8050的情況下,補碼通常是8550。8050和8550晶體管的技術額定值通常是相同的。區別在于它們的極性。它們共同允許電流安全地流過無線電和無線電,從而為傳輸提供動力,并允許在用戶端實現多種功能
2023-02-16 18:22:30
、航空航天和國防應用提供產品和解決方案。高電壓、高功率、堅固耐用的晶體管,具有無與倫比的效率和出色的熱性能。正在尋找無可爭議且可靠的無線電覆蓋范圍?從我們專為 0.4-1 GHz 操作而設計的完整移動
2021-06-28 18:02:51
功率晶體管(GTR)具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點,阻礙它的進一步發展。—、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管(GTR)具有控制方便、開關時間短、通態壓降低、高頻特性好、安全工作區寬等優點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點,阻礙它的進一步發展。—、結構特性1、結構原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
`功率場效應晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
TR的情況,除此之外,還有5V以下(突破此耐壓范圍,會發生hFE低下等特性的劣化,請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關于封裝功率容許功定義:是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-04-09 21:27:24
是,最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯,因為其漏極電流具有負溫度系數。
1、晶體管的Vbe擴散現象是什么原理,在此基礎上為什么要加電阻?
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
?5. 連續脈沖?單脈沖?6. 平均功耗是否在周圍溫度的額定功率以下?功率計算的積分公式使晶體管工作會產生電氣負載和熱負載。對晶體管來講,負載太大壽命會縮短,最壞的情況下會導致晶體管被破壞。為防止這種
2019-04-15 06:20:06
及制造工藝分類 晶體管按其結構及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。 按電流容量分類 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
晶體管的電流方向相反。如果使晶體管以開關方式工作,需要加大基極電流晶體管VCE的飽和狀態當晶體管處于開關工作方式時,因為電源電壓和集電極電阻的限制,集電極IC不足以提供hFEIB大小的電流。因此
2017-03-28 15:54:24
` 《晶體管電路設計(下)》是“實用電子電路設計叢書”之一,共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管/FET電路設計技術的基礎知識和基本實驗,內容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率
2019-03-06 17:29:48
,發射極E接紅表筆;PNP管的集電極C接紅表筆,發射極E接黑表筆。正常時,鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω(用R×100檔測,電阻值大于2kΩ),鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
供應晶圓芯片,型號有: 可控硅, 中、大功率晶體管,13000系列晶體管,達林頓晶體管,高頻小信號晶體管,開關二極管,肖特基二極管,穩壓二極管等。有意都請聯系:沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些?晶體管測量模塊的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
從事電子設計7年了,發覺這兩本書挺好的,發上來給大家分享一下附件晶體管電路設計(上)放大電路技術的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設計(下)FET_功率MOS_開關電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
的設計,運算放大電路的設計與制作。下冊則共分15章,主要介紹FET、功率MOS、開關電源電路等。本書面向實際需要,理論聯系實際,通過大量具體的實驗,通俗易懂地介紹晶體管電路設計的基礎知識。1.1 學習晶體管電路
2009-11-20 09:41:18
IC一般不能超出ICM。(3) 集電極最大允許功耗PCMPCM是指晶體管參數變化不超出規定允許值時的最大集電極耗散功率。使用晶體管時,實際功耗不允許超過PCM,通常還應留有較大余量,因為功耗過大往往是
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數有哪些?晶體管的開關電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管,一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業界第一的。小信號晶體管最大
2019-04-10 06:20:24
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統稱為“Si晶體管”,不過根據制造工藝和結構,還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外,還可根據處理的電流、電壓和應用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
的電流、電壓和應用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題,從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中,將以近年來控制大功率的應用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
控制大功率現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關有很多優點,主要是;(1)容易關斷,所需要的輔助元器件少,(2)開關迅速,能在很高的頻率下工作,(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
現代社會帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初,晶體管是由鍺(半導體)做成的。但是,鍺具有在80°C左右時發生損壞的缺點,因此現在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
