IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對(duì)CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)，即VGE為負(fù)壓VGC-，后級(jí)輸出為阻感性負(fù)載，帶有續(xù)流二極管。
2023-03-15 09:23:39
886 IGBT在二極管鉗位感性負(fù)載條件下的電路如圖1所示，該電路為IGBT常用電路，可作為IGBT開關(guān)特性的測試電路，評(píng)估IGBT的開通及關(guān)斷行為。
2024-03-15 10:25:51194 
與IGBT柵極之間的雙絞線或扁平連接電纜應(yīng)盡可能短地實(shí)現(xiàn)對(duì)稱連接。 避開將驅(qū)動(dòng)回路PCB引線或連接電纜的布局或安裝處于由于IGBT開關(guān)所產(chǎn)生電位變化的位置上。此外，如有必要，可加裝屏蔽層。 選擇具有
2018-12-03 13:50:08
半導(dǎo)體內(nèi)部形成一定的電場，就可以實(shí)現(xiàn)IGBT的導(dǎo)通。有了絕緣柵，在開關(guān)時(shí)，只需要在IGBT切換狀態(tài)的瞬時(shí)間內(nèi)給門級(jí)注入/抽取一點(diǎn)能量，改變內(nèi)部電場，就可以改變IGBT的工作狀態(tài)。這個(gè)過程很容易做
2023-02-16 15:36:56
現(xiàn)代化變頻器的要求。成功開發(fā)全新芯片的兩個(gè)準(zhǔn)則是實(shí)現(xiàn)低靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗。EconoPACKTM4 采用的IGBT4-T4芯片具備快速開關(guān)特性，相對(duì)于前代IGBT3-T3，開關(guān)損耗降低20%。損耗的降低
2018-12-07 10:23:42
電路的開關(guān)周期。二極管V應(yīng)選用正向過渡電壓低、逆向恢復(fù)時(shí)間短的軟特性緩沖二極管。 (3)、適當(dāng)增大柵極電阻Rg。實(shí)踐證明，Rg增大，使IGBT模塊的開關(guān)速度減慢，能明顯減少開關(guān)過電壓尖峰，但相應(yīng)的增加了
2012-06-19 11:26:00
什么是IGBT模塊？IGBT是一種功率半導(dǎo)體芯片，是絕緣柵雙極晶體管的簡稱。IGBT功率模塊是在一個(gè)封裝中組裝和物理封裝多個(gè)IGBT功率半導(dǎo)體芯片。。..IGBT功率模塊用作電子開關(guān)器件。IGBT在
2023-02-02 17:05:34
IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。
2019-09-11 11:31:16
`我需要通過LC電路產(chǎn)生一個(gè)1200A，2.5KHz的脈沖電流，所加電壓500V，電路圖如下。需要用到IGBT來進(jìn)行開關(guān)控制，初步選定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驅(qū)動(dòng)電路
2017-10-10 17:16:20
，其內(nèi)部集成集電極發(fā)射極電壓欠飽和檢測電路及故障狀態(tài)反饋電路，為驅(qū)動(dòng)電路的可靠工作提供了保障。其特性為：兼容CMOS/TYL電平；光隔離，故障狀態(tài)反饋；開關(guān)時(shí)間最大500ns；“軟”IGBT關(guān)斷；欠
2012-09-09 12:22:07
誰幫俺女友畫個(gè)電路圖呀 關(guān)系寡人后半生幸福 有人嗎聯(lián)系QQ237029870重金大謝啊題目 igbt的過壓過流軟保護(hù)要求 ce端反向過壓（大于300V）時(shí)能自動(dòng) 保護(hù)。。正向電壓在igbt觸發(fā)
2014-04-21 10:49:28
`IGBT驅(qū)動(dòng)波形的死區(qū)怎么讀？`
2020-03-28 00:13:50
在開關(guān)電源當(dāng)中IGBT經(jīng)常被使用到，今天分享一份關(guān)于這種元件的資料
2018-03-31 22:02:12
年代開始，高頻化和軟開關(guān)技術(shù)的開發(fā)研究，使功率變換器性能更好、重量更輕、尺寸更小。高頻化和軟開關(guān)技術(shù)是過去20年國際電力電子界研究的熱點(diǎn)之一。上世紀(jì)90年代中期，集成電力電子系統(tǒng)和集成電力電子模塊(IPEM)技術(shù)開始發(fā)展，它是當(dāng)今國際電力電子界亟待解決的新問題之一。`
2017-02-13 21:56:16
軟開關(guān)技術(shù)是目前國際國內(nèi)電力電子領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)，其在通信電源中也將得到廣泛應(yīng)用。本文綜述了軟開關(guān)技術(shù)在APFC、DC/DC、DC/AC電路申的應(yīng)用，對(duì)幾種典型的軟開關(guān)電路拓?fù)涞膬?yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了分析。
2011-03-10 14:22:28
