功率半導體器件種類眾多,按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類,其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大,是最主要的品類。
2020-11-25 16:45:502363 電機控制器的功率模塊,即IGBT器件和續流二極管,在開關和導通電流會產生損耗,損失的能量會轉化成熱能,表現為功率模塊發熱。
2023-07-12 15:53:142509 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡稱,其由雙極結型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)組成,是一種復合全控型電壓驅動式開關功率半導體器件,是實現電能轉換的核心器件,也是目前MOS-雙極型功率器件的主要發展方向之一。
2023-09-22 16:54:103340 功率電子器件是PCS的核心組成部分,主要實現電能的轉換和控制。而IGBT就是最為常用的功率器件,今天我們主要來學習IGBT。
2023-11-22 09:42:50514 我國擁有著最大的功率半導體市場,國內廠商在IGBT等高端器件在技術上與國際大公司相比還有著一些差距。從市場上看,雖然英飛凌、 三菱和富士電機等國際廠商目前占有絕對的市場優勢,但國內IGBT也在國產進程中呈顯出強勢崛起的姿態。
2021-10-09 08:00:003151 0前言家用逆變焊機因其體較小,操作方便,市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點,一般采用600V/650V規格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
`大家一起上傳IGBT并聯應用 功率器件交流群:215670829(500人) `
2013-03-25 11:19:45
IGBT功率模塊是電壓型控制,輸入阻抗大,驅動功率小,控制電路簡單,開關損耗小,通斷速度快,工作頻率高,元件容量大等優點。
2020-03-24 09:01:13
和可靠性,因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。IGBT是近代新發展起來的全控型功率半導體器件,它是由MOSFET(場效應晶體管)與GTR(大功率達林頓晶體管)結合,并由前者擔任驅動,因此具有
2018-10-17 10:05:39
回顧一下IGBT的工作原理,首先Gate控制MOSFET導通,產生Drain-to-Source的電流,而這個電流同時也是BJT的基區電流(Ib),而Ib*Rb就是BJT的Vbe,所以只要
2023-02-08 16:50:03
引起機械、化學、電氣等方面的問題越來越嚴重,嚴重制約著產品的質量和可靠性,因此,大功率元器件(IGBT模塊)的散熱問題成為當前電力電子應用領域備受關注的熱點。 隨著大功率電子原器件的不斷國產化,隨著研究
2012-06-20 14:58:40
【作者】:王丹;關艷霞;【來源】:《電子設計工程》2010年02期【摘要】:介紹功率器件的發展情況,隨后分析比較SJMOSFET與FS-IGBT兩種器件的工作原理及其性能特征,SJMOS-FET具有
2010-04-24 09:01:39
生產成本,縮小封裝體積。目前RC IGBT已成為各大IGBT生產商的研發熱點。早期的RC IGBT中FRD的性能難以優化,只有英飛凌推出小功率的1200V RC IGBT用于對FRD要求不高的電磁爐
2015-12-24 18:23:36
地使用MOSFET和IGBT,特別是IGBT獲得了更多的使用,開始全面取代可控硅來做為新型的功率控制器件。二.功率電子器件概覽(1).整流二極管:二極管是功率電子系統中不可或缺的器件,用于整流、續流等
2018-05-08 10:08:40
現有國產IGBT免費申請送樣,規格1200V/25A,試用后只需提供試用報告即可。有需要的請與我聯系。hyngng@yahoo.com.cn
2011-05-04 10:30:53
現在大家對國產IGBT的認識如何?覺得可以采用嗎?
2014-05-26 09:46:24
世界上量產FPGA的公司有來自美國硅谷的四大巨頭Xilinx、Altera、Lattice、Microsemi,以及唯一一家非美國FPGA公司——京微雅格。作為FPGA俱樂部的新秀,京微雅格的國產FPGA發展之途雖然充滿挑戰,但前途似錦。
2019-10-11 06:44:41
國產的電子元器件與進口的元器件相差有多大?
