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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

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2009-04-02 23:36:182182

三相IGBT全橋隔離驅(qū)動電源設(shè)計

本文針對10 kW三相IGBT全橋變換器設(shè)計了一種隔離驅(qū)動電源,提供4路相互隔離的輸出,每路輸出均提供+15 V/-9 V電源。電源功率較小,考慮成本和效率,采用單端反激式結(jié)構(gòu)。
2011-08-19 11:35:1211058

Diodes柵極驅(qū)動器可在半橋或全橋配置下 開關(guān)功率MOSFETIGBT

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器,可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFETIGBT
2016-03-14 18:13:231402

MOSFET/IGBT半橋驅(qū)動芯片IR2111的應(yīng)用研究

本文介紹了MOSFET/IGBT 半橋驅(qū)動芯片IR2111 的使用情況, 分析了其工作電路中外圍各元器件的作用, 同時指出了在使用過程中應(yīng)注意的一些問題和現(xiàn)象, 并對不同公司的MOSFET/IGBT 驅(qū)動芯片作了簡要介紹。
2016-06-15 17:36:420

三相逆變器系統(tǒng)隔離IGBT柵極驅(qū)動器評估平臺

, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、
2017-06-01 08:38:169

IGBT功率器件隔離驅(qū)動設(shè)計的技巧介紹

PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等功率器件,都需要有充分的保護以避免欠壓、米勒效應(yīng)、缺失飽和、過載、短路造成的損害。本文通過Avago參與的八大問答討論隔離驅(qū)動
2017-10-26 16:52:4614

基于光電耦合器HCPL316J的對逆變器等功率裝置的IGBT驅(qū)動電路研究

本文主要對逆變器等功率裝置的IGBT驅(qū)動電路進行研究,從門極驅(qū)動電壓、門極驅(qū)動電阻、驅(qū)動電路功率IGBT的關(guān)系以及驅(qū)動保護等方面分析了驅(qū)動電路的設(shè)計。最后設(shè)計了以基于光電耦合器HCPL316J的驅(qū)動電路,計算了電路的參數(shù)。通過驅(qū)動實驗和短路保護實驗,驗證了設(shè)計的正確性。
2018-06-01 11:33:5669

IGBT驅(qū)動的解決方案詳細(xì)資料說明

IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是一種電壓控制型功率器件,它所需驅(qū)動功率小,控制電路簡單,導(dǎo)通壓降低,且具有較大的安全工作區(qū)和短路承受能力。因此,目前IGBT已在中功率以上的電力電子系統(tǒng)中(如變頻器
2019-01-11 11:19:5749

現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制

通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394941

常見的MOSFET以及IGBT絕緣柵極隔離驅(qū)動技術(shù)解析

MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu),直流電不能通過,因而低頻的表態(tài)驅(qū)動功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個柵極電容Cgs,因而在高頻率的交替
2019-07-03 16:26:554307

IGBT更好用的功率半導(dǎo)體器件都有哪些?

、全控型器件和不可控型器件,其中晶閘管為半控型器件,承受電壓和電流容量在所有器件中最高;電力二極管為不可控器件,結(jié)構(gòu)和原理簡單,工作可靠;還可以分為電壓驅(qū)動器件和電流驅(qū)動器件,其中GTO、GTR為電流驅(qū)動器件IGBT、電力MOSFET為電壓驅(qū)動器件
2022-12-08 14:48:341066

淺談MOSFET/IGBT驅(qū)動器理論及其應(yīng)用

本應(yīng)用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動器理論及其應(yīng)用。該文檔介紹了MOSFETIGBT技術(shù),驅(qū)動器的類型,隔離技術(shù)以及MOSFET / IGBT驅(qū)動器的IXYS系列以及一些實際考慮因素
2021-05-26 17:04:022922

現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器提供隔離功能的最大功率限制

Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司 本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動隔離柵的耐受性能。 在高度可靠、高性能的應(yīng)用中,如電動/混合動力汽車
2021-01-20 15:00:2413

隔離式柵極驅(qū)動器揭秘

摘要 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對于IGBT,它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820