本文介紹一種能在全負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)的全橋DC-IX7軟開關(guān)拓?fù)洌敿?xì)分析了該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)的工作原理，給出電容值的選取方法和l臨界電流的推斷方法，在理論分析和計(jì)算的基礎(chǔ)上，成功試制出5kW
2011-01-07 18:04:18
`我使用是有限雙極性全橋軟開關(guān)技術(shù)，測量的是超前臂兩端的GE和CE波形，可以從下圖看出能實(shí)現(xiàn)超前臂零電壓開關(guān)，但是驅(qū)動(dòng)波形振蕩振蕩嚴(yán)重，黃色是GE波形，藍(lán)色是CE波形。請(qǐng)求大神幫忙分析一下問什么GE波形會(huì)有這么大振蕩，而且隨著負(fù)載電流增大振蕩越嚴(yán)重，下圖是在300A時(shí)測得。`
2019-03-06 23:59:10
通過對(duì)GPIO進(jìn)行操作來關(guān)閉設(shè)備。因此電子元件技術(shù) 網(wǎng)（www.cntroni cs.com）小編jack認(rèn)為：如果要實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)，我們必須具備兩個(gè)GPIO口。一個(gè)為 DETECT_KEY，作為輸入
2012-01-21 10:40:37
母線電路需設(shè)計(jì)極小寄生電感。因此，可選用具備軟開關(guān)特性的專用IGBT，例如全新的650V IGBT4。如圖2所示， 600V IGBT3（快速）和650V IGBT4（軟度）在開關(guān)性能方面差別明顯，采用
2018-12-07 10:16:11
器件擊穿電壓的增加而增加。在額定電壓高于 200 V 時(shí)，MOSFET 的傳導(dǎo)性能低于 BJT。 IGBT結(jié)合了這兩個(gè)領(lǐng)域的優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了高性能電源開關(guān)：它提供了MOSFET的輕松驅(qū)動(dòng)和BJT的導(dǎo)
2023-02-24 15:29:54
LD3320語音識(shí)別模塊與Arduino軟串口通訊如何實(shí)現(xiàn)開關(guān)燈功能？
2022-01-24 06:54:13
LLC的優(yōu)點(diǎn)是什么LLC電路是如何實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)LC諧振電路具有什么特性
2021-03-11 06:43:53
的選擇要與其應(yīng)用匹配，具有較低正向傳導(dǎo)損耗的較慢型超快二極管與較慢的低VCE(sat)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT組合封裝在一起。相反地，軟恢復(fù)超快二極管，可與高頻SMPS2開關(guān)模式IGBT組合封裝在一起。除了選擇
2018-08-27 20:50:45
針對(duì)特定SMPS應(yīng)用中的IGBT 和 MOSFET進(jìn)行性能比較，確定關(guān)鍵參數(shù)的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對(duì)一些參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS(零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)損耗，并對(duì)電路
2021-06-16 09:21:55
VCE(sat)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT組合封裝在一起。相反地，軟恢復(fù)超快二極管，可與高頻SMPS2開關(guān)模式IGBT組合封裝在一起。除了選擇正確的二極管外，設(shè)計(jì)人員還能夠通過調(diào)節(jié)柵極驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通源阻抗來控制Eon
2018-09-28 14:14:34
N32G430C8L7_STB開發(fā)板用于32位MCU N32G430C8L7的開發(fā)
2023-03-31 12:05:12
的損耗的簡單測量方法。 2 IGBT 參數(shù)的定義 廠商所提供的IGBT 開關(guān)參數(shù)通常是在純感性負(fù)載下測量的, 圖1 和圖2 分別是IR 公司和TOSHIBA公司測量開關(guān)時(shí)間的電路和定義開關(guān)
2018-10-12 17:07:13
生活中有各種各樣的電源，其中就有一款叫高頻開關(guān)電源系統(tǒng)，什么是高頻開關(guān)電源系統(tǒng)？它有什么作用？高頻開關(guān)電源（也稱為開關(guān)型整流器SMR）是通過MOSFET或IGBT的高頻工作的電源，開關(guān)頻率一般控制在
2022-07-05 10:35:15
生活中有各種各樣的電源，其中就有一款叫高頻開關(guān)電源系統(tǒng)，什么是高頻開關(guān)電源系統(tǒng)？它有什么作用？高頻開關(guān)電源（也稱為開關(guān)型整流器SMR）是通過MOSFET或IGBT的高頻工作的電源，開關(guān)頻率一般控制在50-100kHz范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。
