 集微網消息，現如今是人工智能、無人駕駛汽車、5G等高新技術的發展浪潮，在汽車電子、5G基站和智能芯片的推動下，第三代半導體材料（尤其是碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)）的發展異常迅猛。
2020-03-01 18:36:104478 
以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表第三代半導體材料越來越受到市場重視，半導體企業正在競相加速布局。日前，意法半導體宣布已簽署收購法國氮化鎵創新企業Exagan公司的多數股權的并購協議。
2020-03-10 11:22:192670 第三代半導體包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料，可廣泛應用于發光、通訊、電能變換等領域。而近日，華燦光電就獲批浙江省第三代半導體材料與器件重點實驗室，將致力于第三代半導體材料和器件等領域的研究。
2020-04-08 16:24:393413 第一代材料是硅（Si），大家通俗理解的硅谷，就是第一代半導體的產業園。
第二代材料是砷化鎵（GaAs），為4G時代而生，目前的大部分通信設備的材料。
第三代材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶的半導體材料，是未來5G時代的標配
2020-09-04 19:07:147242 
文章來源：電子技術設計 作者：廖均 電力電子朝向碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙（WBG）材料發展，雖然硅仍然占據市場主流，但SiC與GaN器件很快就會催生新一代更高效的技術解決方案
2020-10-16 10:47:4715688 
電力電子朝向碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙（WBG）材料發展，雖然硅仍然占據市場主流，但SiC與GaN器件很快就會催生新一代更高效的技術解決方案。
2020-10-17 11:01:068239 第三代半導體主要是指碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料。相比于第一、二代半導體，第三代半導體具有更高的禁帶寬度、高擊穿電壓、電導率和熱導率等特點。它在新能源車、光伏風電、不間斷電源、家電工控等領域有廣闊的應用前景。
2020-12-10 11:00:562053 以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的的第三代半導體材料主要用于電力電子、微波射頻和光電子器件的制造。其中，電力電子器件主要應用于消費類或工業、商業電源的制造，未來隨著新能源汽車的廣泛應用
2021-01-04 15:25:213398 
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN） ? ? 眾所周知，硅元素因其獨特的穩定性成為功率MOS中最常用的材料。然而隨著半導體材料的不斷發展，越來越多的化合物半導體材料走上歷史舞臺。近年來，碳化硅（SiC
2021-06-04 18:21:233224 
眾所周知，與硅相比，碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 等寬帶隙 （WBG） 半導體可提供卓越的性能。這些包括更高的效率、更高的開關頻率、更高的工作溫度和更高的工作電壓。
2022-04-22 17:07:541636 
在物理性能方面，AIN比碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有更小的損耗和更高的耐壓，因此可以形成高壓高效的電源電路。AlN具有6.0eV的“帶隙”，即導帶和價帶之間的能量差，與硅(Si
2022-04-26 11:09:482012 對更高效電子產品的追求集中在功率器件上，而半導體材料處于研發活動的前沿。硅的低成本和廣泛的可用性使其在多年前取代鍺成為主要的功率半導體材料。然而，今天，硅正在將其在功率器件中的主導地位讓給兩種效率更高的替代品：碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)。
2022-07-27 09:08:23978 
使用寬帶隙半導體的技術可以滿足當今行業所需的所有需求。顧名思義，它們具有更大的帶隙，因此各種電子設備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 是最近推出的寬帶
2022-07-29 08:06:461389 
半導體材料從以鍺（Ge）和硅（Si）為代表的第一代到以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表的第二代，再到目前熱門的以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代，家族在不斷壯大。而在汽車領域，碳化硅將發揮怎樣的重要作用？
2022-07-29 10:32:411496 近年來，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙（WBG）半導體受到了廣泛關注。這兩種化合物都可以承受比硅更高的頻率、更高的電壓和更復雜的電子產品。SiC 和 GaN 功率器件的采用現在是不可否認
2022-08-05 14:51:33751 
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)等寬帶隙材料由于其電氣特性已被證明優于硅，因此在電力電子應用中占據領先地位。盡管被廣泛接受，專家們仍不斷檢查其真實性。
2022-08-08 09:28:321331 
隨著直流電流隨著電動汽車和混合動力汽車等應用中開關頻率的增加而增加，對直流電源總線的性能要求不僅僅是 IR 降（即電壓降）和熱考慮。由于設計需求和以碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 開關為代表的寬帶隙器件 (WBG) 的使用增加，該總線現在必須在數百千赫茲的更高頻率下具有非常低的電感。
2022-08-08 09:52:04342 
