中國上海，2013年3月25日訊——恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達(dá)克代碼：NXPI）近日推出業(yè)內(nèi)首款雙晶體管產(chǎn)品，具有低飽和電壓特性，采用2 mm x 2 mm DFN（分立式扁平無引腳）封裝。15種采用無引腳、薄型DFN2020-6 （SOT1118）封裝的全新產(chǎn)品即將上市，它們的集電極電壓（VCEO）為30 V、60 V和120 V （PBSS4112PAN）。

　　這些超小型雙晶體管的集電極電流（IC）最大值可達(dá)2 A，能夠處理高達(dá)3 A的峰值電流。同時，它們的效率極高，具有低至60 mV的超低飽和電壓 （PBSS4230PANP），使其針對移動應(yīng)用具有更低的功耗和更長的電池壽命。采用DFN2020-6封裝的全新雙晶體管非常適合用于負(fù)載和電源開關(guān)、智能手機和平板電腦等便攜式應(yīng)用中的電源管理和充電電路、背光裝置以及其他空間受限型應(yīng)用。恩智浦采用DFN2020封裝的所有全新低VCEsat雙晶體管產(chǎn)品均符合AEC-Q101汽車標(biāo)準(zhǔn)。

　　DFN2020-6比標(biāo)準(zhǔn)SO8封裝小8倍，具有出色的熱功耗能力（Ptot = 1 W）。具有熱沉的DFN封裝僅0.6mm高，因此可替代SO8或SOT457等許多尺寸較大的晶體管封裝。

　　全新的DFN2020封裝類產(chǎn)品豐富了恩智浦的低VCEsat晶體管產(chǎn)品組合，目前已包括36款采用無引腳和標(biāo)準(zhǔn)SMD封裝的雙晶體管，以及250多種高達(dá)500 V和7 A的單晶體管。

　　鏈接

　　· 恩智浦采用DFN2020-6封裝的全新低VCEsat雙晶體管：http://www.nxp.com/group/10921

　　· 集電極電壓最高的全新產(chǎn)品（PBSS4112PAN，120 V，1 A NPN/NPN）：http://www.nxp.com/pip/PBSS4112PAN

　　· 飽和電壓最低的全新產(chǎn)品（PBSS4230PANP，30 V，2 A NPN/PNP，VCEsat：60 mV）：http://www.nxp.com/pip/PBSS4230PANP

　　· DFN2020-6 （SOT1118）封裝信息頁面：http://www.nxp.com/packages/SOT1118.html

　　關(guān)于恩智浦半導(dǎo)體

　　恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. （Nasdaq： NXPI） 以其領(lǐng)先的射頻、模擬、電源管理、接口、安全和數(shù)字處理方面的專長，提供高性能混合信號（High Performance Mixed Signal）和標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品解決方案。這些創(chuàng)新的產(chǎn)品和解決方案可廣泛應(yīng)用于汽車、智慧識別、無線基礎(chǔ)設(shè)施、照明、工業(yè)、移動、消費和計算等領(lǐng)域。公司在全球逾25個國家都設(shè)有業(yè)務(wù)執(zhí)行機構(gòu)，2012年公司營業(yè)額達(dá)到43.6億美元。更多恩智浦相關(guān)信息，請登錄公司官方網(wǎng)站www.nxp.com查詢。