Power Integrations今日推出適合額定電壓750V IGBT的汽車級SID1181KQSCALE-iDriver門極驅動器。繼推出1200V SID1182KQ驅動器IC之后，新器件
2020-01-24 09:42:00
2938 ：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了4.5 kV XHP? 3 IGBT模塊，旨在從根本上改變采用兩電平和三電平拓撲結構且使用2000 V至3300 V交流電壓的中壓變頻器（MVD）與交通運輸應用的格局。這款新半導體器件將給諸多應用帶來裨益，包括大型傳送帶、泵、高速列車、機車以及商用、
2024-01-02 16:25:23527 
這款高度集成的 3.3 kV XIFM 即插即用數字柵極驅動器可與基于SiC的高壓電源模塊搭配使用，從而簡化并加快系統集成 ? 萬物電氣化推動了碳化硅 （SiC）技術在交通、電網和重型汽車等中高
2024-03-01 16:57:54318 系統。因此，對3.3kV等級的IGBT模塊驅動電路進行研究十分有意義。目前，市場上專業驅動器生產廠商有相關配套驅動器產品提供給客戶選擇，但是做為一款廣泛應用的模塊產品，很有必要做更深入的細節分析
2018-12-06 10:06:18
。IGBT驅動電路的選擇 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在今天的電力電子領域中已經得到廣泛的應用，在實際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅動器的作用對整個換流系統來說同樣至關重要。驅動器的選擇
2012-07-25 09:49:08
IGBT 102變壓器隔離驅動模塊原理圖紙 我公司中頻電源用變壓器隔離驅動模塊原理圖紙，采用變壓器隔離比光耦有完全隔離的優勢。u 單管大功率 IGBT 模塊驅動器。變壓器信號耦合，延遲小，工作頻率高
2013-01-17 13:54:30
接入驅動器電路板，實現氣密連接。如需要，Press-FIT接頭也可靈活地使用焊接工藝。在模塊的內部，功率端子和輔助端子采用超聲波焊接方式與DCB連接。已有文章詳細說明了超聲焊接端子在可靠性和性能方面
2018-12-07 10:23:42
IGBT在國外列車供電系統中的應用與發展 最初，德國將300A/1200VIGBT構成幾百千伏安的逆變器，取代了工業通用變頻器中的雙極型晶體管，用于網壓為750V的有軌電車上。之后不久，德國和日本又將
2012-06-01 11:04:33
世紀90年代初進入實用化。近幾年來，功率IGBT模塊散熱器的性能提高很快，額定電流已達數百安培，耐壓達1500V以上，而且還在不斷提高。由于IGBT器件具有PIN二極管的正向特性，P溝功率IGBT模塊
2012-06-19 11:17:58
概述：TA8316S是日本東芝株式會社出品的一款IGBT門驅動器，以驅動IGBT大功率管G極工作，一般常用作于電磁爐等電器驅動電路中。它采用SDIP 7引腳封裝工藝，具體外觀如下圖所示。
2021-04-07 07:23:48
：POWI）今日推出適用于流行的“新型雙通道”100mm x 140mm IGBT模塊的SCALE-iFlex? Single門極驅動器。這款緊湊型新驅動器支持耐壓在3.3kV以內的模塊，現可隨時供貨
2021-09-09 11:00:41
面積小（可實現小型封裝），而且體二極管的恢復損耗非常小。 主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。 2. 標準化導通電阻 SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
。這些設計平臺目 前針對戰略客戶而推出，代表了驅動新一代SiC/GaN功率轉換器 的完整IC生態系統的最高水準。設計平臺類型眾多，既有用于 高電壓、大電流SiC功率模塊的隔離式柵極驅動器板，也有完整
2018-10-30 11:48:08
從本文開始將探討如何充分發揮全SiC功率模塊的優異性能。此次作為柵極驅動的“其1”介紹柵極驅動的評估事項，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅動的評估事項：柵極誤導通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
Transistor : 絕緣柵極雙極型晶體管）等少數載流子器件（雙極型器件），但是卻存在開關損耗大 的問題，其結果是由此產生的發熱會限制IGBT的高頻驅動。SiC材料卻能夠以高頻器件結構的多數
2019-07-23 04:20:21
本文探討了功率半導體在具有通用架構的低壓驅動器中的使用。前端也稱為線路側轉換器，將交流電壓轉換為直流電壓并將其提供給直流母線。根據工作方案，二極管、晶閘管甚至IGBT可用于此應用。通常可以使用日立
2023-02-22 16:58:24
IGBT門極驅動器能夠在太陽能和風力發電應用中，為Mitsubishi生產的New Mega Power Dual IGBT模塊提供高效的驅動。該驅動器具有較高的集成度和優越的抗EMI性能，便于實現緊湊且高可靠性的功率變換器設計，是一種靈活且即時可用的解決方案。
