Diodes公司推出旗下有助節省空間的DFN3020封裝分立式產品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補器件
2011-05-13 08:44:56
928 在導通數據中，原本2，742μJ的開關損耗變為1，690μJ，損耗減少了約38%。在關斷數據中也從2，039μJ降至1，462μJ，損耗減少了約30%。
2020-07-17 17:47:44949 
MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索，那么該如何量化評估呢?
2022-10-19 10:39:231504 MOS 管的開關損耗對ＭOS 管的選型和熱評估有著重要的作用，尤其是在高頻電路中，比如開關電源，逆變電路等。
2023-07-23 14:17:001217 
點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
的500 mA雙通道內置電阻晶體管(RET)系列產品，均采用超緊湊型DFN2020(D)-6封裝。新系列器件適用于可穿戴設備和智能手機中的負載開關，也可用于功率要求更高的數字電路。例如空間受限的計算、通信、工業和汽車應用。值得注意的是，DFN封裝的RET采用雙重空間節省方案，可加倍提高空間利用率。首先
2023-09-27 09:19:43340 
`Diodes公司繼續擴展其功率MOSFET產品組合，采用新型N和P通道器件，擊穿電壓高達450V，并提供多種封裝選擇。 Diodes Inc. MOSFET產品系列非常適合各種應用，包括DC-DC
2019-05-13 11:07:19
X2-DFN1410-6封裝供應，而今年稍後時間推出的雙通道AZV3002則采用八引腳U-FLGA1616-8?！ 煽畋容^器提供低至0.8μs的傳遞延遲時間及1pA的低輸入偏置電流，即使在輸入過載的情況下也不會出現倒相現象。新產品為嵌入式系統設計人員提供通用解決方案，有效滿足絕大多數低壓便攜式設備的要求。
2018-10-08 15:44:43
的固定開關頻率工作，可減少外部元件數量，其小型U-DFN2020-8封裝則有效縮減電路板面積?！ ∶}沖寬度調制 (PWM) 同步降壓轉換器AP3405以電流模式工作，提供2.3V到5.5V的輸入電壓范圍
2018-10-09 10:59:43
橋電路結構，每個橋臂上管可以使用P管，也可以使用N管。（2）通信系統48V輸入系統的熱插撥MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。（3）筆記本電腦輸入回路串聯的、起防反接和負載開關作用
2017-11-15 08:14:38
（5）和（6）可知，影響MOSFET電流速率的源極引腳電感被消除了。根據等式（2）和（5），較之TO247封裝MOSFET,這縮短了器件的開關速度，降低了開關損耗。最新推出的TO247 4引腳
2018-10-08 15:19:33
3、開關動態損耗?? 由于開關損耗是由開關的非理想狀態引起的，很難估算MOSFET 和二極管的開關損耗，器件從完全導通到完全關閉或從完全關閉到完全導通需要一定時間，也稱作死區時間，在這個過程中會產生
2021-12-29 07:52:21
一、開關損耗包括開通損耗和關斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產生的功率損耗；關斷損耗是指功率管從導通到截止時所產生的功率損耗。二、開關損耗原理分析：(1)、非理想的開關管在開通時，開關
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導體技術的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導體場效應晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關，通過降低電阻和開關損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
導通電阻，但成本的提高所付出的代價是商業品所不允許的。引入少數載流子導電雖能降低導通壓降，但付出的代價是開關速度的降低并出現拖尾電流，開關損耗增加，失去了MOSFET的高速的優點?！ ∫陨蟽煞N辦法
2023-02-27 11:52:38
如圖片所示，為什么MOS管的開關損耗（開通和關斷過程中）的損耗是這樣算的，那個72pF應該是MOS的輸入電容，2.5A是開關電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
本帖最后由 小小的大太陽 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導通損耗影響最大的就是Rds，而開關損耗好像不僅僅和開關的頻率有關，與MOS管的結電容，輸入電容，輸出電容都有關系吧？具體的關系是什么？有沒有具體計算開關損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
IGBT系列器件采用改進的門控制來降低開關損耗，具有非常高效的帶Field Stop技術的溝槽，TJmax等于175℃。獨立的發射器驅動引腳和采用TO-247-4封裝，可確保最小的Eon損耗。針對高速
