功率器件產(chǎn)品線主要包括IGBT、MOSFET、晶閘管、二極管與TVS等，其中IGBT集成度最高，結(jié)構(gòu)最復(fù)雜，同硅基材料中能承受最高的工作電壓，具有最高價(jià)值量。目前國外IGBT主要廠商有英飛凌、富士
2020-07-27 10:28:09
8757 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)已經(jīng)擴(kuò)充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合，為電機(jī)驅(qū)動設(shè)計(jì)者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低損耗和短路耐用性至關(guān)重要的三相電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用
2012-09-10 09:59:45613 飛兆半導(dǎo)體的高電壓場截止陽極短路（Shorted Anode） trench IGBT可針對IH電飯煲、臺式電磁爐和基于逆變器的微波爐等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高的效率和系統(tǒng)可靠性，為設(shè)計(jì)人員提供經(jīng)濟(jì)實(shí)惠且高效的解決方案。
2013-01-29 13:48:08793 在IGBT短路時(shí)，假設(shè)在導(dǎo)通時(shí)短路，此時(shí)IGBT驅(qū)動電壓達(dá)到穩(wěn)定高值，就是IGBT已經(jīng)完全導(dǎo)通，此時(shí)刻觸發(fā)外部電路短路，用示波器查看驅(qū)動電壓、CE電壓和輸出電流，變頻器在極短的時(shí)間內(nèi)響應(yīng)后，驅(qū)動電壓
2024-02-25 11:31:12
和可靠性，因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。IGBT是近代新發(fā)展起來的全控型功率半導(dǎo)體器件，它是由MOSFET（場效應(yīng)晶體管）與GTR（大功率達(dá)林頓晶體管）結(jié)合，并由前者擔(dān)任驅(qū)動，因此具有
2018-10-17 10:05:39
l 華潤微
成立時(shí)間：1997年
業(yè)務(wù)模式：IDM
簡介：中國最大的功率器件企業(yè)之一，主要產(chǎn)品包括以MOSFET、IGBT 為代表的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品和以光電傳感器、煙報(bào)傳感器、MEMS 傳感器為主
2023-10-16 11:00:14
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-05-06 05:00:17
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-03-27 06:20:04
點(diǎn)擊: 功率半導(dǎo)體器件 &
2008-08-03 17:05:29
電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上)電子器件。可以分為半控型器件
2021-09-09 06:29:58
功率半導(dǎo)體基本開關(guān)原理
2011-05-03 22:07:52
`本書主要針對的是半導(dǎo)體使用客戶，并把基礎(chǔ)理論作了簡單的闡述歸納總結(jié)。本手冊站在用戶的角度上，去了解IGBT、MOSFET功率模塊以及零散或集成的二極管和晶閘管(可控硅)。詳細(xì)介紹了它們的基本數(shù)
2018-09-06 16:30:02
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
功率半導(dǎo)體的工作原理.資料來自網(wǎng)絡(luò)資源分享
2021-08-06 22:54:59
所在各類半導(dǎo)體功率器件中，未來增長強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導(dǎo)體市場仍由歐美日企業(yè)主導(dǎo)，其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對領(lǐng)先地位。全球功率半導(dǎo)體前十名供應(yīng)商
2022-11-11 11:15:56
近年來，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前,我國已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
，是復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院博士、復(fù)醒科技創(chuàng)始人&CEO、芯千同集成電路有限公司CEO、上海市新銳創(chuàng)業(yè)企業(yè)獎獲者、上海市互聯(lián)網(wǎng)+大賽銅獎獲得者。他致力于打造半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)學(xué)融合數(shù)字化平臺，平臺
2023-06-01 14:52:23
半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
功率半導(dǎo)體的熱管理對于元件運(yùn)行的可靠性和使用壽命至關(guān)重要。本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹的愛普科斯(EPCOS)負(fù)溫度系數(shù)(NTC)和正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻系列，可以幫助客戶可靠地監(jiān)測半導(dǎo)體元件的溫度。