彩色電視機中使用的行輸出管屬于高反壓大功率晶體管,其最高反向電壓應大于或等于1200V,耗散功率應大于或等于50W,最大集電極電流應大于或等于3.5A(大屏幕彩色電視機行輸出管的耗散功率應大于或等于60W
2012-01-28 11:27:38
TR的情況,除此之外,還有5V以下(突破此耐壓范圍,會發生hFE低下等特性的劣化,請注意。)VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化關于封裝功率容許功定義:是指由于輸入晶體管的電壓、電流
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
,使得同等功率量級固態發射機的體積、成本大大降低,電路形式也隨之簡化。這一切極大地推動了固態發射機在各個領域的應用。微波晶體管輸出功率提高意味著它的輸入、輸出阻抗變小,尤其是未進行內匹配的晶體管,這給
2019-07-04 07:15:45
電子,雷達和微波應用生產全系列AM晶體管。 這些AM晶體管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶體管覆蓋60 MHz至3.0 GHz的范圍,功率
2018-07-17 15:08:03
是碳化硅(SiC)襯底上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。這種GaN內匹配(IM)場效應晶體管與其他技術相比,提供了優異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能,包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內部匹配(IM)FET與其他技術相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
`FHX35X是一款高電子遷移率晶體管(HEMT),旨在用于2-18GHz頻率范圍內的通用,低噪聲和高增益放大器。該設備非常適合電信,DBS,TVRO,VSAT或其他低噪聲應用。住友電工嚴格
2021-03-30 11:21:24
脈沖功率。 在沒有外部調諧的情況下,所有設備都在寬帶RF測試夾具中100%屏蔽了大信號RF參數。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經過100%大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件,設計用于在0.960-1.215 GHz瞬時帶寬上運行的系統。 當在規定的脈沖條件下且VCC = 50V時以C類模式工作時,該通用基本設備可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件,設計用于在0.960-1.215 GHz瞬時帶寬上運行的系統。 當在規定的脈沖條件下且VCC = 50V時以C類模式工作時,該通用基本設備可提供至少
2021-04-01 10:29:42
`IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管,專為工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空電子系統而設計。 當在VCC = 50V的模式S脈沖突發條件下以C類模式運行時,此通用基本設備可提供
2021-04-01 10:11:46
`IB2729M170是專為S波段ATC雷達系統設計的大功率脈沖晶體管,該系統工作在2.7-2.9 GHz的瞬時帶寬上。 在C類模式下工作時,該通用基礎設備在100μs脈沖寬度和10%占空比的條件下
2021-04-01 09:48:36
材料生長和加工技術的S波段RF功率晶體管。今天仍然可以在美國和英國的每個機場部署先進的空中交通管制雷達系統。從那時起,我們每年都有這種經驗,而今天,Integra為雷達應用提供廣泛的高功率晶體管產品組合
2019-05-14 11:00:13
的高功率晶體管產品組合。我們目前的產品提供超過80%的效率,并利用GaN-on-SiC,Si-LDMOS和Si-VDMOS半導體技術。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件,從而支持傳統方案
2019-04-15 15:12:37
`IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管,專為工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系統而設計。 該雙MOSFET器件以1ms的脈沖寬度和20%的占空比工作,在瞬時工作帶寬上以
2021-04-01 10:03:31
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)?IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫,也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管,旨在滿足P波段雷達系統的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下,10%占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
IGN2856S40產品詳情:IGN2856S40是一種高功率脈沖晶體管,專門用于AB類操作。該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率,最小峰值功率為500瓦,50V和3%占空比。通過芯片和電線技術組裝
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管,指定用于AB類操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率,最小40W的峰值脈沖功率,50V和3%的占空比。 該單元采用金線技術通過芯片和線材技術組裝
2021-04-01 09:57:55
,在MACOM,我們提供范圍廣泛的雙極技術RF功率晶體管產品,作為從DC到3.5 GHz的分立器件,模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設備,通信,網絡,雷達以及工業,科學
2018-05-21 15:49:50
,在MACOM,我們提供范圍廣泛的雙極技術RF功率晶體管產品,作為從DC到3.5 GHz的分立器件,模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設備,通信,網絡,雷達以及工業,科學
2018-07-06 09:46:43
,在MACOM,我們提供范圍廣泛的雙極技術RF功率晶體管產品,作為從DC到3.5 GHz的分立器件,模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設備,通信,網絡,雷達以及工業,科學
2018-07-06 09:47:57