IGBTMOSFET隔離驅(qū)動有哪些類型

IGBTMOSFET隔離驅(qū)動為可靠驅(qū)動絕緣柵器件,目前已有很多成熟電路。當(dāng)驅(qū)動信號與功率器件不需要隔離時,驅(qū)動電路的設(shè)計是比較簡單的,目前也有了許多優(yōu)秀的驅(qū)動集成電路。
2021-02-08 17:38:007374

探究羅姆非隔離型柵極驅(qū)動器以及超級結(jié)MOSFET PrestoMOS

ROHM不僅提供電機驅(qū)動器IC,還提供適用于電機驅(qū)動的非隔離型柵極驅(qū)動器,以及分立功率器件IGBT功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動器,再介紹ROHM超級結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:512409

功率器件驅(qū)動風(fēng)向?qū)⑹?b class="flag-6" style="color: red">隔離柵極驅(qū)動

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李寧遠(yuǎn))在高功率應(yīng)用中,通常需要專用驅(qū)動器來驅(qū)動功率晶體管,不使用專用驅(qū)動器一般都會導(dǎo)致電路功耗過高。大多數(shù)功率MOSFETIGBT由柵極驅(qū)動器IC驅(qū)動,尤其是IGBT,幾乎
2021-11-08 09:28:072297

6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動入門

速度比較快,因此關(guān)斷過程中不會產(chǎn)生負(fù)壓,但值得一提的是,在干擾較重的情況下,這一現(xiàn)象是有助于提高可靠性的。本文將針對IGBT以及MOSFET器件隔離驅(qū)動技術(shù)進行大致的介紹,幫助大家理解。...
2022-02-11 14:53:527

如何優(yōu)化隔離柵級驅(qū)動電路?

的柵極輸入供應(yīng)所需的峰值充電電流,來打開器件。該目標(biāo)通過向功率半導(dǎo)體的柵極提供正壓(V OH )來實現(xiàn)。若要關(guān)閉MOSFETIGBT,需拉起驅(qū)動器件的柵極至0電壓(V OL )或更低。 許多功率控制應(yīng)用采用兩個或兩個以上串聯(lián)功率半導(dǎo)體的“圖騰柱”上橋和下橋連接。上橋N溝道MOSFET漏極連接至電源
2022-12-07 19:30:07510

隔離式柵極驅(qū)動器:什么、為什么以及如何

IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件,用作電源電路和電機驅(qū)動器等系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極,對于IGBT,它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:121151

BJT,MOSFETIGBT的智能功率模塊解析

智能功率模塊(IPM)是一種功率半導(dǎo)體模塊,可將操作IGBT所需的所有電路集成到一個封裝中。它包括所需驅(qū)動電路和保護功能,以及IGBT。這樣,可以通過可用的IGBT技術(shù)獲得最佳性能。
2023-02-02 14:39:142429

隔離型柵極驅(qū)動器與功率器件

隔離型柵極驅(qū)動器與功率器件
2023-02-08 13:43:24355

什么是IGBT IPM(Intelligent Power Module)?

本文的關(guān)鍵要點?IPM是“Intelligent Power Module”的縮寫,IPM是集成了IGBTMOSFET等元器件單體(分立產(chǎn)品)與驅(qū)動電路、保護電路等電路的模塊的統(tǒng)稱。
2023-02-13 09:30:151495

IGBT功率半導(dǎo)體器件

IGBTMOSFET基礎(chǔ)上升級,市場空間增速快。IGBT作為半導(dǎo)體功率器件中的全控器件,由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應(yīng) 管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動功率半導(dǎo)體器件
2023-02-15 16:26:3234

隔離驅(qū)動IGBT的設(shè)計技巧

隔離驅(qū)動IGBT的意義在于,它可以將低電壓的控制信號轉(zhuǎn)換為高電壓的控制信號,從而控制IGBT晶體管的開關(guān),從而實現(xiàn)高效的電力控制。
2023-02-15 16:47:24788

IGBT和BJT、MOSFET之間的因果故事

功率半導(dǎo)體器件。 上次從IGBT的名稱入手,搞清楚了IGBT柵極和雙極性所包含的背后意義。這次我們從IGBT的定義出發(fā),來看看為什么說IGBT是由BJT和 MOSFET組成的器件?它們之間有什么區(qū)別和聯(lián)系?在應(yīng)用的時候,什么時候能選擇IGBT、什么時候選擇BJT、什么時候又選擇MOSFET管 呢?
2023-02-22 14:51:281