2020-08-19 06:50:50
一個半導(dǎo)體（semiconductor）閘流管通常具有3個電極：一個陽極，一個陰極和一個門（控制電極）。
2019-10-31 09:02:25
并符合最新能源之星規(guī)范和 2013 ERP ErP 待機(jī)功率規(guī)定（ATX 電源和 LCD TV 電源在 0.25W 負(fù)載下小于 0.5W 的功耗），飛兆半導(dǎo)體已經(jīng)開發(fā)了若干項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，以提高空載和輕
2012-11-24 15:24:47
2011年第二季錄得了強(qiáng)勁的銷售增長，達(dá)到第二季銷售指引的高端。飛兆半導(dǎo)體功率轉(zhuǎn)換、工業(yè)及汽車部門 (PCIA) 銷售額繼續(xù)增長7%，這是因?yàn)槲覀冊黾恿松a(chǎn)能力，以便滿足工業(yè)、汽車和電器客戶對高壓解決方案
2011-07-31 08:51:14
飛兆半導(dǎo)體推業(yè)界領(lǐng)先的高壓柵極驅(qū)動器IC
2016-06-22 18:22:01
【來源】：《電子與電腦》2010年02期【摘要】：<正>飛兆半導(dǎo)體(Fairchild Semiconductor)針對現(xiàn)今許多視頻產(chǎn)品平臺逐步淘汰S-video,以及
2010-04-23 11:26:55
，飛兆半導(dǎo)體公司開發(fā)了下一代TinyBuck調(diào)節(jié)器系列產(chǎn)品，由集成式POL調(diào)節(jié)器組成，包含恒定導(dǎo)通時(shí)間的PWM控制器，以及帶有高端和低端MOSFET的驅(qū)動器。 FAN23xx系列可極大地提升終端用戶
2018-09-27 10:49:52
為了應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為大、中、小功率范圍LED照明應(yīng)用提供廣泛的LED照明解決方案。 飛兆半導(dǎo)體
2011-07-13 08:52:45
效率）。這些柵極驅(qū)動光耦合器的峰值工作電壓高達(dá) 1414V，能夠配合高壓IGBT。 飛兆半導(dǎo)體是光電子產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商，提供廣泛的封裝平臺并集成各種不同的輸入和輸出配置組合，飛兆半導(dǎo)體提供用于低頻
2012-12-06 16:16:33
飛思卡爾半導(dǎo)體飛思卡爾半導(dǎo)體公司正在擴(kuò)展其 8 位微控制器 (MCU) 系列，新推出的器件是要求低功率操作和高級顯示功能的個人診斷和便攜式醫(yī)療產(chǎn)品的理想之選。作為其液晶顯示器 (LCD) S08LL
2019-07-26 06:56:09
為了幫助解決引發(fā)溫室效應(yīng)及全球變暖的汽車排放問題，飛思卡爾半導(dǎo)體現(xiàn)已在32位汽車微控制器（MCU）系列中引入集成的排放控制技術(shù)。與飛思卡爾其它動力總成微控制器類似，這些MCU幫助減少二氧化碳廢氣，為新興市場提供經(jīng)濟(jì)高效且精密的引擎控制設(shè)計(jì)。
2019-06-26 06:01:27
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FAN3111C器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動器解決方案
2019-09-27 08:47:28
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FAN7346器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動器解決方案
2019-09-29 10:05:34
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FAN7382器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動器解決方案
2019-09-29 06:34:48
RD-400，參考設(shè)計(jì)支持將FSL138MRT器件納入用于工業(yè)照明應(yīng)用的離線100W CCCV LED電源的設(shè)計(jì)中。 RD-400參考設(shè)計(jì)利用多種先進(jìn)的飛兆半導(dǎo)體技術(shù)，提供完整的LED驅(qū)動器解決方案
2019-09-27 08:41:49
前言全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM利用多年來在消費(fèi)電子領(lǐng)域積累的技術(shù)優(yōu)勢，正在積極推進(jìn)面向工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品陣容擴(kuò)充。在支撐"節(jié)能、創(chuàng)能、蓄能"技術(shù)的半導(dǎo)體功率元器件領(lǐng)域，ROHM
2019-07-08 08:06:01
，功率半導(dǎo)體器件在不斷演進(jìn)。自上世紀(jì)80年代起，功率半導(dǎo)體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應(yīng)用類型。其中IGBT經(jīng)歷了器件縱向結(jié)構(gòu)、柵極結(jié)構(gòu)以及硅片加工工藝等7次技術(shù)演進(jìn)，目前可承受
2019-02-26 17:04:37