2020-07-07 08:40:25
公司也有生產，但是ROHM在推進獨自開發。此次內置的SJ MOSFET不僅實現了650V的高耐壓，還實現了低導通電阻與低柵極電荷，開關速度也非?？?。這將大大改善開關即MOSFET的導通損耗與開關損耗。這
2019-04-29 01:41:22
VC 10V 1A(8/20uS)·工作電壓：5V·低漏電流0.5uA·低電容0.8PFSOD882/DFN1006封裝DC0521P1 RCLAMP0521P采用超小型SOD882/DFN1006封裝
2020-09-29 07:55:40
時間trr快（可高速開關）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發揮的優勢。大幅降低開關損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復時間trr。右側的圖表為
2019-03-27 06:20:11
產品尺寸，從而提升系統效率。而在實際應用中，我們發現：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進一步降低器件的開關損耗，也更有利于分立器件的驅動
2023-02-27 16:14:19
`深圳市展嶸電子有限公司朱一鳴 手機號碼：***QQ：1275294458XB6091全網超小封裝DFN1X1封裝之一，耳機二合一保護IC專用XB6091ISC產品是一個高鋰的集成解決方案?離子
2019-05-05 19:42:04
`<p>Diodes公司擴展其IntelliFET產品系列，推出全球體積最小的完全自保護式低壓側MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm
2009-01-07 16:01:44
、電動車應用、LED去頻閃、LED升降壓照明、太陽能源、舞臺燈照明、加濕器、美容儀等電壓開關應用。【高頻率 大電流 SGT工藝 開關損耗小】
2021-01-07 15:37:15
本帖最后由 張飛電子學院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細分析計算功率MOSFET開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
模塊電源的開關頻率來降低驅動損耗，從而進一步提高輕負載條件下的效率，使得系統在待機工作下，更節能，進一步提高蓄電池供電系統的工作時間，并且還能夠降低EMI的輻射問題;2.通過降低、來減少MOSFET
2019-09-25 07:00:00
分布電容引起。改善方法:在繞組層與層之間加絕緣膠帶，來減少層間分布電容。08、開關管MOSFET上的損耗mos損耗包括：導通損耗，開關損耗，驅動損耗。其中在待機狀態下最大的損耗就是開關損耗。改善辦法
2021-04-09 14:18:40
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關損耗、2）開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優勢。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
充電器時的損耗降低情況① 與使用Si快速恢復二極管（Si FRD）的IGBT相比，開關損耗降低67%② 與損耗比IGBT更低的Super Junction MOSFET（SJ-MOSFET）相比
2022-07-27 10:27:04
一個高質量的開關電源效率高達95%，而開關電源的損耗大部分來自開關器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關器件的損耗，對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量開關損耗呢？一、開關損耗
2021-11-18 07:00:00
開關條件得以改善，降低硬開關的開關損耗和開關噪聲，從而 提高了電路的效率?！ D1 理想狀態下軟開關和硬開關波形比較圖軟開關包括軟開通和軟關斷兩個過程： 理想的軟開通過程是：開關器件兩端的電壓先下
2019-08-27 07:00:00
的影響更明顯。（3）降低米勒電壓，也就是降低閾值開啟電壓同時提高跨導，也可以提高開關速度，降低開關損耗。但過低的閾值電壓會使MOSFET容易受到干擾誤導通，而跨導和工藝有關。
2017-03-06 15:19:01
過程中的開關損耗。開關損耗內容將分成二次分別講述開通過程和開通損耗，以及關斷過程和和關斷損耗。功率MOSFET及驅動的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯的柵極電阻，RG2為功率
2017-02-24 15:05:54
時的損耗：阻性關斷的損耗和上面過程相類似，二者相加，就是阻性開關過程中產生的總的開關損耗。功率MOSFET所接的負載、變換器輸出負載和變換器所接的輸出負載是三個完全不同的概念，下面以BUCK變換器為例來說
2016-12-16 16:53:16
電路結構，每個橋臂上管可以使用P管，也可以使用N管。（2）通信系統48V輸入系統的熱插撥MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。（3）筆記本電腦輸入回路串聯的、起防反接和負載開關作用的二個