2020-11-25 06:00:00
如圖A所示，當(dāng)igbt的負(fù)載接在c級(jí)的時(shí)候e極接地，比如說給g極12v電壓，這時(shí)候ge之間電壓大于開啟電壓，igbt能導(dǎo)通，但是如圖b所示當(dāng)負(fù)載接到e極的時(shí)候，如果導(dǎo)通此時(shí)e極電壓可能很高，就算給g
2020-04-23 09:58:22
的例子中，開關(guān)損耗可以降低24%。此外，還可以 在更寬的工作頻率范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)97%以上的高效率 ，在工作頻率為100kHz時(shí)與IGBT相比效率提高3%，可進(jìn)一步降低車載和工業(yè)設(shè)備應(yīng)用的功耗。此外
2022-07-27 10:27:04
，有著相對(duì)較高的效率，對(duì)開關(guān)器件的耐壓要求較低。軟開關(guān)和硬開關(guān)開關(guān)電源通過功率器件的開通和關(guān)斷來實(shí)現(xiàn)從直流到交流的逆變。而開關(guān)技術(shù)又分為軟開關(guān)和硬開關(guān)。通常狀態(tài)下器件在開通和關(guān)斷的過程時(shí)，會(huì)有電壓和電流
2021-10-29 06:00:54
正常運(yùn)行的能量，控制電源的開關(guān)技術(shù)影響電源穩(wěn)定的一大因素，下面將介紹開關(guān)技術(shù)中的硬開關(guān)技術(shù)與軟開關(guān)技術(shù)。 磁性元件的體積和重量在開關(guān)電源中占有很大比例，而開關(guān)電源的發(fā)展方向是體積小、重量輕和低成本
2019-08-27 07:00:00
非常好的技術(shù)資料，很好的學(xué)習(xí)資料《直流開關(guān)電源的軟開關(guān)技術(shù)》
2019-03-09 22:50:34
大家有沒有做單相軟開關(guān)逆變電源的，就是全橋的，帶有有源嵌位的軟開關(guān)結(jié)構(gòu)的，對(duì)于各個(gè)管子的脈沖信號(hào)的驅(qū)動(dòng)，有些不太清楚，現(xiàn)在仿真還沒有放出來，希望能給點(diǎn)建議，相互學(xué)習(xí)下。思路就是通過增加輔組電路，利用輔組電路的中的輔組開關(guān)管實(shí)現(xiàn)主開關(guān)的零通斷，這個(gè)里面主要依靠嵌位電容和諧振效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)。
2016-06-01 09:35:22
使用內(nèi)置 DESAT 和可調(diào)軟關(guān)斷時(shí)間實(shí)現(xiàn) IGBT 短路保護(hù)內(nèi)置共模扼流圈和發(fā)射極電阻，用于限制發(fā)射極環(huán)路電流8000Vpk VIOTM 和 2121Vpk VIORM 增強(qiáng)型隔離極高的 CMTI：100KV/us
2018-12-07 14:05:13
系列Hybrid MOS是同時(shí)具備超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關(guān)和低電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時(shí)的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
這是軟調(diào)光電路。該電路采用IGBT STGP10N50A和TS555定時(shí)器的主要組成部分
2013-10-16 19:03:25
，以防止受到干擾時(shí)誤開通和加快關(guān)斷速度，減小關(guān)斷損耗，幅值一般為-（5～10）V； （4）當(dāng)IGBT處于負(fù)載短路或過流狀態(tài)時(shí)，能在IGBT允許時(shí)間內(nèi)通過逐漸降低柵壓自動(dòng)抑制故障電流，實(shí)現(xiàn)IGBT的軟
2011-08-18 09:32:08
IGBT和MOS管的區(qū)別是什么？IGBT和可控硅的區(qū)別有哪些？如何實(shí)現(xiàn)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)？
2021-11-02 08:30:41
本文以升壓ZVT-PWM變換器為例，用集成芯片MC34152和CMOS邏輯器件設(shè)計(jì)了一種可滿足以上要求的軟開關(guān)變換器驅(qū)動(dòng)電路。
2021-04-22 06:09:47
如下圖，采用單片機(jī)他激方式驅(qū)動(dòng)霧化片，有時(shí)驅(qū)動(dòng)MOS管會(huì)很燙，有什么方式實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)驅(qū)動(dòng)，并且頻率隨時(shí)調(diào)整或者通過自激振蕩諧振在陶瓷片的諧振頻率上，求高手回答！ 一定要軟開關(guān)驅(qū)動(dòng)，保證MOS管不燙。
2019-04-09 09:18:12