簡單、損耗更小，因此成為高壓柔性直流輸電領(lǐng)域核心器件。近年來，我國長距離高壓柔性直流輸電領(lǐng)域發(fā)展迅猛，IGBT器件也因此具備十分廣闊的應(yīng)用前景。長期以來，IGBT的核心技術(shù)和產(chǎn)業(yè)大多為歐美和半導(dǎo)體廠商
2015-01-30 10:18:37
Fairchild可控硅、回收FairchildMOSFET回收FairchildMOS管 回收Fairchild功率MOSFET、回收飛兆電力半導(dǎo)體收購飛兆功率晶體管 收購飛兆功率模塊 、收購飛兆IGBT
2020-07-25 16:29:37
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
亞太地區(qū)十大半導(dǎo)體供應(yīng)商排行榜1. 英特爾（Intel) 2. 三星電子（Samsung Electronics) 3. 德州儀器
2008-05-26 14:27:18
直接影響轉(zhuǎn)換器的體積、功率密度和成本。 然而，所使用的半導(dǎo)體開關(guān)遠(yuǎn)非理想，并且由于開關(guān)轉(zhuǎn)換期間電壓和電流之間的重疊而存在開關(guān)損耗。這些損耗對轉(zhuǎn)換器工作頻率造成了實(shí)際限制。諧振拓?fù)淇梢酝ㄟ^插入額外的電抗
2023-02-21 16:01:16
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢？
2021-06-26 06:14:32
所在各類半導(dǎo)體功率器件中，未來增長強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導(dǎo)體市場仍由歐美日企業(yè)主導(dǎo)，其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對領(lǐng)先地位。全球功率半導(dǎo)體前十名供應(yīng)商
2022-11-11 11:50:23
所在各類半導(dǎo)體功率器件中，未來增長強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導(dǎo)體市場仍由歐美日企業(yè)主導(dǎo)，其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對領(lǐng)先地位。全球功率半導(dǎo)體前十名供應(yīng)商
2022-11-11 11:46:29
部分客戶為判斷晶閘管的阻斷特性，使用兆歐表對器件進(jìn)行測試。由于該方法從原理上不能真實(shí)反映器件的性能，而且可能對器件具有一定的損壞性，因而一般半導(dǎo)體產(chǎn)品，均不推薦采用兆歐表測試。兆歐表的基本原理是采用
2013-11-11 15:14:11
變速驅(qū)動的需求是什么兼顧性能、成本的高壓功率半導(dǎo)體驅(qū)動IC應(yīng)用
2021-04-21 07:06:40
價(jià)值獎10個、創(chuàng)新突破獎10個、自主品牌獎10個、十佳分銷商獎10個、誠信企業(yè)獎20個。在此次評選中，華秋電子榮獲十佳分銷商獎。 長期以來，電子行業(yè)呈現(xiàn)“物料采購周期長、采購成本高、工藝及品質(zhì)管控雜亂
2023-02-27 15:11:40
Fairchild超快二極管回收Fairchild可控硅回收FairchildMOSFET回收FairchildMOS管回收Fairchild功率MOSFET 回收飛兆電力半導(dǎo)體收購飛兆功率晶體管收購飛兆功率模塊
2021-04-23 16:25:33
Semiconductor) 為大、中、小功率范圍LED照明應(yīng)用提供廣泛的LED照明解決方案。 飛兆半導(dǎo)體解決方案的特點(diǎn)是在單一IC上高度集成各種元件，配合高效和先進(jìn)的電路拓?fù)洌瑥V泛應(yīng)用于1W或以
2011-07-15 21:47:14
價(jià)值獎10個、創(chuàng)新突破獎10個、自主品牌獎10個、十佳分銷商獎10個、誠信企業(yè)獎20個。在此次評選中，華秋電子榮獲十佳分銷商獎。長期以來，電子行業(yè)呈現(xiàn)“物料采購周期長、采購成本高、工藝及品質(zhì)管控雜亂
2023-02-27 14:52:41
公司的主要從事新能源汽車及傳統(tǒng)燃油汽車在內(nèi)的汽車業(yè)務(wù)、手機(jī)部件及組裝業(yè)務(wù)、二次充電電池及光伏業(yè)務(wù)，并積極拓展城市軌道交通業(yè)務(wù)領(lǐng)域；而比亞迪半導(dǎo)體主營功率半導(dǎo)體、智能控制 IC、智能傳感器及光電半導(dǎo)體
2021-05-14 20:17:31
國貨之光！比亞迪半導(dǎo)體IGBT帶快速恢復(fù)二極管，變頻器，逆變器，UPS，焊機(jī)，
2022-09-29 19:02:44
法半導(dǎo)體的SLLIMM-nano產(chǎn)品家族新增兩種不同的功率開關(guān)技術(shù)： · IGBT: IGBT: 3/5/8 A、600 V內(nèi)置超高速二極管的PowerMESH? 和溝槽場截止IGBT
2018-11-20 10:52:44
月初，安森美半導(dǎo)體的Ezairo? 7150 SL混合模塊(含Ezairo7100音頻處理器和一個藍(lán)牙低功耗無線電)，獲選為高度覬覦的2016 ECN影響力獎(ECN IMPACT awards
2018-10-23 09:11:52
，以支持在整個低、中和高功率范圍的多樣化應(yīng)用。從用于車載媒體應(yīng)用到空調(diào)的器件，到用于內(nèi)燃機(jī)(ICE)、混合動力和純電動動力系統(tǒng)的高功率方案，安森美半導(dǎo)體正在不斷開發(fā)新產(chǎn)品，以幫助支持和加速汽車技術(shù)
