利用現(xiàn)有DSC，設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在可考慮使用更高的工作頻率來減少電源中磁性元件和濾波電容的數(shù)量。頻率的升高會(huì)導(dǎo)致硬開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器（例如傳統(tǒng)全橋轉(zhuǎn)換器）中產(chǎn)生更高的開關(guān)損耗。一種較好的替代方案是選擇相對(duì)復(fù)雜的軟開關(guān)方法來減少開關(guān)損耗并提供較高的功率密度。

　　PSFB 轉(zhuǎn)換器是一種軟開關(guān)拓?fù)?，使用寄生電容（例?a href="http://www.nxhydt.com/tags/mosfet/" target="_blank">MOSFET 和IGBT 等開關(guān)器件的輸出電容）和變壓器的漏電感來實(shí)現(xiàn)諧振轉(zhuǎn)換。這種諧振轉(zhuǎn)換可以使開關(guān)器件在接通時(shí)兩端電壓為零，從而消除其接通時(shí)的開關(guān)損耗。

　　PSFB 轉(zhuǎn)換器已廣泛用于轉(zhuǎn)換器的功率密度和頻率至關(guān)重要的電信和服務(wù)器應(yīng)用中。PSFB 轉(zhuǎn)換器的常規(guī)工作在許多文章中都有介紹，我們將在此基礎(chǔ)上展示DSC 如何進(jìn)一步提高性能。

　　圖2：相移全橋轉(zhuǎn)換器

　　帶傳統(tǒng)同步MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的相移全橋轉(zhuǎn)換器

　　為確保用戶安全以及符合監(jiān)管機(jī)構(gòu)制定的規(guī)則，大多數(shù)直流-直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)有隔離變壓器。額定值較高的電源在初級(jí)設(shè)計(jì)有PSFB 拓?fù)?，在次?jí)設(shè)計(jì)有全波同步整流器，以實(shí)現(xiàn)較高效率。

　　在PSFB 轉(zhuǎn)換器中，如果使用傳統(tǒng)方法控制的同步MOSFET 配置，則MOSFET 的Q1、Q3 或Q2、Q4 應(yīng)處于導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，沒有任何功率從初級(jí)傳輸?shù)酱渭?jí)，并且MOSFET Q5 仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。

　　由于轉(zhuǎn)換器的次級(jí)側(cè)存在電感（Lo），因此輸出電感中的能量在MOSFET Q5 和變壓器（Tx）的次級(jí)線圈之間循環(huán)。電流會(huì)通過MOSFET 的通道或通過MOSFET 的內(nèi)部二級(jí)管持續(xù)流經(jīng)變壓器次級(jí)線圈。由于電流會(huì)從次級(jí)反射到初級(jí)，所以在初級(jí)的零狀態(tài)（初級(jí)到次級(jí)無任何能量傳輸）期間將存在環(huán)流，這會(huì)導(dǎo)致轉(zhuǎn)換器中出現(xiàn)損耗。與額定輸入電壓的情況相比，這些環(huán)流損耗在較高的電壓下尤其明顯。此外，為避免跨導(dǎo)，在Q5 和Q6 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)之間有意地引入一個(gè)死區(qū)。在此期間，任何同步MOSFET 均不會(huì)導(dǎo)通。因此，電流將流經(jīng)MOSFET 內(nèi)部二極管。與MOSFET 的Rds（ON）相比，這些MOSFET 內(nèi)部二極管具有高正向壓降，即（VF * I）》（I2rms*Rds（on））。

　　通過疊加?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)信號(hào)，可防止傳統(tǒng)的同步柵極驅(qū)動(dòng)中產(chǎn)生較高損耗，這將在下一部分中介紹。

　　圖3：同步MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)的傳統(tǒng)配置

　　同步MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的疊加

　　通過疊加同步MOSFET 的PWM 柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，可避免在變壓器初級(jí)側(cè)的零狀態(tài)期間發(fā)生損耗。這將在以下三個(gè)方面提高電源效率。

　　首先，在中心分接的全波整流器中，疊加同步MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)將消除變壓器次級(jí)中心分接線圈中的磁通，這樣在變壓器次級(jí)和初級(jí)之間實(shí)際上不會(huì)有磁通。

　　其次，兩個(gè)同步MOSFET 和兩個(gè)變壓器中心分接線圈同時(shí)導(dǎo)通，而不是一個(gè)同步MOSFET 和一個(gè)中心分接變壓器導(dǎo)通。因此，次級(jí)電流將只有一半的有效電阻，與只有一個(gè)同步MOSFET 導(dǎo)通的情況相比，損耗會(huì)降低一半。

　　圖4：疊加同步MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)以提高效率

　　最后，在傳統(tǒng)的開關(guān)方法中，有意引入的死區(qū)可能為開關(guān)周期的10%，并且在該死區(qū)期間，高次級(jí)電流將流經(jīng)MOSFET 的高正向壓降內(nèi)部二極管。通過配置同步MOSFET 的PWM 柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)疊加，高次級(jí)電流可流經(jīng)MOSFET 通道。在這種情況下，將只有Rds（ON）損耗，其與死區(qū)中MOSFET 內(nèi)部二極管導(dǎo)致的損耗相比非常小。對(duì)于具有電信輸入（36 至76 VDC）的系統(tǒng)，通過疊加同步MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，直流-直流轉(zhuǎn)換器的效率將提高3 - 4%.

　　實(shí)現(xiàn)這些技術(shù)需要靈活的具有完全獨(dú)立PWM 輸出的電源控制器。DSC（例如dsPIC？ DSC）提供了靈活性以及PWM 外設(shè)，可輕松實(shí)現(xiàn)此技術(shù)和其他效率提升技術(shù)。

　　結(jié)論

　　PSFB 拓?fù)渚哂袑?shí)現(xiàn)現(xiàn)代電源所需效率的潛力。數(shù)字控制使設(shè)計(jì)人員能夠非常精確地控制PSFB拓?fù)浜蛯?shí)現(xiàn)高級(jí)控制技術(shù)（例如疊加同步MOSFET）。新拓?fù)?、新技術(shù)及新理念正在推動(dòng)電源進(jìn)入二十一世紀(jì)。數(shù)字控制器（例如Microchip 的dsPIC？ DSC）已經(jīng)為未來的電源需求做好了準(zhǔn)備。