2019-04-04 06:30:00
開關管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優化方法及其利弊關系
2020-12-23 06:51:06
如何更加深入理解MOSFET開關損耗？Coss產生開關損耗與對開關過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
算法，可根據負載功率因子在不同扇區內靈活放置零電壓矢量，與傳統的連續調制SVPWM相比，在增加開關頻率的同時減小了開關電流。仿真結果也表明這種方法有著最小的開關損耗。
2019-10-12 07:36:22
和計算開關損耗，并討論功率MOSFET導通過程和自然零電壓關斷過程的實際過程，以便電子工程師了解哪個參數起主導作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關損耗1，通過過程中的MOSFET開關損耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
`快速充電過壓充電保護器件TVS DFN1610DFN2020P2E封裝DFN1610-2L封裝浪涌保護器件 DC0371P6 (Marking Code: 73)DC0571P6 (Marking
2019-09-24 09:16:59
MOSFET通過降低開關損耗和具有頂部散熱能力的DaulCool功率封裝技術可以實現更高的工作頻率,從而能夠獲得更高的功率密度。 理想開關 在典型的同步降壓開關電源轉換器中,MOSFET作為開關使用時
2012-12-06 14:32:55
的圖像。圖1：開關損耗讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關周期開始時，驅動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段
2018-08-30 15:47:38
。這可使開關速度加快，從而大幅降低開關損耗。盡管在這項技術成功開發之前，許多應用仍將需要采用TO220、甚至TO247的插件封裝，但如今也有可能免去采用昂貴而復雜的散熱系統。相反，如今有可能采用不帶額外
2018-12-06 09:46:29
，在這兩種情況下估算時間t3作為MOSFET的上升和下降時間，您可使用等式4估算開關損耗：開關損耗取決于頻率和輸入電壓。因此，輸入電壓和開關頻率較高時，總效率相對降低。在輕負載時，LM2673非同步降壓
2018-06-05 09:39:43
今天開始看電源界神作《開關電源設計》（第3版），發現第9頁有個名詞，叫“交流開關損耗”，不明白是什么意思，有沒有哪位大蝦知道它的意思啊？謝謝了！！
2013-05-28 16:29:18
請您介紹一下驅動器源極引腳是如何降低開關損耗的。首先，能否請您對使用了驅動器源極引腳的電路及其工作進行說明？Figure 4是具有驅動器源極引腳的MOSFET的驅動電路示例。它與以往驅動電路
2020-07-01 13:52:06
CPC7582線路卡接入交換機的典型CPC7582應用框圖。 CPC7582是采用16引腳SOIC或DFN表面貼裝封裝的單片固態開關
2020-07-30 10:21:46
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-19 09:43 編輯
針對快充應用設計需要的3 mΩ、5 mΩ、10 mΩ，DFN33和DFN56封裝的MOSFET，推出全系列的MOSFET
2018-06-15 17:28:34
圖1：開關損耗讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關周期開始時，驅動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個時段（圖
2022-11-16 08:00:15
在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關損耗
摘要：升壓變換器通常應用在彩色監視器中。為提高開關電源的效率，設計
2009-07-20 16:03:00564 
理解功率MOSFET的開關損耗
本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數起主導作用并
2009-10-25 15:30:593320 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節省一半以上的占板空間
2011-05-31 09:31:183330 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產品線
2011-06-01 08:54:01452 MOSFET才導通，因此同步MOSFET是0電壓導通ZVS，而其關斷是自然的0電壓關斷ZVS，因此同步MOSFET在整個開關周期是0電壓的開關ZVS，開關損耗非常小，幾乎可以忽略不計，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產生的導通損耗，選取時只需要考慮RDS（ON）而不需要考慮Crss的值。
2012-04-12 11:04:2359180 
Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4毫米，占板面積只有四平方毫米，是一款額定電壓為 -25V的P通道器
2012-05-03 10:08:401838 Diodes公司近日推出一系列採用薄型DFN2020-6封裝的高效率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封裝的DMP2039UFDE4，離板高度只有0.4mm，面積只有4mm2，是一款額定電壓為 -25V的P通道元件，較同類
2012-05-04 11:34:53926 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出具有可編程軟啟動功能及放電率的5V單通道負載開關AP22800。這款配備超低導通電阻的N通道開關可降低電壓降和功耗，以及處理6.0A的連續電流，從而為超極筆記本和平板電腦提供更精準的系統功率調整。
2015-02-11 15:05:55994 為了有效解決金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現的開關損耗失效問題，通過對MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導通過程的解剖，定位了MOSFET 開關損耗的來源，進而為緩啟動電路設計優化，減少MOSFET的開關損耗提供了技術依據。
2016-01-04 14:59:05
38 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的100V全H橋DMHC10H170SFJ，把雙N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封裝 （5mm x 4.5mm）。
2016-02-16 10:56:361384 FPGA平臺實現最小開關損耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12:1110 基于DSP的最小開關損耗SVPWM算法實現。
2016-04-18 09:47:497 使用示波器測量電源開關損耗。
2016-05-05 09:49:380 MOSFET/IGBT的開關損耗測試是電源調試中非常關鍵的環節，但很多工程師對開關損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC MOSFET的開關損耗更是只能依據口口相傳的經驗反復摸索，那么該如何量化評估呢？
2017-11-10 08:56:426345 1、CCM 模式開關損耗
CCM 模式與 DCM 模式的開關損耗有所不同。先講解復雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。
2018-01-13 09:28:578162 
矮型 DFN2020 封裝的 BCR420UFD 及 BCR421UFD 裝置，非常適合 12V 及 24V LED 邊緣照明應用。
2018-03-22 14:27:001395 一個高質量的開關電源效率高達95％，而開關電源的損耗大部分來自開關器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關器件的損耗，對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量開關損耗呢？
2019-06-26 15:49:45721 一個高質量的開關電源效率高達95%，而開關電源的損耗大部分來自開關器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關器件的損耗，對于效率分析是非常關鍵的。那我們該如何準確測量開關損耗呢？
2019-06-27 10:22:081926 一個高質量的開關電源效率高達95%，而開關電源的損耗大部分來自開關器件（MOSFET和二極管），所以正確的測量開關器件的損耗，對于效率分析是非常關鍵的。
2019-07-31 16:54:535929 
Mosfet的損耗主要有導通損耗，關斷損耗，開關損耗，容性損耗，驅動損耗
2020-01-08 08:00:0011 電子發燒友網為你提供如何正確評估功率MOSFET的開關損耗？資料下載的電子資料下載，更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-01 08:49:1511 功率MOSFET的開關損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 一、開關損耗包括開通損耗和關斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導通時所產生的功率損耗；關斷損耗是指功率管從導通到截止時所產生的功率損耗。二、開關損耗原理分析：(1)、非理想的開關管在開通時，開關
2021-10-22 10:51:0611 和計算開關損耗，并討論功率MOSFET導通過程和自然零電壓關斷過程的實際過程，以便電子工程師了解哪個參數起主導作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關損耗1，通過過程中的MOSFET開關損耗功率M...