2016-02-27 23:01:08
性能。過流、過熱和欠壓檢測是IPM中常見的三種自我保護功能。在本文中,我們將介紹該技術的一些基本概念,并了解IPM如何從可用的IGBT器件中獲得最佳性能。 功率 BJT、MOSFET 和 IGBT
2023-02-24 15:29:54
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體(結晶多系),它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作,4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
,功率半導體器件在不斷演進。自上世紀80年代起,功率半導體器件MOSFET、IGBT和功率集成電路逐步成為了主流應用類型。其中IGBT經歷了器件縱向結構、柵極結構以及硅片加工工藝等7次技術演進,目前可承受
2019-02-26 17:04:37
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講,是一個非通即斷的開關
2019-07-16 07:30:00
作為國家科技重大專項——智能電網高壓芯片封裝與模塊技術研發及產業化項目的中國北車永濟電機公司以其研制的3300V IGBT器件產品,日前中標國家智能電網項目,成為我國首個高壓大功率IGBT產品批量
2015-01-30 10:18:37
所在各類半導體功率器件中,未來增長強勁的產品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前,全球功率半導體市場仍由歐美日企業主導,其中英飛凌以 19%的市占率占據絕對領先地位。全球功率半導體前十名供應商
2022-11-11 11:50:23
按照大功率 igbt 驅動保護電路能夠完成的功能來分類,可以將大功率 igbt 驅動保護電 路分為以下三種類型:單一功能型,多功能型,全功能型。
2019-11-07 09:02:20
電力電子技術在當今急需節能降耗的工業領域里起到了不可替代的作用;而igbt在諸如變頻器、大功率開關電源等電力電子技術的能量變換與管理應用中,越來越成為各種主回路的首選功率開關器件,因此如何安全可靠
2021-04-06 14:38:18
電子技術的能量變換與管理應用中,越來越成為各種主回路的首選功率開關器件,因此如何安全可靠地驅動igbt工作,也成為越來越多的設計工程師面臨需要解決的課題。 在使用igbt構成的各種主回路之中,大功率
2012-12-08 12:34:45
大功率開關電源常用元器件知識之 IGBT和IPM及其應用電路資料來自網絡資源分享
2021-06-01 18:37:04
測量和校核開關電源、電機驅動以及一些電力電子變換器的功率器件結溫,如 MOSFET 或 IGBT 的結溫,是一個不可或缺的過程,功率器件的結溫與其安全性、可靠性直接相關。測量功率器件的結溫常用二種方法:
2021-03-11 07:53:26
尋求國產器件推薦,工作溫區在-55~150℃,壓力100kPa~35MPa之間絕壓,表壓都有需求
2022-08-18 10:06:13
電動汽車、風能/太陽能逆變等所需的核心器件。2、IGBT特性簡介圖 1 功率MOSFET和IGBT結構示意圖IGBT是通過在功率MOSFET的漏極上追加一層P+層而構成的,其理想等效電路如下圖所示:圖 2
2015-12-24 18:13:54
我的IGBT輸出正常,為什么經過了升壓變壓器后就功率衰減很厲害。IGBT輸出有120KW,經過變壓器后僅有60KW,查了很久,都沒發現這60KW的功率損耗到了哪里?并且就算是損耗,我認為也不會有器件能承受得這60kw的功率,這種是什么情況呢。阻抗匹配嗎?