2019-04-20 16:13:50
新一代SiC/GaN功率轉換器的完整IC生態系統的最高水準。設計平臺類型眾多，既有用于高電壓、大電流SiC功率模塊的隔離式柵極驅動器板，也有完整的交流/直流雙向轉換器，其中ADSP-CM419F的軟件在
2018-10-22 17:01:41
FOD8342TR2是一款 3.0 A 輸出電流門極驅動光耦合器，能夠驅動中等功率 IGBT/MOSFET。它適用于電機控制逆變器應用和高性能電源系統中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速
2022-01-17 09:31:39
功率晶體管組成，如雙極型晶體管、 MOSFET 或絕緣柵雙極型晶體管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型無刷直流電機或步進電機應用中， MOSFET驅動器可用來直接驅動電機。 不過，在本應用筆記中，我們需要的電壓和功率較 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
MOSFET驅動器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅動器最適合您的應用呢？
2021-11-08 06:11:40
本帖最后由 Sillumin驅動 于 2021-12-20 14:28 編輯
NCV7721D2R2G是一款完全受保護的雙半橋驅動器，專為汽車和工業運動控制應用而設計。兩個半橋驅動器具有獨立
2021-12-20 14:28:27
應用中使用的功率IGBT和MOSFET。 輸出級的高工作電壓范圍提供了柵極控制設備所需的驅動電壓。 該光電耦合器提供的電壓和電流使其非常適合直接驅動額定功率高達800 V / 50 A的IGBT。對于
2019-10-30 15:23:17
700VDC以上。另一方面，由于系統回路內雜散電感的存在，在功率器件開關時會在模塊主端子上產生尖峰電壓，因此在傳統的APS系統中不得已采用1.7kV的混合SiC模塊，該模塊由普通IGBT和SiC SBD組成
2017-05-10 11:32:57
Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術的引進，現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔離式柵極驅動器。這些驅動器的電隔離裝置體積小巧，可集成到驅動器芯片
2021-01-22 06:45:02
柵極驅動器的 +16V/-8V 電壓，能夠通過具有外部 BJT/MOSFET 緩沖器的單極或雙極電源為柵極驅動器供電可針對反相/非反相工作情況配置柵極驅動器輸入可選擇通過如下方式評估系統：柵極驅動器和 IGBT 之間的雙絞線電纜柵極和發射極之間的外部電容
2018-12-27 11:41:40
隔離門驅動器在許多系統中的電力傳輸扮演著重要角色。對此，世強代理的高性能模擬與混合信號IC廠商Silicon Labs推出可支持高達5KV隔離額定電壓值的ISO driver隔離驅動IC Si823x。有誰知道這款業界最佳單芯片隔離驅動器解決方案到底有多厲害嗎？
2019-08-02 06:37:15
，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。圖
2012-06-19 11:36:58
使用隔離式IGBT和SiC柵極驅動器的HEV/EV牽引逆變器設計指南
2022-11-02 12:07:56
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關損耗、2）開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優勢。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
本文介紹了新一代IHM.B具備更強機械性能的高功率IGBT模塊,其融合了最新的設計、材料、焊接和安裝技術。首批IHM.B模塊將搭載最新的、采用溝槽柵單元設計的3.3kV IGBT3芯片,在保持機械
2010-05-04 08:07:47
℃，最大結溫提高至150℃，電流輸出能力可提高50%以上。本文還對宇宙射線以及功率循環試驗進行了研究。關鍵詞:具備更強機械性能高功率IGBT模塊3.3kV IGBT3芯片技術[中圖分類號] ？？[文獻
2018-12-03 13:51:29
描述PMP10654 參考設計是適用于單個 IGBT 驅動器偏置的雙路隔離式輸出 Fly-Buck 電源模塊。兩個電壓軌適合向電動汽車/混合動力汽車和工業應用的電機驅動器中的 IGBT 柵極驅動器
2018-12-21 15:06:17
驅動半橋配置中的并聯 IGBT。并聯 IGBT 在柵極驅動器級（驅動強度不足）以及系統級均會帶來挑戰：難以在兩個 IGBT 中保持相等電流分布的同時確保更快的導通和關斷。此參考設計使用增強型隔離式
2018-12-07 14:05:13