Q1。如何計(jì)算IGBT柵極電阻。我想使用 STGD18N40LZ IGBT 來操作感性開關(guān)負(fù)載。開關(guān)頻率：- 在 400Hz 到 1Khz 之間集電極到發(fā)射極電壓：- 24V。平均最大電流：- 5A。Q2。使用1Kohm電阻會(huì)有什么影響？
2023-01-04 09:00:04
PLC要實(shí)現(xiàn)的功能封裝在軟件里，然后運(yùn)行于硬件系統(tǒng)平臺(tái)上。軟PLC綜合了計(jì)算機(jī)和PLC的開關(guān)最控制、模擬量控制、邏輯運(yùn)算、數(shù)值處理、網(wǎng)絡(luò)通信等功能，通過一個(gè)多任務(wù)內(nèi)核提供強(qiáng)大的指令集、快速準(zhǔn)確的掃描
2023-09-25 07:15:21
摘要相對(duì)于第二代NPT芯片技術(shù)，最新的3.3kV IGBT3系列包含兩款優(yōu)化開關(guān)特性的L3和E3芯片，其在開關(guān)軟度和關(guān)斷損耗之間實(shí)現(xiàn)折衷，以適應(yīng)不同的應(yīng)用。最大工作結(jié)溫可升高至150℃，以便提升輸出
2018-12-06 10:05:40
本文從精簡結(jié)構(gòu)，同時(shí)兼顧精度的角度出發(fā)，提出一種基于時(shí)間測量芯片TDC-GP2來精確測量IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間系統(tǒng)，用于測量IGBT的導(dǎo)通延遲時(shí)間，實(shí)現(xiàn)簡單且成本低的一種較為理想的測量方案。
2021-05-14 06:07:09
隨著功率電子和半導(dǎo)體技術(shù)的快速進(jìn)步，各類電力電子應(yīng)用都開始要求用專門、專業(yè)的半導(dǎo)體開關(guān)器件，以實(shí)現(xiàn)成本和性能的共贏。與傳統(tǒng)的非穿通（NPT） IGBT相比，場截止（FS） IGBT進(jìn)一步降低
2018-09-30 16:10:52
看了軟開關(guān)移相控制全橋逆變器的十二個(gè)周期，也了解了PWM波產(chǎn)生了原理。。但是至今還是不明白PWM實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)是要軟件編程實(shí)現(xiàn)還是通過硬件自動(dòng)實(shí)現(xiàn)的（即判斷是否處于ZVS或ZCS）
2015-09-22 15:20:26
如下圖，采用單片機(jī)他激方式驅(qū)動(dòng)霧化片，有時(shí)驅(qū)動(dòng)MOS管會(huì)很燙，有什么方式實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)驅(qū)動(dòng)，并且頻率隨時(shí)調(diào)整或者通過自激振蕩諧振在陶瓷片的諧振頻率上，求高手回答！一定要軟開關(guān)驅(qū)動(dòng)，保證MOS管不燙。
2020-03-09 09:43:00
100nH時(shí)的開關(guān)損耗和軟度，我們選用了一種接近T4芯片合理使用限值的模塊。因此，我們選擇了一個(gè)采用常見62 mm封裝的300A半橋配置作為平臺(tái)，而模塊則分別搭載三款IGBT4 芯片。這三個(gè)模塊采用相同
2018-12-10 10:07:35
柵極電阻RG對(duì)IGBT開關(guān)特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
`模電前輩們，求 IGBT 高頻電源 ADC采集電壓 濾掉開關(guān)管的尖峰 辦法`
2016-01-21 21:19:49
模電前輩們，求 IGBT 高頻電源 ADC采集電壓 濾掉開關(guān)管的尖峰辦法
2019-07-15 02:57:42
我用的是IKW75N65E25型號(hào)的IGBT，耐壓650V，在實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)時(shí)，開關(guān)電壓上升時(shí)有十分明顯的震蕩，分析過電路沒有發(fā)現(xiàn)什么問題，用仿真軟件仿真過能得到結(jié)果，但是實(shí)物實(shí)驗(yàn)時(shí)就會(huì)出現(xiàn)圖中的問題。求助！！！
2017-01-12 11:00:12
。HCPL316J可以驅(qū)動(dòng)150 A/1200 V的IGBT，光耦隔離，COMS/TTL電平兼容，過流軟關(guān)斷，最大開關(guān)速度500 ns，工作電壓15～30 V，欠壓保護(hù)。輸出部分為三重復(fù)合達(dá)林頓管，集電極開路
2016-11-28 23:45:03
控制技術(shù)［1］［2］［3］，但這些方法還不能真正走向?qū)嵱谩??文獻(xiàn)［4］介紹了用諧振電路實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)，是一種比較好的方法，然而這一技術(shù)需要跟蹤電路中的電壓和電流，在電壓和電流過零處實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)，這必然使電路
2021-09-14 06:30:00
移相全橋開關(guān)電源的研制與軟開關(guān)軟件控制實(shí)現(xiàn)
2012-08-16 22:37:55
