Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:44
1092 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 Vishay具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 為滿足電動汽車市場的需求，英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產品經過專門優化，可以滿足電動汽車應用 （如車載充電器、HV-LV DC-DC 轉換器和輔助電源）的要求。
2020-05-31 09:15:361509 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311168 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:321787 隨著新產品的發布，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產品組合
2020-02-26 08:26:001315 Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
功率密度。得益于此，英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中。較之競爭對手的D2PAK封裝產品，這個新的產品家族的額定參數高于市場上的所有其他產品，其他組合封裝
2018-10-23 16:21:49
逆變器等中高功率領域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率。 關斷波形圖（650V/10A產品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
`<p><font face="Verdana">N溝道MOSFET概述<br/&
2010-08-17 09:21:57
為正時，它充當增強型MOSFET。N溝道場效應管與P溝道場效應管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負載，當柵極施加正電壓時，FET導通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
`N溝道增強型MOSFET TDM31066[/td][/td][td=499]一般描述一般特征該TDM31066采用先進的溝槽技術RDS（ON）<18.2mΩ@ VGS = 4.5V
2019-01-24 11:00:12
[table=98%]N溝道增強型MOSFET TDM3550[/td][td=363]一般描述一般特征該TDM3550采用先進的溝槽技術◆40V/ 100A[tr]提供優異的RDS（ON）和低門電荷。[td=331]◆RDS（ON）
2018-11-16 13:42:48
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
，合適于功率MOSFET的應用。這種結構稱為垂直導電雙擴散MOS結構VDMOSFET（Vertical Double Diffused MOSFET）。N溝道MOSFET襯底為高摻雜的N+襯底，高摻雜溝道
2016-10-10 10:58:30
e圖2：空穴和電子的遷移率遷移率和tc成正比，由于空穴的有效質量比較大，因此在同樣的摻雜濃度下，空穴的遷移率遠小于電子，這意味著：同樣的晶元面積，P溝道的功率MOSFET的導通電阻也遠大于N溝道的功率
2016-12-07 11:36:11
BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A
2019-11-13 11:00:58
LT1158上單個輸入引腳的典型應用同步控制圖騰柱配置中的兩個N溝道功率MOSFET
2019-05-28 09:02:21
LT1160的典型應用 - 半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器。 LT 1160 / LT1162是經濟高效的半橋/全橋N溝道功率MOSFET驅動器
2019-05-14 09:23:01
子的歐姆區域（ohmic region），MOSFET“完全導通”。在對比圖中，N溝道歐姆區的VGS是7V，而P溝道的是-4.5V。隨著柵極電壓增加，歐姆曲線的斜率變得更陡，表明器件導電能力更強。施加
2018-03-03 13:58:23
合作的實力中低壓MOS場效應管供應商。我們的優勢：廠家直銷，價格優勢，貨源充足，品質保證。供應中低壓MOS管，供應替代AO系列MOS管。SL2060場效應管 20V85A N溝道功率MOS管【100V
2020-06-20 10:05:27
`SL3402 30V4A 40毫歐SOT23-3LSL3402 N溝道場效應管 30V4A的功率MOS管深圳聚能芯半導體專業中低壓mos管，經驗豐富，實力雄厚，技術支持。是您值得信賴合作的實力中低
2020-06-22 10:53:25
120 、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無恢復損耗的體二極管.驅動方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請關注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
`深圳市三佛科技有限公司 供應 ITA07N65650V 7A N溝道 MOS管 7N65，原裝，庫存現貨熱銷ITA07N657A 650V TO-220FN溝道 MOS管 /場效應管
2021-03-24 10:35:56
50MR；TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數：應用：高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
圖1為二個P溝道的功率MOSFET組成的充電電路，P溝道的功率MOSFET的型號為：AO4459。Q3和R1實現恒流或限流充電功能，Q4控制電路的工作。圖1：P溝道MOSFET組成充電電路電路工作
2017-04-06 14:57:20
N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?增強型和耗盡型的哪個常用?