，形成最簡單的大功率igbt驅動保護電路;也可以自己配上一些外圍電路形成多功能型驅動器。 單一功能型的大功率igbt驅動保護電路的最大優點是應用靈活、成本較低。它既可以應用于諸如斬波、boost等
2012-12-08 12:34:45
，另一個要考慮的重要因素是其驅動器的設計是否合理與可靠。igbt驅動器作為功率電路和控制器之間的接口電路，對系統的功耗和可靠性等方面有著極大的關聯，一個優化的驅動器在功率變換系統中是不可或缺的，選擇適當
2021-04-20 10:34:14
極驅動器的優勢和期望，開發了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標準電壓源驅動器也在另一塊板上實現，見圖3。 圖3.帶電壓源驅動器（頂部）和電流源驅動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
幾十年來最迅速的進展。例如，新的符合AEC車規的ASPM 27三相智能功率模塊(IPM)，集成了驅動器、IGBT和二極管，提供一種更小、更可靠的方案，增強了熱性能，用于諸如汽車空調(HVAC)系統、電動油泵
2018-10-30 09:06:50
達 600 Vac 的低壓驅動器適用于額定電流高達 1000 A 且 Qg 高達 10 uC 的中等功率 IGBT 模塊雙極性（+15 V 和 -8 V）閘極驅動器電壓通用 MOSFET 尺寸讓用戶能
2018-09-04 09:20:51
、氧化鈹瓷片和散熱片。在積木單元的上部，則通過表面貼裝將控制電路、門極驅動、電流和溫度傳感器以及保護電路集成在一個薄絕緣層上。IPEM 實現了電力電子技術的智能化和模塊化，大大降低了電路接線電感、系統噪聲
2019-03-03 07:00:00
的10.2kVAC隔離功能。驅動器內核的主要功能是實現控制信號傳輸、集電極-發射極飽和電壓短路保護和故障輸出。有源適配器電路板負責提供驅動門極所需要的峰值電流。 圖11 3.3kV驅動級的功能圖6 IPOSIM仿真
2018-12-06 10:05:40
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
描述此參考設計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 閘極驅動器所需的隔離式正負電壓軌。IGBT 在變頻驅動器的三相逆變器中用于控制交流電機的轉速。此參考設計使用推挽式
2018-09-20 08:49:06
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
承受高達60V電源尖峰脈沖、±1kV浪涌脈沖，以及高達12kV ESD沖擊，工作在-40°C至+125°C寬溫工作范圍。本文中，我們討論如何有效利用MAX14912/MAX14913輸出驅動器的不同特性
2019-07-23 06:48:24
將減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-16 06:20:46
頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET
2018-10-16 21:19:44
減小元件尺寸，從而減小成本、系統尺寸和重量；這些是汽車和能源等市場中的主要優勢。新型功率開關還將促使其控制元件發生變化，其中包括柵極驅動器。本文將探討GaN和SiC開關與IGBT/MOSFET的一些
2018-10-24 09:47:32
SI82XX-KIT，Si8235評估板，2輸入，4 A，5 kV雙ISO驅動器。該板包括用于普通表面貼裝的焊盤和通孔封裝的FET / IGBT功率晶體管。該板還包括用于額外原型設計的補丁區域，可用于滿足設計人員可能需要評估的任何負載配置
2020-06-17 14:37:29
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車，隔離柵級驅動器需要確保隔離柵在所有情況下完好無損。隨著Si-MOSFET/IGBT不斷改進，以及對GaN和SiC工藝技術的引進，現代功率轉換器/逆變器的功率密度不斷提高。
2019-08-09 07:03:09
描述該適用于汽車輔助電路的電源參考設計可以通過 40V 至 1kV 的寬輸入范圍和高達 1.2kV 的瞬態電壓生成 15V、4A 輸出。該設計非常適合 800V 電池驅動的混合動力電動汽車 (HEV
2018-10-15 14:56:46
描述此參考設計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅動器解決方案，可在半橋配置中驅動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設計分別為雙通道隔離式柵極驅動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
輸出不能和IGBT柵極直接相連時，應使用雙絞線連接(2轉/cm); e.柵極保護，箝位元件要盡量靠近柵射極。 1.7隔離問題 由于功率IGBT在電力電子設備中多用于高壓場合，所以驅動電路必須與整個
2016-11-28 23:45:03
