德州儀器 (TI) 宣布推出業界首款集成型七通道繼電器驅動器(relay driver),可支持最低 1.8V 到最高 5V 的低電壓繼電器。
2012-08-30 16:28:521592 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅動器,其速度比同等光學柵極驅動器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 德州儀器 (TI) 宣布推出兩款三相位無刷 DC (BLDC) 電機驅動器,幫助設計人員在幾分鐘內啟動電機,這兩款器件還支持最低工作電壓與待機電流,將功耗銳降達 75%。
2013-02-27 10:08:191469 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出三款最新 DC/DC LED 驅動器,其可在專業級室內外 LED 照明應用中為高色彩渲染及超低調光簡化白色調節。TPS92660 兩串 LED 驅動器
2013-05-07 09:52:531109 日前,德州儀器(TI)宣布推出一款集成式柵極驅動器,該器件提供了可調節的柵極驅動設置,可在更為寬泛的范圍內,靈活的驅動外部場效應晶體管(FET),從而支持多種電機,以
2015-07-06 14:35:111971 近日,德州儀器 (TI) 推出了業內速度最快的半橋柵極驅動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的柵極驅動器的工作電壓可達到600V。
2015-10-16 16:32:111114 德州儀器日前宣布,胡煜華(Sandy Hu)女士當選為德州儀器公司副總裁,并繼續擔任德州儀器中國區總裁。
2018-08-17 11:38:278887 英飛凌提供500多種EiceDRIVER?柵極驅動器解決方案,用于驅動MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔離型柵極驅動器、 電平轉換柵極驅動器以及非隔離低邊驅動器,從而滿足各種功率半導體技術和功率轉換拓撲的設計要求。
2019-01-29 09:58:3227184 大家好,看到TI一篇關于IGBT和SiC器件柵極驅動應用的文檔,雖然比較基礎,但是概括的比較好,適合電力電子專業的初學者,總體內容如下。
2022-11-25 09:20:301195 電子發燒友網報道(文/李彎彎)當地時間周二,模擬芯片巨頭德州儀器(TI)公布了2023年第四季度財報。財報顯示,隨著汽車芯片庫存增加,且汽車行業需求初步顯露疲弱跡象,德州儀器上一季度財報表
2024-01-25 09:03:225709 日前,德州儀器 (TI) 在歐洲照明技術策略大會 (the Strategies in Light Europe conference) 上宣布推出兩款高度集成的相位可調光 AC/DC LED 照明驅動器 LM3448 與 TPS92070
2011-10-20 09:30:061247 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔離式電源效率與可靠性的新一代雙通道輸出柵極驅動器,進一步壯大其 MOSFET 驅動器產品陣營。
2012-01-10 09:11:321862 。設計人員可以使用ADI公司,飛兆半導體公司,凌力爾特公司,德州儀器公司等公司的柵極驅動器實現高效的全橋和半橋功率級。
2019-01-23 08:23:004168 從本文開始將探討如何充分發揮全SiC功率模塊的優異性能。此次作為柵極驅動的“其1”介紹柵極驅動的評估事項,在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅動的評估事項:柵極誤導通首先需要了解的是:接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
德州儀器(TI)模擬開關資料
2012-12-20 13:20:28
德州儀器dsp芯片,在汽車電子的高級輔助駕駛系統ADAS中,有一項被稱為環視系統的ECU,可以大大增加車輛的智能性和安全性,目前在這方面德州儀器有支持具有各種分辨率的低延遲汽車環視解決方案。加之他們
2021-07-28 08:30:22
Arduino開源項目自2005年實施以后人氣越來越旺盛.它可以制作小至環境傳感器大至機器人的各種設備.現在Arduino即將變得更為強大,因為德州儀器即將向它提供支持.這家美國科技巨頭宣布與源自
2013-10-07 23:03:05
德州儀器推薦使用的元器件
2013-09-03 21:18:24
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對于IGBT,它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
驅動器的關鍵參數驅動強度提供適當柵極電壓的問題通過柵極驅動器來解決,柵極驅動器執行電平轉換任務。不過,柵極電容無法瞬間改變其電壓。因此,功率FET或IGBT具有非零的有限切換間隔時間。在切換期間,器件
2021-07-09 07:00:00
為何需要柵極驅動器柵極驅動器的關鍵參數
2020-12-25 06:15:08
在高度可靠、高性能的應用中,如電動/混合動力汽車,隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進,以及對GaN和SiC工藝技術的引進,現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關來研究柵極驅動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
隔離電源轉換器詳解柵極驅動器解決方案選項最優隔離柵極驅動器解決方案
2021-03-08 07:53:35
Imagination全新BXS GPU助力德州儀器汽車處理器系列產品實現先進圖形處理功能
2020-12-16 07:04:43
