隔離驅(qū)動IGBT是一種由隔離變換器和IGBT晶體管組成的電路，它可以將低電壓的控制信號轉(zhuǎn)換為高電壓的控制信號，從而控制IGBT晶體管的開關(guān)。

　　IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保護(hù)以避免欠壓、米勒效應(yīng)、缺失飽和、過載、短路造成的損害。

　　隔離驅(qū)動IGBT的意義在于，它可以將低電壓的控制信號轉(zhuǎn)換為高電壓的控制信號，從而控制IGBT晶體管的開關(guān)，從而實(shí)現(xiàn)高效的電力控制。

　　隔離驅(qū)動IGBT的設(shè)計(jì)技巧主要有：

　　1.選擇合適的隔離變換器，以確保輸出電壓的穩(wěn)定性；

　　2.確保IGBT晶體管的驅(qū)動電流足夠；

　　3.確保IGBT晶體管的驅(qū)動電壓足夠；

　　4.確保IGBT晶體管的驅(qū)動電路的穩(wěn)定性；

　　5.確保IGBT晶體管的驅(qū)動電路的可靠性。

　　隔離驅(qū)動IGBT等功率器件的技巧。

　　如何避免米勒效應(yīng)？

　　IGBT操作時(shí)所面臨的問題之一是米勒效應(yīng)的寄生電容。這種效果是明顯的在0到 15 V類型的門極驅(qū)動器（單電源驅(qū)動器）。門集-電極之間的耦合，在于IGBT關(guān)斷 期間 ， 高dV / dt瞬態(tài)可誘導(dǎo)寄生IGBT道通（門集電壓尖峰），這是潛在的危險(xiǎn)。

　　當(dāng)上半橋的IGBT打開操作，dVCE/ dt電壓變化發(fā)生跨越下半橋的IGBT。電流會流過米勒的寄生電容，門極電阻和內(nèi)部門極驅(qū)動電阻。這將倒至門極電阻電壓的產(chǎn)生。如果這個(gè)電壓超過IGBT門極閾值的電壓，可能會導(dǎo)致寄生IGBT道通。

　　有兩種傳統(tǒng)解決方案。首先是添加門極和發(fā)射極之間的電容。第二個(gè)解決方法是使用負(fù)門極驅(qū)動。第一個(gè)解決方案會造成效率損失。第二個(gè)解決方案所需的額外費(fèi)用為負(fù)電源電壓。

　　解決方案是通過縮短門極 - 發(fā)射極的路徑， 通過使用一個(gè)額外的晶體管在于門極 - 發(fā)射極之間。達(dá)到一定的閾值后，晶體管將短路門極 - 發(fā)射極地區(qū)。這種技術(shù)被稱為有源米勒鉗位， 提供在我們的ACPL-3xxJ產(chǎn)品。

　　欠壓，缺失飽和如何更好的被避免？

　　AVAGO門極驅(qū)動光耦帶有欠壓閉鎖 （UVLO）保護(hù)功能。當(dāng)IGBT故障時(shí)，門極驅(qū)動光耦供電的電壓可能會低于閾值。有了這個(gè)閉鎖保護(hù)功能可以確保IGBT繼續(xù)在低電阻狀態(tài)。

　　智能門極驅(qū)動光耦， HCPL-316J和ACPL-33xJ，附帶DESAT檢測功能。當(dāng)DESAT引腳上的電壓超過約7V的內(nèi)部參考電壓，而IGBT仍然在運(yùn)行中，后約5μs， Fault 引腳改成邏輯低狀態(tài)， 以通知MCU / DSP。

　　在同一時(shí)間，那1X小粒晶體管會導(dǎo)通，把IGBT的柵極電平通過RG電阻來放電。由于這種晶體管比實(shí)際關(guān)斷晶體管更小約50倍， IGBT柵極電壓將被逐步放電導(dǎo)致所謂的軟關(guān)機(jī)。