2018-10-30 09:06:50
》和網(wǎng)站IoT Evolution World選為2017物聯(lián)網(wǎng)演進(jìn)年度產(chǎn)品獎。安森美半導(dǎo)體早就意識到需要做一些工作，來解決所需的多層次的開發(fā)和相關(guān)的能力，以激發(fā)基于互聯(lián)設(shè)備/對象的云服務(wù)潛力。團(tuán)隊(duì)
2018-10-29 08:51:36
電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上）電子器件。可以分為半控型器件
2019-03-03 07:00:00
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
,3700，7200， 以及HnK 鋁線機(jī)；Tester, Handler: 熟悉IGBT Module或者大功率器件測試機(jī)。要求：半導(dǎo)體設(shè)備維修維護(hù)經(jīng)驗(yàn)3年以上；大專學(xué)歷；理工科，機(jī)械、電子、自動化專業(yè)為佳
2014-04-04 14:20:56
了飽和壓降和開關(guān)損耗。此外，通過運(yùn)用陽極短路（SA）技術(shù)在IGBT裸片上集成反向并聯(lián)二極管這項(xiàng)相對較新的技術(shù)，使得FS IGBT非常適合軟開關(guān)功率轉(zhuǎn)換類應(yīng)用。 場截止陽極短路溝道IGBT與NPT
2018-09-30 16:10:52
Conversion；EPC)、GaNSystems與Transphorm等公司。各大功率半導(dǎo)體業(yè)者的不同GaN功率晶體管專利（來源：Yole）然而，這一市場也存在整并壓力，這一點(diǎn)從英飛凌收購IR、英飛凌
2015-09-15 17:11:46
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
“通過創(chuàng)新，電子系統(tǒng)將使汽車可以自動操作，使其更加安全、舒適和高效”。飛思卡爾半導(dǎo)體汽車及標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部亞太地區(qū)市場總監(jiān)Allen Kwang高度評價(jià)汽車電子的創(chuàng)新意義。而汽車電子創(chuàng)新顯然與動力、底盤、安全、車身、信息娛樂系統(tǒng)發(fā)展趨勢息息相關(guān)。
2019-07-24 07:26:11
Fairchild超快二極管回收Fairchild可控硅回收FairchildMOSFET回收FairchildMOS管回收Fairchild功率MOSFET回收飛兆電力半導(dǎo)體收購飛兆功率晶體管收購飛兆功率
2020-11-02 16:58:26
Fairchild功率MOSFET、回收飛兆電力半導(dǎo)體收購飛兆功率晶體管 收購飛兆功率模塊 、收購飛兆IGBT模塊、飛收購兆IGBT單管收購飛兆二極管 收購飛兆快恢復(fù)二極管 收購 飛兆超快二極管、收購
2020-10-16 16:18:12
與模塊類“優(yōu)秀產(chǎn)品獎” AMIS-49587獲2010《電子設(shè)計(jì)技術(shù)》創(chuàng)新獎通信與網(wǎng)絡(luò)類“優(yōu)秀產(chǎn)品獎” 獲中國《電子元件技術(shù)網(wǎng)》選為 “2010年電子元器件（分立半導(dǎo)體類）領(lǐng)軍廠商” NCP5680
2014-05-21 10:13:17
集成嵌入式功率半導(dǎo)體在電動車窗中有何應(yīng)用？
2021-05-14 06:11:55
賽米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半導(dǎo)體模塊，該模塊目前也可提供三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。與競爭對手的產(chǎn)品相比，新模塊擁有4.9 A/cm2的額定電流
2011-05-06 08:34:24870 《IGBT場效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)論》以新一代半導(dǎo)體功率器件IGBT為主線，系統(tǒng)地論述了場效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件的基礎(chǔ)理論和工藝制作方面的知識，內(nèi)容包括器件的原理、模型、設(shè)計(jì)、制
2011-11-09 18:03:37
0 功率、安全性、可靠度和效能差異化半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi） 宣佈其新一代1200V非貫穿型（non-punch through，NPT）系列的叁款IGBT新產(chǎn)品
2012-09-13 10:08:171624 
2014-08-29 14:43:3335 來源：羅姆半導(dǎo)體社區(qū)? 前言 我們說，IGBT的雙脈沖實(shí)驗(yàn)和短路實(shí)驗(yàn)一般都會在一個階段進(jìn)行，但是有的時(shí)候短路測試會被忽略，原因有些時(shí)候會直接對裝置直接實(shí)施短路測試，但是此時(shí)實(shí)際上并不是徹底和充分
2022-11-15 16:51:074457 除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。
2021-05-24 06:07:0013963 
關(guān)于IGBT，小編已經(jīng)寫過很多篇文章了。今天主要來講講什么是功率半導(dǎo)體？IGBT產(chǎn)品又是如何分類的？與芯片又有哪些不同呢？