,在MACOM,我們提供范圍廣泛的雙極技術RF功率晶體管產品,作為從DC到3.5 GHz的分立器件,模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設備,通信,網絡,雷達以及工業,科學和醫療
2018-07-13 14:16:37
,在MACOM,我們提供范圍廣泛的雙極技術RF功率晶體管產品,作為從DC到3.5 GHz的分立器件,模塊和托盤。 我們的高功率雙極型晶體管非常適用于民用航空電子設備,通信,網絡,雷達以及工業,科學和醫療
2018-11-12 11:02:34
配對電路以產生連續功率。用于重型電機以控制電流。用于機器人應用。IX. PNP 晶體管的優勢為了提供電流,使用PNP晶體管。由于它產生的信號以負電源軌為基準,因此簡化了電路設計。與NPN晶體管相比,它們
2023-02-03 09:44:48
能夠在高輸出功率電平下承受嚴苛的負載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當晶體管工作在負載失配狀態下時,它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件,此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時,重要的是檢查不同器件制造商達到其耐用性結果的條件,因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
`SUMITOMO的SGNE045MKGaN-HEMT為具有50V工作電壓的高功率L波段放大器提供了高效率,易于匹配,更高的一致性和更寬的帶寬,并為您提供了更高的增益。該器件的目標應用是高電壓的低
2021-03-30 11:32:19
繼前篇內容,繼續進行各功率晶體管的比較。本篇比較結構和特征。功率晶體管的結構與特征比較下圖是各功率晶體管的結構、耐壓、導通電阻、開關速度的比較。使用的工藝技術不同結構也不同,因而電氣特征也不同。補充
2018-11-30 11:35:30
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
晶體管開關的作用控制大功率 現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關有很多優點,主要是; (1)容易關斷,所需要的輔助元器件少, (2)開關迅速,能在很高的頻率下工
2010-08-13 11:38:59
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替,MFR151管子能用哪個來代替?或是誰有這兩個高頻管子的原件庫?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
放大電路的設計與制作,下冊則共分15章,主要介紹FET、功率MOS、開關電源電路等。《晶體管電路設計》(上)面向實際需要,理論聯系實際,通過大量具體的實驗,通俗易懂地介紹晶體管電路設計的基礎知識
2017-07-25 15:29:55
的制造商生產半導體(晶體管是該設備家族的成員),因此有數千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管,用于高頻和低頻工作,用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
晶體管,鍺PNP晶體管,硅NPN晶體管和硅PNP晶體管。》技術根據其結構和制造工藝,晶體管可分為擴散晶體管、合金晶體管和平面晶體管。》 當前容量根據目前的容量,晶體管可分為低功率晶體管、中功率晶體管和高
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
達林頓晶體管是一對雙極晶體管,連接在一起,從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結果,輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
,拐角處的電場總是被放大。這可以通過在角落使用硝酸鹽層來最小化。 制造成本高 鰭式場效應晶體管演進 現代電子產品的基礎是CMOS晶體管。在過去的17年中,CMOS技術在制造和建筑中使用的材料方面
2023-02-24 15:25:29
電路的設計與制作,下冊則共分15章,主要介紹FET、功率MOS、開關電源電路等。《晶體管電路設計(下)》是“實用電子電路設計叢書”之一,共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管/FET電路設計技術
2017-06-22 18:05:03
PNP晶體管在哪里使用?放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應用中的電流。如何控制PNP晶體管?首先,為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
各位高手,小弟正在學習單結晶體管,按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真,大多數都不成功,請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件,具有輸入電阻高(108~109Ω)、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點,現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
2021-05-24 06:27:18
)需要幾毫安才能上電,并且可以由邏輯門輸出驅動。然而,螺線管、燈和電機等大功率電子設備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關。 晶體管開關操作和操作區域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
先生,我使用了兩個ATF54143晶體管(偏置Vds = 3V,Ids = 60mA)和連接的電容分流反饋,電容器連接在一個晶體管的源極和另一個晶體管的漏極之間。我試圖給兩個晶體管提供偏置,實現了一
2019-01-14 13:17:10
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
~3.3nf。當Nb上端產生一個正的驅動電壓時,由于電容兩端電壓不能突變,上電瞬間電容如同短路,因此可認為為VT1提供了很大的正向基極電流,使晶體管迅速導通。之后,電容CB被充電至激勵電壓的峰值而進入穩態
2020-11-26 17:28:49
來至網友的提問:如何選擇分立晶體管?
2023-11-24 08:16:54
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們在型號上的大致區別是什么?例如《晶體管電路設計》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)。現在產品設計中最常用的型號是哪些?