MOSFET 和 IGBT 柵極驅動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
`PE29100集成了高速驅動器,旨在控制外部功率器件的柵極,例如增強型氮化鎵(eGaN?)FET。PE29100的輸出能夠提供亞納秒范圍內的開關轉換速度,適用于高達33 MHz的硬開關應用。較高
2021-03-26 16:34:53
Si-MOSFET/IGBT不斷改進,以及對GaN和SiC工藝技術的引進,現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此,需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅動器。這些驅動器的電隔離裝置體積小巧,可集成到驅動器芯片
2021-01-22 06:45:02
IGBT 柵極驅動器 – ISO5852s,工作電壓隔離為 1.5kVrms,最小 CMTI 為 50 kV/μs整合了針對過流和誤開啟的保護功能,采用:DESAT 檢測軟關斷有源米勒鉗位滿足
2018-12-27 11:41:40
和更快的切換速度與傳統的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比,SiC mosfet柵極驅動在設計過程中必須仔細考慮需求。本應用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅動IC時的關鍵參數。
2023-06-16 06:04:07
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅動器的HEV/EV牽引逆變器設計指南
2022-11-02 12:07:56
驅動半橋配置中的并聯 IGBT。并聯 IGBT 在柵極驅動器級(驅動強度不足)以及系統級均會帶來挑戰:難以在兩個 IGBT 中保持相等電流分布的同時確保更快的導通和關斷。此參考設計使用增強型隔離式
2018-12-07 14:05:13
現貨NXP: BLF7G20LS-250P,Freescale: P408ESSE1PNB, Xilinx : XC7K160T-2FFG676ITI(德州儀器) : ADS58C23IPFP
2013-05-11 22:02:18
在現有空間內繼續提高功率,但同時又不希望增大設備所需的空間,”德州儀器產品經理Masoud Beheshti說,“如果不能增大尺寸,那么只能提升功率密度。” 了解如何利用德州儀器的GaN產品系列實現
2019-03-01 09:52:45
過。另據報道,與基于IGBT的電機驅動器相比,使用具有有限dv/dt的SiC-MOSFET和傳統的柵極驅動器可以帶來更高的效率[3]。在驅動應用中使用 SiC-MOSFET 的優勢可以通過 CSD
2023-02-21 16:36:47
作為應用全SiC模塊的應用要點,本文將在上一篇文章中提到的緩沖電容器基礎上,介紹使用專用柵極驅動器對開關特性的改善情況。全SiC模塊的驅動模式與基本結構這里會針對下述條件與電路結構,使用緩沖電容器
2018-11-27 16:36:43
將減小元件尺寸,從而減小成本、系統尺寸和重量;這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化,其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸,從而減小成本、系統尺寸和重量;這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化,其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸,從而減小成本、系統尺寸和重量;這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化,其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案,可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源,其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅動器基礎知識”
2022-10-25 17:20:12
德州儀器,IGBT最大做到多少功率,官網看到那些都是很小電流的
2019-04-01 14:46:49
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅動器參考設計為驅動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁(電動汽車充電站)應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對于IGBT,它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
用作功率放大器和電平轉換器。柵極驅動器的關鍵參數驅動強度:提供適當柵極電壓的問題通過柵極驅動器來解決,柵極驅動器執行電平轉換任務。不過,柵極電容無法瞬間改變其電壓。因此,功率FET或IGBT具有非零的有限切換間隔時間
2018-11-01 11:35:35
單通道STGAP2SiCSN柵極驅動器旨在優化SiC MOSFET的控制,采用節省空間的窄體SO-8封裝,通過精確的PWM控制提供強大穩定的性能。隨著SiC技術廣泛應用于提高功率轉換效率,STGAP2SiCSN簡化了設計、節省了空間,并增強了節能型動力系統、驅動器和控制的穩健性和可靠性。
2023-09-05 07:32:19
飛兆半導體推業界領先的高壓柵極驅動器IC
2016-06-22 18:22:01
新年伊始,設計師們似乎在永遠不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中,我討論了高電流柵極驅動器如何幫助系統實現更高的效率。高速柵極驅動器可以實現相同的效果。高速柵極驅動器可以通過降低FET的體二極管
2019-03-08 06:45:10
JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器,因此在更換 Si IGBT、Si 超級
2023-05-11 20:38:23
與 Si MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器,因此在更換 Si IGBT、Si 超級結器件或 S
2023-05-11 20:45:39
與 Si MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器,因此在更換 Si IGBT、Si 超級結器件或
2023-05-12 12:26:54
MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器,因此在更換 Si IGBT、Si 超級結器件或 SiC MOS
2023-05-12 14:20:38
IGBT 的柵極驅動是IGBT 應用中的關鍵問題。本文闡明構成IGBT 柵極驅動電路的注意事項,基本電路參數的選擇原則,還介紹丁幾種驅動電路實例。
2010-08-31 16:33:41213 德州儀器推出全新8通道高壓雙極DAC系列滿足低功耗應用需求
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出 6 款最新數模轉換器 (DAC),其可提供 12、14 以及 16 位版本,并采用 SPI 或并行
2009-12-14 08:41:19662 德州儀器 (TI) 宣布推出一款帶 4 通道分組式延遲的串行控制 16 通道恒流LED 驅動器,TLC59282 可通過對 LED 輸出開關進行擺動處理來最大限度降低同步開關噪聲
2011-02-18 09:13:00877 日前,德州儀器(TI)宣布推出一款帶4通道分組式延遲的串行控制16通道恒流LED驅動器TLC59282,可顯著簡化視頻顯示、留言板、娛樂照明和LED指示燈等LED顯示應用的設計工作
2011-03-28 09:06:441585 德州儀器 (TI)日前推出一款帶 4 通道分組式延遲的串行控制 16 通道恒流LED 驅動器 TLC59282,該器件的最大特點是,分組式通道延遲(4通道一組)可最大限度地降低同步開關噪聲
2011-03-31 10:35:101365 德州儀器 (TI) 宣布面向氣囊部署推出TPIC71004-Q1四通道氣囊爆管驅動器,從而可提供具有高可靠性與低成本優勢的優化集成型標準器件。
2011-05-13 08:43:311106 德州儀器(TI)宣布面向移動消費類及工業設計推出業界最高集成度的壓電式觸覺驅動器。
2011-07-22 14:46:16992 德州儀器 (TI) 宣布推出具有業界最高性能-功耗比的最新單雙通道模數轉換器 (ADC) 驅動器,進一步壯大了其通用型低功耗軌至軌輸出運算放大器的產品陣營。與類似解決方案相比,該 O
2011-11-15 10:58:271031 德州儀器(TI)是全球領先的數字信號處理與模擬技術半導體供應商,德州儀器(TI)亦是推動因特網時代不斷發展的半導體引擎。
2011-12-12 16:25:041513 LED 參考設計指南是您重要的參考工具書,能夠充分滿足您的各種照明設計需求。希望獲得全新低成本創新型 LED 照明解決方案的客戶可充分受益于德州儀器(TI) 種類繁多的產品系列,如
2011-12-30 15:41:320 德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應晶體管 (FET) 使用的低側柵極驅動器。
2012-02-11 09:59:081435 德州儀器 (TI) 宣布推出全差動模數轉換器 (ADC) 驅動器,比同類器件性能功耗比提高 8 倍以上,重新定義了低功耗放大器市場。
2012-03-31 08:56:04668 日前,德州儀器(TI) 宣布推出全差動模數轉換器(ADC) 驅動器,比同類器件性能功耗比提高8 倍以上,重新定義了低功耗放大器市場。THS4531 全差動放大器靜態電流僅為250 uA,帶寬
2012-04-05 09:03:02823 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款面向有刷 DC 及步進電機的最新低電壓器件,進一步壯大其不斷豐富的高集成 DRV8x 電機驅動器產品陣營
2012-04-18 13:58:58931 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業界領先速度及驅動電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側柵極驅動器,其可最大限度減少 MOSFET、IGBT 電源器件以及諸如氮化鎵 (GaN) 器件等
2012-04-23 16:48:00952 德州儀器 (TI) 宣布推出首批具有業界領先速度及驅動電流性能的 4 A/8 A 與 4 A/4 A 單通道低側柵極驅動器
2012-04-24 09:56:411411 本內容介紹了德州儀器(TI)的流量計解決方案,TI可提供用于激勵磁場線圈的PWM驅動器和高壓輸出DAC
2012-12-03 16:34:051614 德州儀器,個人收集整理了很久的資料,大家根據自己情況,有選擇性的下載吧~
2015-10-27 14:04:020 近日,德州儀器(TI)推出了首款面向高功率鋰離子電池應用的單芯片100V高壓側 FET 驅動器。該驅動器可提供先進的電源保護和控制。