我在做軟開關(guān)，使用的是英飛凌IGBT:BSM150GB60DLC，在大負(fù)載時(shí)驅(qū)動(dòng)波形會(huì)有振蕩現(xiàn)象，有個(gè)別大神說可能是IGBT問題，有用過這個(gè)信號(hào)的大神嗎？這個(gè)管子怎么樣？
2019-03-14 16:50:48
并且開關(guān)速度快的IGBT，英飛凌公司開發(fā)的第四代IGBT—T4能很好地滿足這一要求，本文主要介紹T4芯片及其在軟開關(guān)逆變焊機(jī)中的應(yīng)用。關(guān)鍵詞：IGBT, T4, 軟開關(guān)，逆變焊機(jī) 中圖分類號(hào)
2018-12-03 13:47:57
如何實(shí)現(xiàn)IGBT模塊的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)？在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)，需要考慮哪些問題？IGBT下橋臂驅(qū)動(dòng)器件HCPL-316J的主要特征有哪些？上橋臂驅(qū)動(dòng)器HCPL-3120的主要特征有哪些？
2021-04-20 06:24:18
軟通首款自研OpenHarmony開發(fā)板，使用Hi3861主控芯片，支持OpenHarmony開發(fā)，充分考慮物聯(lián)網(wǎng)感知層設(shè)備的多樣性，具有強(qiáng)大的擴(kuò)展性。核心板結(jié)合多樣化擴(kuò)展模塊，廣泛應(yīng)用于智能家電
2022-03-21 10:16:39
IGBT開關(guān)式自并激微機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)的原理及應(yīng)用
本文以HWKT—09型微機(jī)勵(lì)磁調(diào)節(jié)器為例，詳盡地闡述了IGBT開關(guān)式自并激微機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)的基本原理，并重點(diǎn)討論了IGBT在開關(guān)勵(lì)
2009-11-13 15:41:39910 
新型IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。
2010-05-25 09:05:201169 
今天，不論是用在工業(yè)領(lǐng)域還是民用產(chǎn)品的開關(guān)應(yīng)用，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）都可以提供有效的解決方案，以實(shí)現(xiàn)最終產(chǎn)品的高能效和高性能。在節(jié)能至上的市場上，電子設(shè)計(jì)人員首選可以實(shí)現(xiàn)高能效的器件，而且
2013-11-20 17:28:141040 
在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2020-03-20 15:36:5613313 
為了降低開關(guān)電源中開關(guān)器件的開關(guān)損耗，介紹一種帶輔助管的軟開關(guān)實(shí)現(xiàn)方法，將IGBT 和MOSFET 這兩種器件組合起來，以IGBT 器件為主開關(guān)管，MOSFET 器件為輔助開關(guān)管，實(shí)現(xiàn)零電流（ZCS
2020-07-14 08:00:00
3 生活中有各種各樣的電源，其中就有一款叫高頻開關(guān)電源系統(tǒng)，什么是高頻開關(guān)電源系統(tǒng)？它有什么作用？高頻開關(guān)電源（也稱為開關(guān)型整流器SMR）是通過MOSFET或IGBT的高頻工作的電源，開關(guān)頻率一般控制在50-100kHz范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。
2020-10-31 12:18:385136 
門極參數(shù)Rge Cge和Lg對(duì)IGBT開關(guān)波形的影響說明。
2021-04-18 10:22:4913 隨著高頻開關(guān)電路技術(shù)的成熟，IGBT高頻開關(guān)電源成功問世。一經(jīng)問世便在整個(gè)電鍍行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用。同普通整流電源相比，IGBT高頻開關(guān)電源具有以下顯著特點(diǎn)。
2022-03-11 11:22:044767 
IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對(duì)CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)，即VGE為負(fù)壓VGC-
2022-03-26 18:33:364680 IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對(duì)CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)，即VGE為負(fù)壓VGC-，后級(jí)輸出為阻感性負(fù)載，帶有續(xù)流二極管。