IGBT和SiC MOSFET驅(qū)動參數(shù)的計算方法

MOSFET之間驅(qū)動參數(shù)的實際差異。 參考資料:《IGBT以及MOSFET驅(qū)動參數(shù)的計算方法》concept 1.模塊所需驅(qū)動功率的計算2.門級電荷說明3.峰值驅(qū)動電流公式4.輸出電壓擺幅的變化5.最大開
2023-02-22 14:45:3912

開關(guān)功率器件(MOSFET IGBT)損耗仿真方法

說明:IGBT 功率器件損耗與好多因素相關(guān),比如工作電流,電壓,驅(qū)動電阻。在出設(shè)計之前評估電路的損耗有一定的必要性。在確定好功率器件驅(qū)動參數(shù)后(驅(qū)動電阻大小,驅(qū)動電壓等),開關(guān)器件的損耗基本上
2023-02-22 14:05:543

柵極驅(qū)動參數(shù)對IGBT開通的影響

, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流 密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的 優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。
2023-02-23 09:52:070

SLM27517能驅(qū)動MOSFETIGBT功率開關(guān)

SLM27517 單通道,高速,低側(cè)柵極驅(qū)動器件可以有效地驅(qū)動MOSFETIGBT功率開關(guān)。使用設(shè)計其固有地最小化擊穿電流,可以源匯高峰值電流脈沖轉(zhuǎn)換為電容性負(fù)載軌對軌驅(qū)動能力非常小傳播延遲通常
2023-02-23 15:42:222

IGBTMOSFET該用誰?你選對了嗎?

半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFETIGBT等。其中MOSFETIGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件,具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱是絕緣柵極
2023-05-18 09:51:583451

森國科推出大功率IGBT分立器件

森國科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運輸能力及低損耗的優(yōu)點。
2023-07-26 17:34:13355

6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板(配SiC MOSFET

MOSFET和SiCMOSFET等功率開關(guān)。該板預(yù)裝了兩個CoolSiCSiCMOSFETIMZA120R020M1H,一個額外的柵極驅(qū)動IC用于隔離從上橋臂到邏輯控制側(cè)
2023-07-31 17:55:56430

高集成度智能柵極驅(qū)動光耦通吃MOSFETIGBT

驅(qū)動光耦產(chǎn)品線,近期新增一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅(qū)動光耦 TLP5222 。它是一款可為MOSFETIGBT等功率器件提供過流保護的隔離柵極驅(qū)動IC,內(nèi)置保護操作自動恢復(fù)的功能。該器件主要用來實現(xiàn)逆變器、交流伺服器,光伏逆變器等的智
2023-09-28 17:40:02526

隔離驅(qū)動IGBT等功率器件的技巧

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《隔離驅(qū)動IGBT等功率器件的技巧.doc》資料免費下載
2023-11-14 14:21:590

常用IGBTMOSFET器件隔離驅(qū)動技術(shù)匯總

IGBT具有電流拖尾效應(yīng),在關(guān)斷時要求更好的抗干擾性,需要負(fù)壓驅(qū)動MOSFET速度比較快,關(guān)斷時可以沒有負(fù)壓,但在干擾較重時,負(fù)壓關(guān)斷對于提高可靠性有很大好處。
2023-11-14 15:07:324

現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器 提供隔離功能的最大功率限制

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:48:150

IGBT的工作原理 IGBT驅(qū)動電路

IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件,常用于驅(qū)動功率負(fù)載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和BJT(雙極型晶體管)兩個器件構(gòu)成。它結(jié)合
2024-01-12 14:43:521681

意法半導(dǎo)體推出功率MOSFETIGBT柵極驅(qū)動

意法半導(dǎo)體(下文為ST)的功率MOSFETIGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578

充電樁中后級LLC用SiC MOSFET方案可用隔離驅(qū)動BTD25350

(典型值),采用SOW-18(寬體)封裝, 高達5000Vrms的隔離電壓,適用于于驅(qū)動MOSFETIGBT、SiC MOSFET等功率器件。BTD25350功
2023-11-30 09:42:59

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