2017-10-11 23:53:40
晶體管 高電壓、放大 (Comp.to MPSA43) [73KB]中、大功率管2N3055 NPN- 功率放大. (Comp. to MJE2955)2N6283 達林頓管, NPN-功率
2021-05-25 06:28:22
)條件下,數字晶體管中流過的電流值定義為IO。如您所知,絕對最大額定值被定義為"不能同時提供2項以上",僅用IC標記沒有問題,但結合客戶實際使用狀態,合并標記為IO。因此電路設計
2019-04-22 05:39:52
額定值,在不超過VIN(max)條件下,數字晶體管中流過的電流值定義為IO。如您所知,絕對最大額定值被定義為"不能同時提供2項以上",僅用IC標記沒有問題,但結合客戶實際使用狀態,合并
2019-04-09 21:49:36
1000 V類型,一些日本制造商提供1700V,但缺點是芯片尺寸隨電壓增加。除了大型芯片的高成本外,它們的電容也變得過高。 2、二次擊穿 另一個問題是存在與輸出并聯的寄生NPN雙極晶體管。制造商吹捧
2023-02-20 16:40:52
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管,一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
換向故障損壞。總之,與用于LLC拓撲應用的Si和SiC晶體管相比,GaN在效率和功率密度方面提供了更高的價值。
2023-02-27 09:37:29
的X-GaN柵極驅動器。X-GaN驅動器IC針對高達2 MHz的高開關頻率進行了優化,并提供了解鎖晶體管全部性能的簡便方法。除了優化的柵極控制端子外,還提供了額外的集成功能 - 例如用于(可選)產生負
2023-02-27 15:53:50
低熱阻:0.2℃/W 運用GaNonSiC高電子遷移率晶體管(HEMT)完成的零碎劣勢包括: 具有簡化阻抗婚配的單端設計,替代需求額定分解的較低功率器件 最頂峰值功率和功率增益,可增加零碎
2012-12-06 17:09:16
針對可靠的高功率和高頻率電子設備,制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關頻率的場效應晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限,制造商現在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
電子產品中,近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代,但目前在一些高保真音響器材中,仍然使用電子管作為音頻功率放大器件。 而晶體管是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多
2016-01-26 16:52:08
` 引言 在功率變換器應用中,寬帶隙(WBG)技術日益成為傳統硅晶體管的替代產品。在某些細分市場的應用場景中,提升效率極限一或兩個百分點依然關系重大,變換器功率密度的提高可以提供更多應用優勢
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護,直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
或 MOSFET 相比,絕緣柵雙極性晶體管器件的優勢在于,它比標準雙極型晶體管提供了更大的功率增益,并且具有更高的電壓工作和更低的 MOSFET 輸入損耗。實際上,它是一種集成了雙極性晶體管的達靈頓
2022-04-29 10:55:25
所需的組件,降低系統成本,提高可靠性。 英飛凌新型功率晶體管PTVA127002EV非常適用于空中交通管制應用和氣象觀察應用的L波段雷達系統。雷達系統在特定頻率范圍內發射高能電子脈沖,然后檢測脈沖
2018-11-29 11:38:26
。還是回到這篇文章的主題,晶體管的使用心得。由于本人所從事行業的限制,基本沒有機會像《晶體管電路設計》書中那樣深入的使用晶體管來搭建電路,而更多的是使用晶體管來實現功率負載的控制,還有配合運放或者其它
2016-06-03 18:29:59
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
描述PMP9517是高密度恒定電壓/恒定電流電源,具有 85VAC-265VAC 輸入范圍和 5V/10W 輸出。設計采用低成本功率晶體管 (BJT) 的初級側調整 (PSR)。該設計的組件數量少
2022-09-20 07:58:16
損壞晶體管。晶體管在整個開關周期中,最危險的情況是出現在晶體管關斷時。尤其是晶體管在感性負載的情況下,當晶體管截止時,會產生非常高的尖峰電壓,損壞晶體管。 為防止開關晶體管的損壞,可以采取一下措施
2020-11-26 17:26:39
Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶體管產品組合,采用眾所周知的非常穩固LDMOS技術。
2016-01-13 15:37:091923 埃賦隆半導體(Ampleon)今天宣布推出大功率堅固型BLF189XRA RF功率晶體管,用于88-108MHz頻率范圍內的廣播FM無線電應用。
2018-09-30 16:41:002731
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