碳化硅技術有望為更智能的電源設計提供更高的效率、更小的外形尺寸、更低的成本和更低的冷卻要求。 寬帶隙 (WBG) 半導體技術在電力電子行業中的廣泛采用持續增長。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN
2022-08-08 09:52:41256 
寬帶隙 （WBG） 半導體技術的廣泛采用在電力電子行業中持續增長。與傳統硅技術相比，碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） 半導體材料顯示出優異的性能，允許功率器件在高壓下工作，尤其是在高溫和開關頻率下。電力電子系統的設計人員正在努力充分利用 GaN 和 SiC 器件。
2022-08-17 14:43:02313 隨著 SiC MOSFET 等新型功率晶體管越來越多地用于電力電子系統，使用特殊的驅動器已成為必要。通過提供對 IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，隔離式柵極驅動器專為碳化硅 (SiC) 和氮化
2022-08-10 15:22:11813 
在電力電子應用中，為了滿足更高能效和更高開關頻率的要求，功率密度正在成為關鍵的指標之一。基于硅（Si）的技術日趨接近發展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導體材料也在從第一代的硅基材料發展到第二代的砷化鎵后，正式開啟了第三代寬禁帶技術如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的應用之門。
2022-09-06 15:06:56827 
碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有類似的高寬帶隙能量，從而使它們在開關能力、效率、大功率和高壓處理方面比硅、鍺或砷化鎵等其他半導體更具優勢。
2022-09-21 14:40:36547 ? ? ? 針對要求最嚴苛的功率開關應用的功率分立元件和模塊的封裝趨勢，從而引入改進的半導體器件。即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙類型，將顯著提高功率開關應用的性能，尤其是汽車牽引逆變器
2022-11-16 10:57:40539 
一旦硅開始達不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導體材料浮出水面。與單獨的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復雜的電子產品。這些因素可能導致碳化硅和氮化鎵在整個電子市場上得到更廣泛的采用。
2022-12-13 10:01:358944 S32K39高性能MCU為實現牽引逆變器的智能、高精度控制而進行了優化，可將電動汽車電池的直流電轉換為交流電，驅動現代化牽引電機。該系列MCU既支持傳統的絕緣柵極雙極性晶體管（IGBT），也支持新推出的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）技術。
2022-12-15 15:31:05397 技術的角度，帶您走近碳化硅。 ? 點擊圖片，持續打卡學習！ 工業和汽車是中功率和大功率電子元器件的兩個大市場。隨著諸如IGBT的現有技術與碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等技術相結合，工業、汽車和其他電氣化趨勢正在重塑其應用的
2022-12-20 12:20:06453 第三代半導體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是近幾年新興的功率半導體，相比于傳統的硅（Si）基功率半導體，氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度，更高的臨界場強，使得基于這兩種材料制作的功率半導體具有
2023-01-31 10:28:21627 
在這種情況下，第三代化合物半導體材料——碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料進入了大眾的視線。與前兩代半導體材料相比，寬禁帶半導體材料因其在禁帶寬度和擊穿場強等方面的優勢以及耐高溫、耐腐蝕、抗輻射等特點
2023-02-01 14:39:43392 在這種情況下，第三代化合物半導體材料——碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等材料進入了大眾的視線。與前兩代半導體材料相比，寬禁帶半導體材料因其在禁帶寬度和擊穿場強等方面的優勢以及耐高溫、耐腐蝕、抗輻射等特點
2023-02-03 11:09:461127 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）被稱為“寬帶隙半導體”（WBG）。在帶隙寬度中，硅為1.1eV，SiC為3.3eV，GaN為3.4eV，因此寬帶隙半導體具有更高的擊穿電壓，在某些應用中可以達到1200-1700V。
2023-02-05 14:13:341220 隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉向非常規半導體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對較寬的帶隙（與常用的硅相比），寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長電池壽命，這有助于推動寬帶隙半導體的市場。
2023-02-05 14:25:15676 隨著碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等新材料在二極管、場效應晶體管（MOSFET）和其他元件中的不斷應用，電力電子行業的技術革命已經開始。這些新組件仍然比傳統硅組件昂貴得多，但它們的性能指標，如開關速度和開關損耗，很難與之匹配。
2023-02-05 14:41:092704 第一代半導體材料大部分為目前廣泛使用的高純度硅；第二代化合物半導體材料包括砷化鎵、磷化銦；第三代化合物半導體材料以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表。