2012-08-15 09:36:35
功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保護,以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效應,過載,短路等條件所造成的損害。本在線
2018-11-05 15:38:56
本文對IGBT的功率和熱循環、材料選型以及電氣特性等問題和故障模式進行了探討。
2021-05-14 06:52:53
IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是電源應用中相當常見的器件,可用于交流電的電機控制輸出。由安森美半導體(ON Semiconductor)所推出
2019-07-18 06:12:00
功率器件包括功率 IC 和功率分立器件,功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導體器件,功率器件幾乎用于所有的電子制造業,所應用的產品包括計算機領
2009-04-27 17:04:3824 IGBT和MOSFET器件的隔離驅動技術:介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅動技術以及當前市場上的各類成品驅動器的性能特點。關鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅動 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:4656 IGBT高壓大功率驅動和保護電路的應用及原理
通過對功率器件IGBT的工作特性分析、驅動要求和保護方法等討
2009-10-09 09:56:011851 絕緣柵雙極晶體管(IGBT),IGBT是什么意思
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結構雙極器件,屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件
2010-03-04 15:54:154927 英飛凌RC-D功率開關器件系列在單一芯片上融合了市場領先的英飛凌專有技術TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續流二極管,具有很低的開關損耗和傳導損耗,并且減小了永磁電機驅
2011-05-31 09:00:421610 《IGBT場效應半導體功率器件導論》以新一代半導體功率器件IGBT為主線,系統地論述了場效應半導體功率器件的基礎理論和工藝制作方面的知識,內容包括器件的原理、模型、設計、制
2011-11-09 18:03:370 功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保護,以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效應,過載,短路等條件所造成的損害。這里介紹了為何光耦柵極驅動器能
2012-11-26 14:43:407693 目前國際功率半導體器件的主流主品功率MOS器件只是近年來才有所涉及,且主要為平面柵結構的VDMOS器件,IGBT還處于研發階段。
2017-09-20 17:46:5944 IGBT等功率器件的技巧。 1、如何避免米勒效應? IGBT操作時所面臨的問題之一是米勒效應的寄生電容。這種效果是明顯的在0到15V類型的門極驅動器(單電源驅動器)。門集-電極之間的耦合,在于IGBT關斷期間,高dV/dt瞬態可誘導寄生IGBT道通(門集電壓尖峰),這是潛在的危險。 當上半橋的I
2017-10-26 16:52:4614 壓接型IGBT器件以其耐受電壓高、電流密度大、控制功率低、開關速度快以及雙面散熱等優勢成為柔性直流輸電系統中換流閥和直流斷路器選用的理想器件。由于應用裝備的差異,換流閥和直流斷路器對于壓接型IGBT
2018-01-05 13:33:260 楊繼業告訴記者,我國功率半導體與國外IDM廠商相比在設備投入上還有待加強,在器件設計、工藝技術方面仍有差距,供應鏈也不夠完善。究其原因,一是作為后進者,國內IGBT缺乏時間考驗來建立品牌效應;二是
2018-02-19 03:24:006094 總而言之,在IGBT關鍵技術和工藝上國內廠商仍面臨不小的挑戰,特別是在減薄工藝、背面工藝等大功率器件技術難題上,仍要經受巨大的設備投入和技術成熟度考驗。不過,在政策利好和新能源汽車市場的促進下,國產
2019-10-18 08:39:255140 簡單講,是一個非通即斷的開關,IGBT沒有放大電壓的功能,導通時可以看做導線,斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優點,如驅動功率小和飽和壓降低等。
2020-06-05 11:33:1718549 電力電子器件(Power Electronic Device),又稱為功率半導體器件,用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數十至數千安,電壓為數百伏以上)電子器件。可以分為半控型器件
2022-12-08 14:48:341066 簡單講,是一個非通即斷的開關,IGBT沒有放大電壓的功能,導通時可以看做導線,斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優點,如驅動功率小和飽和壓降低等。
2020-10-12 17:48:494024 前言: 隨著全球制造業向中國的轉移,我國功率半導體市場占世界市場的50%以上,是全球最大的IGBT市場。 但IGBT產品嚴重依賴進口,在中高端領域更是90%以上的IGBT器件依賴進口,IGBT國產
2020-10-19 16:56:388939 除了IGBT外,功率半導體元器件(晶體管領域)的代表產品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導體開關。