2023-01-10 09:05:471975 隔離驅(qū)動(dòng)IGBT的意義在于，它可以將低電壓的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為高電壓的控制信號(hào)，從而控制IGBT晶體管的開關(guān)，從而實(shí)現(xiàn)高效的電力控制。
2023-02-15 16:47:24788 IGBT-IPM是一種集成電力模塊，它由一個(gè)IGBT（可控硅反激開關(guān)）和一個(gè)IPM（智能功率模塊）組成。它可以用于控制電機(jī)、變頻器、變壓器等電力電子設(shè)備，以實(shí)現(xiàn)高效、精確的控制。
2023-02-20 15:30:251770 及電壓驅(qū)動(dòng)特性，又有功率雙極型晶體管(BJT)的低飽和電壓特性及易實(shí)現(xiàn)較大電流的能力，在工業(yè)、能源、交通等場合越來越不可取代[1]。雖然在電力電子電路中，IGBT主要工作在開關(guān)狀態(tài)，但是IGBT仍然是功耗較
2023-02-22 15:19:511 IGBT的開關(guān)時(shí)間說明 IGBT的開關(guān)過程主要是由柵極電壓VGE控制的，由于柵極和發(fā)射極之間存在著寄生電容艮，因此IGBT的開通與關(guān)斷就相當(dāng)于對(duì)CGE進(jìn)行充電與放電。假設(shè)IGBT初始狀態(tài)為關(guān)斷狀態(tài)
2023-02-22 15:08:431 IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù)，本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543293 
汽車規(guī)類芯片是門檻較高的芯片領(lǐng)域。2023年上半年，士蘭微IGBT（包括igbt配件和pim模塊）的營業(yè)收入比去年同期增加300%以上，達(dá)到5億9千萬人民幣。公司在自主開發(fā)的v代igbt和frd芯片電動(dòng)汽車主要發(fā)動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊的基礎(chǔ)上，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了向比亞迪、吉利、零跑、匯川等國內(nèi)外多家客戶的大量供應(yīng)。
2023-08-22 09:39:17615 介紹IGBT的優(yōu)缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn) 1. 高效率：IGBT具有較低的導(dǎo)通電阻，因此可以實(shí)現(xiàn)高效率的功率調(diào)節(jié)，增加設(shè)備的效率。 2. 高速開關(guān)：IGBT可在短時(shí)間內(nèi)完成開關(guān)操作，因此可以在高頻電路中使用，提高系統(tǒng)的性能。 3. 大電流承受能力強(qiáng)：IGBT的電流承受能力較強(qiáng)，能夠承受較大
2023-08-25 15:03:294009 IGBT 功率模塊的開關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432 
、N型漏源和門極組成。因其高電壓和高電流開關(guān)能力，廣泛應(yīng)用于電力和電能控制器的控制中。 IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷是通過控制門極電壓來實(shí)現(xiàn)的。下文詳細(xì)介紹IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷條件，以及具體的導(dǎo)通和關(guān)斷過程。 IGBT
2023-10-19 17:08:028167 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種電力開關(guān)裝置，常被用于控制大電流和高電壓的電力設(shè)備。IGBT軟開關(guān)和硬開關(guān)是兩種不同的IGBT工作模式，它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)
2023-12-21 17:59:32658 IGBT高壓開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)說明 IGBT是一種高壓開關(guān)器件，它結(jié)合了 MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，具有許多獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。在本文中，我們將詳細(xì)地探討IGBT的優(yōu)點(diǎn)，以便更好地理解其在不同領(lǐng)域的應(yīng)用。 首先
2024-01-04 16:35:47787 退飽和電路的實(shí)現(xiàn)機(jī)理是什么樣的？IGBT退飽和過程和保護(hù) 退飽和電路的實(shí)現(xiàn)機(jī)理是當(dāng)IGBT工作在飽和狀態(tài)時(shí)，通過引入一定的電路設(shè)計(jì)和調(diào)整，使IGBT在過載或故障情況下能夠自動(dòng)退出飽和狀態(tài)，以保護(hù)
2024-02-18 14:51:51420
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