2023-02-20 14:10:34509 第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子
密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
2023-02-27 14:49:138 NI宣布收購 SET GmbH(簡稱“SET”)。SET是長期專注于航空航天和國防測試系統開發的專家，也是功率半導體可靠性測試領域的創新者。加入NI后，將共同縮短關鍵的、高度差異化的解決方案的上市時間，并以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等功率電子材料為切入點，加速從半導體到汽車的供應鏈融合。
2023-03-15 17:42:56917 電子器件的使用環境逐漸惡劣，航空航天、石油探測領域前景廣闊，在熱導率、擊穿場等上的要求更高，那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導體材料起到了極大的作用。
2023-03-24 13:58:281323 第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
2023-04-04 14:46:2912686 半導體迄今為止共經歷了三個發展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226176 
功率半導體技術經過 60 余年發展，器件阻斷能力和通態損耗的折衷關系已逐漸逼近硅基材料物理極限，因此寬禁帶材料與器件越來越受到重視，尤其是以碳化硅（SiC）和氮化鎵 (GaN) 為代表的第 3 代半導體材料為大功率半導體技術及器件帶來了新的發展機遇。
2023-05-09 14:27:552717 
「碳化硅」（SiC）和「氮化鎵」（GaN）。寬能隙半導體中的「能隙」（EnergyGap），以白話方式說明，便是代表著（一個單位能量的差距），意思就是讓一個半導體「從絕
2022-11-21 16:07:511525 
第三代半導體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是近幾年新興的功率半導體，相比于傳統的硅（Si）基功率半導體，氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度，更高的臨界場強，使得基于這兩種材料制作的功率半導體具有
2023-03-13 17:42:58495 
具體到三星方面，在今年三月，有報道指出，三星已支出約2,000億韓元（約1.54億美元），準備開始生產碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）半導體，用于電源管理IC，而且計劃采用8吋晶圓來生產這類芯片，跳過多數功率半導體業者著手的入門級6吋晶圓。
2023-06-29 15:03:09440 根據研究和規模化應用的時間先后順序，業內將半導體材料劃分為三代。常見的半導體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料。 第一代半導體材料以硅和鍺等元素半導體為代表。
2023-09-28 12:57:43484 
點擊藍字?關注我們 寬禁帶半導體是指具有寬禁帶能隙的半導體材料，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性，因此具有廣泛應用前景。根據市場調研機構的數據
2023-10-08 19:15:02262 SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產工藝，WBG 設備顯示出以下優點：
2023-10-09 14:24:361332 
近年來，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導體材料成為全球半導體市場熱點之一。
2023-10-16 14:45:06694 設計人員正在尋求先進技術，從基于硅的解決方案轉向使用碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙 (WBG) 材料的功率半導體技術，從而在創新方面邁出下一步。他們尋求用于電動汽車 (EV) 的功率密度更高、效率更高的電路。
2023-11-12 11:30:001163 
清軟微視是清華大學知識產權轉化的高新技術企業，專注于化合物半導體視覺領域量檢測軟件與裝備研發。其自主研發的針對碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的襯底和外延無損檢測裝備Omega系列產品，
2023-12-05 14:54:38767 
碳化硅和氮化鎵的區別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見的寬禁帶半導體材料，在電子、光電和功率電子等領域中具有廣泛的應用前景。雖然它們都是寬禁帶半導體材料，但是碳化硅和氮化鎵在物理性質
2023-12-08 11:28:51741 第二代半導體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導體材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁帶寬度較大，又被 稱為寬禁帶半導體材料。
2024-01-23 10:06:04259 
2月20日，福州市可持續發展暨企業家大會召開，大會進行了重大項目集中簽約儀式，長樂區簽約落地16個重大項目，其中之一為天睿半導體項目。
2024-02-23 10:44:43700 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）這些材料，在特定的應用領域（如高頻、高功率電子器件）中展現出了比硅更好的性能。而石墨烯也可以在某些特定的領域，提供硅難以企及的差異化優勢。
2024-03-18 12:31:2859 
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