2021-05-24 06:07:0013963 近些年是國內功率半導體器件迅猛發展的良好時機,國產半導體企業在MOSFET ,IGBT及SiC等產品領域的優秀表現吸引了越來越多的電力電子產品大廠的關注和應用。絕緣柵雙極型晶體管IGBT
2020-12-04 10:41:494788 隨著智能電網、汽車電氣化等應用領域的發展,功率半導體器件逐漸往高壓、高頻方向發展,功率分立器件的演進路徑基本為二極管→晶閘管→MOSFET→IGBT,其中,IGBT是功率半導體新一代中的典型產品。
2021-03-29 15:27:077347 IGBT熱阻的研究對于延長IGBT的使用壽命和提高其應用可靠性具有重要的現實意義,目前獲取IGBT熱阻參數的試驗方法多為熱敏參數法,該方法方便簡潔、對硬件要求低,但是傳統的熱敏參數法需要測量器件
2021-04-29 09:15:084005 IGBT器件的大功率DCDC電源并聯技術(通信電源技術2019第七期)-該文檔為基于IGBT器件的大功率DCDC電源并聯技術總結文檔,是一份不錯的參考資料,感興趣的可以下載看看
2021-09-22 12:39:1950 電子發燒友網報道(文/李寧遠)在上一期中,已經提到作為一種功率半導體,IGBT應用非常廣泛,小到家電、大到飛機、艦船、交通、電網等戰略性產業。IGBT已經全面取代了傳統的Power MOSFET
2021-10-12 11:13:212766 據市場反饋,應用于高壓的超結MOSFET和IGBT需求旺盛,安森美已經停止了車用IGBT的接單,英飛凌、ST等IGBT交期超過了一年。根據富昌電子2022Q2市場行情報告,功率器件(MOSFET,IGBT)多數貨期在30~60周,且仍有上升的趨勢。
2022-07-28 09:24:443204 ? ? 作為現代產業發展的基礎,功率半導體器件在物聯網、新能源、節能環保、智能電網及電機等各領域廣泛應用,國產功率半導體市場也迎來良好的發展前景和巨大的進口替代市場。中微半導(688380.SH
2022-12-06 14:12:54422 功率半導體器件也被稱作電力電子器件或功率器件,它是具有包括變頻、變壓、變流、功率管理等功率管理能力的一種特殊開關。在計算機、通信、消費電子、新能源、汽車、工業制造、等領域有著廣泛的應用。今天SPEA和大家重點介紹下功率器件中的明星IGBT模塊。
2023-02-02 15:07:35559 功率器件是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心,主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流,比如晶閘管主要用于直流輸電領域。 MOSFET高頻、功率
2023-02-07 09:52:535904 IGBT在MOSFET基礎上升級,市場空間增速快。IGBT作為半導體功率器件中的全控器件,由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場效應
管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件
2023-02-15 16:26:3234 1700V以下大功率IGBT智能驅動模塊使用手冊 (采用100%國產化元器件設計) 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驅動模塊是特別為100%國產化需求企業推出的一款可靠、安全的高性能驅動模塊
2023-02-16 15:01:5512 什么是IGBT 所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件其具有自關斷的特征。 簡單
2023-02-22 15:01:420 說明:IGBT 功率器件損耗與好多因素相關,比如工作電流,電壓,驅動電阻。在出設計之前評估電路的損耗有一定的必要性。在確定好功率器件的驅動參數后(驅動電阻大小,驅動電壓等),開關器件的損耗基本上
2023-02-22 14:05:543 IGBT功率模塊是電壓型控制,輸入阻抗大,驅動功率小,控制電路簡單,開關損耗小,通斷速度快,工作頻率高,元件容量大等優點。實質是個復合功率器件,它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優點于一體化。
2023-02-22 15:34:002490 本測試設備可對大功率IGBT器件進行功率循環耐久性試驗,以確認IGBT器件承受結溫波動的能力,通過試驗前后各種電參數變化判斷IGBT器件內部制造工藝可靠性及器件的使用壽命,用于研究電力電子
2023-02-23 09:48:244 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,具有高輸入阻抗、低導通壓降、高速開關特性和低導通狀態損耗等特點,在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。
2023-03-22 09:37:443448 絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,具有高輸入阻抗和低導通壓降的優點。
2023-04-15 14:23:581288 IGBT應用領域和IGBT燒結銀工藝自20世紀80年代末開始工業化應用以來,IGBT發展迅速,不僅在工業應用中取代了MOS和GTR,還在消費類電子應用中逐步取代了BJT、MOS等功率器件的眾多
2022-04-13 15:33:13695 在功率器件中,IGBT模塊備受各行業青睞,甚至還入選了我國重大科技專項重點扶持項目。它兼具MOSFET(絕緣柵型場效應管)及BJT(雙極型三極管)兩類器件優勢,開關速度快、輸入阻抗高、控制功率
2022-09-27 11:36:06972 IGBT是一種功率器件,在功率逆變器中承擔功率轉換和能量傳輸的功能。它是逆變器的心臟。同時,IGBT也是功率逆變器中最不可靠的元件之一。它對器件的溫度、電壓和電流非常敏感。稍有超出,就會變得無能