2016-02-22 11:22:431166 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅動器及六款高/低側600V柵極驅動器,可在半橋或全橋配置下輕易開關功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 的柵極驅動要求等。與在這種設計中正式使用的雙極晶體管相比,IGBT在驅動電路的尺寸和復雜度上都有相當大的降低。最近在IGBT開關速度的改進取得了設備適用于電源的應用,因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應用。許多設計者因此轉向MOSFET驅動器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅動器參考設計為驅動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁(電動汽車充電站)應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx 3kVRMS
2017-12-25 11:13:000 德州儀器 (TI) 推出的業界最低功耗 6 核 DSP,該款 TMS320C6472 器件旨在滿足要求極低功耗的處理密集型應用的需求。
2020-12-02 12:59:001337 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極,而對于IGBT,它們被稱為
2021-01-28 08:13:3820 ADI隔離柵極驅動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 本手冊概述了 ACPL-P349/W349 評估板的特性以及評估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅動器所需的配置。需要目視檢查以確保收到的評估板處于良好狀態。
2021-06-23 10:45:213354 德州儀器(TI)當地周三(21日)公布第三季度猜測,營收略低于分析師預期,引發投資人擔心疫情引起的芯片需求激增即將觸頂。德州儀器已有多季收入交出兩位數增長的佳績,此次第三季度預測低于預期,引發的推測
2021-07-25 17:26:11548 MOSFET和IGBT柵極驅動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業應用中節省空間,簡化電路設計。
2022-02-15 14:23:261103 STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅動器旨在調節碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝,可節省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011355 隨著新型功率晶體管(例如 SiC Mosfets)越來越多地用于電力電子系統,因此有必要使用特殊的驅動器。隔離式柵極驅動器通過提供對 IGBT 和 MOSFET 的可靠控制,旨在滿足 SiC(碳化硅
2022-08-09 09:03:001509 聚焦儲能新需求,德州儀器芯科技助力中國新基建
2022-10-28 12:00:150 德州儀器汽車應用參考設計精選
2022-11-07 08:07:241 半導體器件是現代電力電子系統的核心。這些系統利用許多門控半導體器件,如普通晶體管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作為開關模式電源(SMPS)、通用電源(UPS)和電機驅動器中的開關元件。電力電子的現代技術發展通常跟隨功率半導體器件的發展。
2023-04-04 10:23:45547 所有類型的電動汽車(EV)的高功率、高電壓要求,包括電動公交車和其他電子交通電源系統,需要更高的碳化硅(SiC)技術來取代舊的硅FET和IGBT。安全高效地驅動這些更高效的SiC器件可以使用數字而不是模擬柵極驅動器來實現,許多非汽車或非車輛應用將受益。
2023-05-06 09:38:501693 igbt的柵極驅動條件 igbt的柵極驅動條件對其特性有什么影響? IGBT是晶體管的一種,它是一種高壓、高電流的開關器件,常用于高功率電子應用中。IGBT是一種三極管,由一個PN結組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 德州儀器 (TI) 今日發布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品,可助力提高功率密度,大幅提升系統效率,同時縮小交流/直流消費類電力電子產品和工業系統的尺寸。德州儀器的 GaN 場效應晶體管 (FET
2023-12-01 12:16:04796 報告內容包含:
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅動器功能
驅動器演進以支持 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)
驅動器進化以支持 SiC(碳化硅)
2023-12-18 09:39:57156 必易微新推出的柵極驅動器 KP85402,專為家用電器和工業新能源等應用場景而設計。這款產品旨在為客戶提供一個高可靠性、低成本的解決方案,以滿足各種柵極驅動需求。
2024-01-08 15:33:25390 融合和決策能力,可以實現更高水平的自主性。德州儀器的新款驅動器芯片 DRV3946-Q1 集成式接觸器驅動器和 DRV3901-Q1 集成式熱熔絲爆管驅動器可支持軟件編程,能夠提供內置診斷功能并支持功能
2024-01-09 12:15:48505 德州儀器 (TI) 今日在2024年國際消費類電子產品展覽會 (CES) 上,發布了其新款半導體產品,旨在提升汽車的安全性和智能性。這些新產品包括AWR2544 77GHz毫米波雷達傳感器芯片和兩款驅動器芯片,它們都采用了尖端技術,以滿足汽車行業日益增長的需求。
2024-01-09 14:04:14289 意法半導體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 電子發燒友網站提供《適用于SiC/IGBT器件和汽車應用的單通道隔離式柵極驅動器UCC5350-Q1數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 10:17:510
評論
查看更多