2019-05-13 09:00:00
LT1336的典型應用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅動器。浮動驅動器可以驅動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作
2019-05-10 06:46:05
。功率 MOSFET 的分類及優缺點和小功率 MOSFET 類似，功率 MOSFET 也有分為 N 溝道和 P 溝道兩大類；每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。雖然耗盡型較之增強型有不少的優勢，但實際上
2019-11-17 08:00:00
，N溝道歐姆區的VGS是7V，而P溝道的是-4.5V。隨著柵極電壓增加，歐姆曲線的斜率變得更陡，表明器件導電能力更強。施加的柵極電壓越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些應用中
2021-04-09 09:20:10
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
/252T屬性參數值商品目錄場效應管(MOSFET)[/td]類型N溝道漏源電壓(Vdss)650V連續漏極電流(Id)4A功率(Pd)50W導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω 10V,2A
2021-09-09 15:47:31
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
600V IGBT3，全新芯片具備更出色的關斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外，該器件的短路能力大幅增強。而600V IGBT3主要適用于低功率應用或雜散電感很低的高功率應用。650V IGBT4的設計與技術
2018-12-07 10:16:11
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
（800V）【低噪聲SJ MOSFET：EN系列】R60xxENx系列（600V）R65xxENx系列（650V）*開發中【高速SJ MOSFET：KN系列】R60xxKN系列（600V）R65xxKNx
2018-12-03 14:27:05
LND12N65 n溝道650V 12A功率mosfet管特征 ■ 低RDS(on) ■ 低柵極電荷（ (typ. Qg = 41.9 nC
2021-11-22 10:44:13
Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
Vishay Siliconix推出業界性能最先進的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52711 安森美新增100V N溝道MOSFET系列：NTP641x/NTB641x/NTD641x
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導體經過完備測試的N溝道功率MOSF
2010-02-05 08:37:091769 Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關速度，應用工作電壓高達650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181447 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴充N溝道功率MOSFET
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30V產品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161107 P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351550 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:261672 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數據中心電源系統要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371290 Vishay 宣布對其使用Trench MOS勢壘肖特基技術的TMBS?整流器產品組合進行大幅擴充。Vishay今天共發布采用4種封裝類型、電流等級從10A至60A的20款45V器件
2011-03-21 11:09:171028 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導通電阻上設立了新的行業基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 里首款MOSFET--- SiHx25N50E，該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導通電阻和低開關損耗優點。
2014-10-09 12:59:191468 
2014年10月21日，北京——全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:421975 賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 5 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的650V EF系列器件
2016-05-12 14:01:14746 意法半導體推出新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷經濟的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷經濟的能效解決方案，適用于暖通空調系統（HVAC
2016-11-02 17:19:431958 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業和企業級電源提供
2017-02-10 15:10:111667 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點（相比第二代）ROHM第三代設計應用于650V和1200V產品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。
2018-08-20 17:26:299042 最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:01380 作為碳化硅技術全球領先企業的科銳（Cree Inc．， 美國納斯達克上市代碼：CREE）公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產品組合，適用于更廣闊的工業應用，助力新一代電動汽車車載充電、數據中心和其它可再生能源系統應用，提供業界領先的功率效率。
2020-04-02 15:37:563648 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 電源系統中的恒定電流源，固態繼電器，電信開關和高壓直流線路等應用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率
2021-05-27 12:18:587444 
在高溫下，溫度系數會顯著改變擊穿電壓。例如，一些600V電壓等級的N溝道MOSFET的溫度系數是正的，在接近最高結溫時，溫度系數會讓這些MOSFET變得象650V MOSFET。
2021-03-11 09:50:583725 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管
2021-03-26 16:40:202349 
Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術。
2021-04-21 17:50:211274 
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 東芝拓展650V超結結構N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發布JH920 東芝拓展新一代超級結結構N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產品線 東芝電子元件及存儲裝置株式會社 （“東芝
2022-03-18 17:35:264581 650V 60mΩ SiC MOSFET主要應用市場包括光伏和儲能、驅動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強勁，高達59%。
2022-08-02 15:06:55614 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 
Wolfspeed 新款車規級 E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設計人員滿足 EV 車載充電機應用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術
2022-11-07 09:59:21917 650V 快速恢復 SuperFET? II MOSFET 在諧振拓撲中實現高系統效率和可靠性
2022-11-14 21:08:36
0 20 V、共漏極 N 溝道溝槽 MOSFET-PMCM650CUNE
2023-02-23 19:09:280 12 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMCM650VNE
2023-02-27 19:05:590 Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結構設計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產品具備卓越的性能和廣泛的應用領域。 產品特點： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34693 繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品 ，相較于傳統的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
電子發燒友網站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:06:570 電子發燒友網站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:12:250 電子發燒友網站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:30:151 電子發燒友網站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:33:490 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業、計算機、消費電子和通信應用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08355 
3月8日，瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38287 
近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0294 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14104 近日，瞻芯電子宣布其研發的三款第二代650V SiC MOSFET產品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規級可靠性認證，這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領域的持續創新與技術突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品，這些產品不僅通過了嚴格的車規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279
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