2022-03-11 11:22:0414180 
我們都知道IGBT發(fā)生短路故障時(shí)會發(fā)生退飽和現(xiàn)象，如圖1所示。退飽和后IGBT會承受全母線電壓，同時(shí)集電極電流也上升至額定電流的5-6倍，因此IGBT發(fā)生短路時(shí)的瞬時(shí)功率是非常大的。
2022-09-26 16:32:583905 舉辦的“全球電子成就獎”頒獎禮上，比亞迪半導(dǎo)體超級混動DM4.0 IGBT模塊?榮膺“年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動器”創(chuàng)新產(chǎn)品獎。頒獎典禮上，比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司副總經(jīng)理?xiàng)顨J耀先生作為代表上臺領(lǐng)獎。 比亞迪半導(dǎo)體股份有限公司副總經(jīng)理?xiàng)顨J耀先生上臺領(lǐng)獎 據(jù)悉，全球電子成就獎由
2022-11-14 14:14:081009 適用于感應(yīng)加熱應(yīng)用的 Fairchilds 第二代場截止、陽極短路、溝槽 IGBT
2022-11-15 20:02:240 功率半導(dǎo)體發(fā)展過程在半導(dǎo)體功率器件中，MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，相比于功率二極管、功率三級管和晶閘管等電流控制型開關(guān)器件，具有易于驅(qū)動、開關(guān)速度快、損耗低等特點(diǎn)，應(yīng)用前景十分廣闊。
2022-11-28 16:18:583931 功率半導(dǎo)體器件也被稱作電力電子器件或功率器件，它是具有包括變頻、變壓、變流、功率管理等功率管理能力的一種特殊開關(guān)。在計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子、新能源、汽車、工業(yè)制造、等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。今天SPEA和大家重點(diǎn)介紹下功率器件中的明星IGBT模塊。
2023-02-02 15:07:35559 IGBT在MOSFET基礎(chǔ)上升級，市場空間增速快。IGBT作為半導(dǎo)體功率器件中的全控器件，由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應(yīng)
管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件
2023-02-15 16:26:3234 IGBT模塊可以分為低壓（600V以下），中壓（600V-1200V）和壓（1200V-6700V），IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極，陽極
2023-02-22 14:29:34900 ）雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432104 
什么是igbt短路測試？igbt短路測試平臺? IGBT短路測試是針對晶體管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）進(jìn)行的一種測試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:291042 功率半導(dǎo)體冷知識之二：IGBT短路時(shí)的損耗
2023-12-05 16:31:25240 
功率半導(dǎo)體冷知識：IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
2023-12-15 09:54:25311 
短路是什么原因造成的 igbt上下橋短路原因? 短路是一種電路故障，其特點(diǎn)是電流繞過正常的電路路徑，通過一條或多條低阻抗的路徑流過。IGBT是一種常見的功率半導(dǎo)體器件，可用于控制和放大電流
2024-02-18 10:08:38330 IGBT應(yīng)用中有哪些短路類型？ IGBT是一種主要用于功率電子應(yīng)用的半導(dǎo)體器件。在實(shí)際應(yīng)用中，IGBT可能會遭遇多種短路類型。下面，我將詳細(xì)介紹IGBT應(yīng)用中常見的短路類型。 1. IGBT內(nèi)部開路
2024-02-18 10:21:57222 IGBT過流和短路故障的區(qū)別? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，是一種半導(dǎo)體功率開關(guān)器件。在工業(yè)和電力領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，常常用于高壓、高電流的開關(guān)電源和逆變器中。然而，由于各種原因，IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32275 IGBT導(dǎo)通過程發(fā)生的過流、短路故障 IGBT導(dǎo)通過程中可能發(fā)生的過流、短路故障一直是電力電子領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)問題之一。IGBT 是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了普通晶體管的低壓控制能力和可靠性
2024-02-18 11:14:37247 意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
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