2023-03-30 10:29:45992 )雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(MetalOxideSemiconductor,MOS)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有(Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432104 根據IGBT的產品分類來看,按照其封裝形式的不同,可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301502 森國科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運輸能力及低損耗的優點。
2023-07-26 17:34:13355 摘要: 針對傳統結構超結 IGBT 器件在大電流應用時的電導調制效應較弱,削弱了 IGBT 器
件低飽和導通壓降優點的問題,設計了 p 柱浮空的超結 IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 車用IGBT器件技術概述
2023-08-08 10:00:312 功率半導體器件在現代電力控制和驅動系統中發揮著重要作用。IGBT模塊和IPM模塊是其中兩個最為常見的器件類型。它們都可以用于控制大功率負載和驅動電機等應用,但是它們的內部結構和功能有所不同,那么
2023-09-04 16:10:494677 功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當然功率半導體元件除了IGBT之外,還有MOSFET、BIPOLAR等,這些都能用來作為半導體開關,今天單說IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:521086 IGBT 屬于功率半導體器件, 在新能源汽車領域, IGBT 作為電子控制系統和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:04358 IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor Module)是一種集成了多個IGBT芯片、驅動電路、保護電路等功能的模塊化電子元件。它是一種用于高功率電力電子設備中的半導體器件,常用于高壓、高電流的交流/直流變換器、逆變器和直流/直流變換器中。
2023-10-27 11:40:052515 功率器件分為泛材類器件與IGBT器件兩類,IGBT器件是開關器件,優勢在于體積小、壽命長、可靠性高,現在市場上使用程度最大的是第4代器件,全球龍頭企業為英飛凌,其現在的IGBT器件為商業化的第七代,主要應用于乘用車、光伏和風電能源領域。
2023-11-08 11:49:33282 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區別是什么? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種高壓、高電流功率半導體器件,常被用于
2023-11-10 14:26:281269 電子發燒友網站提供《隔離驅動IGBT等功率器件的技巧.doc》資料免費下載
2023-11-14 14:21:590 。 在同期舉辦的2023電源行業配套品牌頒獎晚會上,宏微科技憑借先進的技術實力和創新的產品能力,榮獲“ 國產功率器件行業卓越獎 ”、 “ 功率器件-IGBT行業優秀獎 ” 雙料大獎。 世紀電源網是電源行業有影響力的技術交流 平 臺,此次評選通過
2023-12-26 20:00:02304 在第十四屆亞洲電源技術發展論壇上,龍騰半導體以其卓越的品質、出色的市場表現和技術創新能力,榮獲了“國產功率器件行業卓越獎”。這一榮譽不僅是對龍騰半導體的肯定,更是對其在推動國產功率器件行業發展中的突出貢獻的認可。
2024-01-04 15:35:33257 ,硅基IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和碳化硅(SiC)功率器件是兩種主流的解決方案,它們在新能源汽車中有著各自獨特的應用特點。
2024-01-15 09:51:54518 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種功率半導體器件,結合了絕緣柵場效應晶體管(MOSFET)和雙極型晶體管(BJT)的特點。IGBT被廣泛應用于電力
2024-01-22 11:14:57273 Field-Effect Transistor)的控制性能,又具有異質結的管子功率特性。IGBT也是一個開關器件,可以在高電壓和高電流條件下工作,并且被廣泛應用于各種電力電子設備中。 IGBT由三個主要區域組成
2024-02-01 13:59:45458 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種半導體功率器件。它結合了MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)和雙極型晶體管的特性。
2024-02-06 10:47:041019 IGBT器件的結構和工作原理
2024-02-21 09:41:59288 IGBT 屬于功率半導體器件, 在新能源汽車領域, IGBT 作為電子控制系統和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動汽車的動力釋放速度,車輛加速能力和高速度.IGBT 功率器件作用新能源汽車應用中
2023-12-01 15:48:31
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