2021-10-22 17:35:5953 的圖像。
圖1：開關損耗
讓我們先來看看在集成高側MOSFET中的開關損耗。在每個開關周期開始時，驅動器開始向集成MOSFET的柵極供應電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容
2022-01-21 17:01:12831 
，熱損耗極低。 開關設備極大程度上決定了SMPS的整體性能。開關器件的損耗可以說是開關電源中最為重要的一個損耗點，課件開關損耗測試是至關重要的。接下來普科科技PRBTEK就開關損耗測試方案中的探頭應用進行介紹。 上圖使用MSO5配合THDP0200及TCP003
2021-11-23 15:07:571095 。此外，今天的開關元件沒有非常高的運行速度，不幸的是，在轉換過程中不可避免地會損失一些能量（幸運的是，隨著新電子元件的出現，這種能量越來越少）。讓我們看看如何使用“LTspice”仿真程序來確定 SiC MOSFET 的開關損耗率。
2022-08-05 08:05:075936 
MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開關。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，當VGS電壓達到MOSFET的開啟電壓時，MOSFET導通等同開關導通，有IDS通過，實現功率轉換。
2022-11-28 15:53:05666 開關過程中，穿越線性區（放大區）時，電流和電壓產生交疊，形成開關損耗。其中，米勒電容導致的米勒平臺時間，在開關損耗中占主導作用。
2023-01-17 10:21:00978 全SiC功率模塊與現有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關損耗、2）開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優勢。
2023-02-08 13:43:22673 
MOSFET和IGBT等電源開關器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關器件產生的開關損耗和傳導損耗，但不同的應用其降低損耗的方法也不盡相同。近年來，發現有一種方法可以改善
2023-02-09 10:19:18634 
采用 DFN2020 封裝的 N 通道 100 V、81 mOhm 標準級“具有增強型 SOA 的 ASFET”，專為以太網供電 (PoE) 應用而設計-PSMN071-100NSE
2023-02-09 21:35:370 N 溝道 100 V、53 mOhm 標準級 ASFET，具有增強型 SOA，采用 DFN2020 封裝。專為大功率 PoE 應用而設計-PSMN047-100NSE
2023-02-09 21:35:550 －接下來，請您介紹一下驅動器源極引腳是如何降低開關損耗的。首先，能否請您對使用了驅動器源極引腳的電路及其工作進行說明？Figure 4是具有驅動器源極引腳的MOSFET的驅動電路示例。
2023-02-16 09:47:49457 
從某個外企的功率放大器的測試數據上獲得一個具體的感受：導通損耗60W開關損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個例子：可知，六個管子的總功耗是714W這跟我在項目用用的那個150A的模塊試驗測試得到的總功耗差不多。 導通損耗和開關損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 上一篇文章中探討了同步整流降壓轉換器的功率開關--輸出端MOSFET的傳導損耗。本文將探討開關節點產生的開關損耗。開關損耗：見文識意，開關損耗就是開關工作相關的損耗。在這里使用PSWH這個符號來表示。
2023-02-23 10:40:49622 
全SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹，開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28493 
MOSFET的柵極電荷（米勒電容）以及控制IC的驅動能力。本應用筆記將詳細分析導通開關損耗以及選擇開關P溝道MOSFET的標準。
2023-03-10 09:26:35556 
的傳導和開關損耗，本文以給出了使用ST碳化硅MOSFET的主要設計原則，以得到最佳性能。一，如何減少傳導損耗：碳化硅MOSFET比超結MOSFET要求更高的G級電壓
2022-11-30 15:28:282647 
CCM 模式與 DCM 模式的開關損耗有所不同。先講解復雜 CCM 模式，DCM 模式很簡單了。
2023-07-17 16:51:224675 
采用超緊湊型DFN2020(D)-6封裝，并集成BJT和電阻，加倍節省空間
2023-09-27 14:36:141020 同步buck電路的mos自舉驅動可以降低mos的開關損耗嗎？ 同步buck電路的MOS自舉驅動可以降低MOS的開關損耗 同步Buck電路是一種常見的DC/DC降壓轉換器，它具有高效、穩定、可靠的特點
2023-10-25 11:45:14522 使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關損耗
2023-11-23 09:08:34333 
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