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電子發燒友網>電源/新能源>功率器件>Vishay推出用于同步降壓的業內首批通過AEC-Q101認證的雙片不對稱封裝12V和20V MOSFET

Vishay推出用于同步降壓的業內首批通過AEC-Q101認證的雙片不對稱封裝12V和20V MOSFET

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2014-02-10 15:16:51890

Vishay推出新款薄型SMPD封裝標準整流器,為汽車應用提供ESD功能

賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 2 月10 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出三款通過AEC-Q101認證
2015-02-11 11:59:291083

Vishay發布用于汽車和工業應用的經AEC-Q101認證的高圓頂透射式光傳感器

賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 4 月13 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩顆用于汽車和工業應用的經AEC-Q101認證的表面貼裝光傳感器---TCPT1600X01和TCUT1600X01。
2016-04-13 14:20:02698

一種基于單相鏈狀電路的不對稱補償器

一種基于單相鏈狀電路的不對稱補償器
2017-01-19 21:22:542

采用不對稱繞組變壓器的不對稱半橋電路的研究及原理

采用不對稱繞組變壓器的不對稱半橋電路的研究及原理
2017-09-14 14:16:0117

不對稱參數同桿雙回線選相方法研究

線路參數不對稱的同桿雙回線無法使用傳統的六序分量法進行解耦。針對這個問題,提出一種新的解耦方法。首先,三相分解成正序、負序、零序分量;然后,耦合的零序分量進行解耦,分解為同向和反向分量。該方法
2018-03-28 14:51:190

AEC-Q101汽車電子基于離散半導體元件應力測試認證的失效機理中文標準

本文檔的主要內容詳細介紹的是AEC-Q101基于離散半導體元件應力測試認證的失效機理中文標準規范。
2018-10-25 08:00:0038

淺談AEC-Q101認證標準

AECQ101主要對汽車分立器件,元器件標準規范要求,AECQ101認證將會是汽車級半導體企業的首選。AEC-Q101認證包含了離散半導體元件(如晶體管,二極管等)最低應力測試要求的定義和參考測試條件,目的是要確定一種器件在應用中能夠通過應力測試以及被認為能夠提供某種級別的品質和可靠性。
2021-05-20 11:50:385085

Power Integrations推出通過AEC-Q101汽車級認證的200V Qspeed二極管

N200CQ – 現已通過AEC-Q101汽車級認證。Qspeed硅二極管采用混合PIN技術,可在軟開關和低反向恢復電荷(Qrr)之間提供獨特的平衡。該特性有助于降低EMI和輸出噪聲,這對于車載音響系統特別重要。
2019-09-16 10:23:003049

不對稱半橋變換器的CCM小信號傳遞函數

不對稱半橋變換器的CCM小信號傳遞函數
2021-05-29 10:26:474

不對稱半橋同步整流DC/DC變換器.pdf

不對稱半橋同步整流DC/DC變換器.pdf(移動電源顯示fu)-:簡要介紹了不對稱半橋同步整流變換器的5--作原理,對同步整流管的驅動方式進行了比較和選擇,并在分析變換器的整流損耗的基礎上,總結出了影響整流損耗和變換器效率的各種參數。
2021-07-26 14:40:0028

40V轉24V 20V;40V轉15V 12V 9V降壓電源芯片

40V轉24V 20V;40V轉15V 12V 9V降壓電源芯片(電源技術應用期刊)-40V轉24V,20V;40V轉15V,12V,9V降壓電源芯片
2021-09-15 12:54:2830

20V12V轉9V轉5V轉3.3V轉3V降壓芯片和LDO選型

20V12V轉9V轉5V轉3.3V轉3V降壓芯片和LDO選型(通信電源技術核心)-20V轉15V ,20V12V20V轉9V,20V轉5V,20V轉3.3V,20V轉3V,20V轉1.8V,20V轉1.2V.
2021-09-15 13:34:3941

Vishay推出塑料封裝新型表面貼裝小信號二極管

Vishay DFN1006-2A 封裝二極管 40 V 和 100 V 器件通過 AEC-Q101 認證 與傳統 SOD/T 封裝二極管相比節省空間并提高了散熱性能 Vishay 推出超小型可潤濕
2021-10-19 16:57:521950

白皮書:GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩健性 – 中文(650 V GaN FET 技術可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...

白皮書:GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩健性 – 中文(650 V GaN FET 技術可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:032

白皮書:GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩健性-nexperia_whitepaper_...

白皮書:GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩健性-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 20:08:503

什么是AEC-Q101認證?——華碧實驗室

AEC-Q101認證對象: 晶體管:BJT、MOSFET、IGBT、二極管、Diodes、Rectifier、Zeners、PIN、Varactors 光器件:LEDs、Optocoupler
2023-05-16 15:17:01736

功率器件AEC-Q101如何選擇測試項目?認證準備及流程有哪些?

AEC-Q101標準是用于分立半導體器件的,標準全稱:Failure Mechanism Based Stress Test Qualification For Discrete
2023-05-31 17:09:082684

Vishay全新厚膜功率電阻通過AEC-Q200認證 設計更簡化

Vishay ?MCB ISOA 器件通過 AEC-Q200 認證 采用 SOT-227 小型封裝 可直接安裝在散熱器上 具有高脈沖處理能力 功率耗散達 120 W Vishay? 推出一款通過
2023-06-03 08:25:02533

符合AEC-Q101認證的車規級瞬態抑制二極管的特性及應用

Semiware推出符合AEC-Q101認證的車規級TVS管TPSMAJ/SMBJ/SMCJ/SMDJ/5.0SMDJ系列,防護產品系列齊全,以滿足高標準的客戶需求.
2021-12-08 11:41:13450

功率半導體器件(IGBT、MOSFET和SiC)設計企業:上海陸芯獲得第三代IGBT車規級AEC-Q101認證

3月11日,國際獨立第三方檢測檢驗和認證機構德國萊茵TV(以下簡稱“TV萊茵”)向上海陸芯電子科技有限公司(以下簡稱“上海陸芯”)的第三代IGBT產品頒發了AEC-Q101認證證書。這是上海陸芯汽車
2022-06-21 09:18:39887

安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規全部測試

安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45474

MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝

電子發燒友網站提供《MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:081

國星光電SiC-MOSFET器件獲得AEC-Q101車規級認證

繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規級認證后,近日,國星光電開發的1200V/80mΩ SiC-MOSFET(碳化硅-場效應管)器件也成功獲得了
2023-10-24 15:52:32606

國星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規級認證

繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規級認證
2023-10-25 18:28:10422

瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規級可靠性認證

3月8日,瞻芯電子開發的3款第二代650V SiC MOSFET產品通過了嚴格的車規級可靠性認證AEC-Q101 Qualified)。
2024-03-11 09:24:38287

蓉矽半導體SiC MOSFET通過AEC-Q101車規級考核和HV-H3TRB加嚴可靠性驗證

蓉矽半導體自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核,同時通過了新能源行業頭部廠商的導入測試并量產交付。
2024-03-12 17:18:21205

SGS為華微電子頒發AEC-Q101認證證書

近日,國際公認的測試、檢驗和認證機構SGS(以下簡稱為“SGS”)為吉林華微電子股份有限公司(以下簡稱為“華微電子”)頒發AEC-Q101認證證書。
2024-03-22 18:25:56130

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