輸出不能和IGBT柵極直接相連時，應使用雙絞線連接(2轉/cm); e.柵極保護，箝位元件要盡量靠近柵射極。 1.7隔離問題 由于功率IGBT在電力電子設備中多用于高壓場合，所以驅動電路必須與整個
2016-10-15 22:47:06
。PEBB并不是一種特定的半導體器件，它是依照最優的電路結構和系統結構設計的不同器件和技術的集成。除了包括功率半導體器件外，還包括門極驅動電路、電平轉換、傳感器、保護電路、電源和無源器件。PEBB有
2017-05-25 14:10:51
通過表面貼裝將控制電路、門極驅動、電流和溫度傳感器以及保護電路集成在一個薄絕緣層上。IPEM實現了電力電子技術的智能化和模塊化，大大降低了電路接線電感、系統噪聲和寄生振蕩，提高了系統效率及可靠性
2017-11-07 11:11:09
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
NCV57001FDWR2G是一款具有簡化的軟的?轉動?關閉時間適合驅動大型IGBT或電源模塊。是一個高性能的傳感器?電流型單通道IGBT驅動器內部電流隔離，設計用于高系統效率和高功率應用的可靠性
2022-01-06 09:53:36
電子書“IGBT 和 SiC 柵極驅動器基礎知識”
2022-10-25 17:20:12
IGBT模塊作為汽車電驅系統最常昂貴的開關元件。IGBT同時具有功率MOSFET導通功率小及開關速度快的性能，以及雙極型晶體管飽和壓降低（導通電阻小）高電壓和大電流處理能力的半導體元件
2023-03-23 16:01:54
，UCC21520-Q1。 實現高效率、高功率密度和。 魯棒性在各種電力應用中。UCC21520QDWRQ1Texas Instruments18+17080 門驅動器 Automotive 4A/6A
2018-08-01 09:29:40
主要特點?單通道隔離IGBT驅動程序?600 V/1200 V IGBTs?鐵路到鐵路輸出的典型峰值電流高達6?積極米勒夾產品亮點?電隔離無芯變壓器驅動器·輸入電壓工作范圍寬?適合在高環境溫度下操
2018-08-02 09:39:35
電極-發射極電流與幾乎零柵流驅動器。典型的 IGBT絕緣柵雙極性晶體管，即 IGBT，結合了 MOSFET 的絕緣柵(因此得名第一部分)技術和傳統雙極性晶體管的輸出性能特性，因此得名第二部分。這種混合
2022-04-29 10:55:25
和SCALE-2芯片集的IGBT門極驅動: CONCEPT高壓IGBT門極驅動- 3,3kV 和4,5kV- 6,5kV: 如何為你的IGBT模塊選擇合適的CONCEPT IGBT 門極驅動-選擇合適的門極電阻
2018-12-14 09:45:02
如何實現IGBT模塊的驅動設計？在設計驅動電路時，需要考慮哪些問題？IGBT下橋臂驅動器件HCPL-316J的主要特征有哪些？上橋臂驅動器HCPL-3120的主要特征有哪些？
2021-04-20 06:24:18
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅動器參考設計為驅動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
功率MCU，分立器件和功率器件的領先公司。為了追求卓越和高品質的產品，羅姆已經垂直整合了其碳化硅供應鏈。SiC MOSFET，SBD，模塊和柵極驅動器產品組合已在Bodo的Power雜志（2015年4
2019-10-25 10:01:08
鉗位(以防止寄生米勒電容造成的IGBT誤觸發)。 2、請問：如何避免米勒效應?謝謝! IGBT操作時所面臨的問題之一是米勒效應的寄生電容。這種效果是明顯的在0到 15 V類型的門極驅動器(單電源
2018-11-05 15:38:56
`描述此參考設計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 閘極驅動器所需的隔離式正負電壓軌。IGBT 在變頻驅動器的三相逆變器中用于控制交流電機的轉速。此參考設計使用推挽
2015-03-23 14:35:34
`描述此參考設計在單個 24 伏直流輸入電源中提供絕緣閘極雙極型晶體管 (IGBT) 閘極驅動器所需的隔離式正負電壓軌。IGBT 在變頻驅動器的三相逆變器中用于控制交流電機的轉速。此參考設計使用推挽
2015-04-27 17:31:57
此參考設計是一個用于 IGBT/SiC 隔離式柵極驅動器的 4.2W、單通道、汽車 12V 電池輸入反激式偏置電源。該電源可接受 4.5V 至 65V 直流的寬輸入范圍。輸出可在負載高達 180mA
2010-04-12 16:23:12
22 日前，碳化硅（SiC）技術全球領導者半導體廠商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應加熱效率達到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產品目標用途包括感應加熱設備、電機驅動器、太陽能和風能逆變器、UPS和開關電源以及牽引設備等。
2015-09-06 17:39:111336 帶逆阻型IGBT的三電平NPC-2功率模塊的門極驅動器應用
2017-02-28 23:14:222 1月31日，三菱電機株式會社宣布已成功開發出6.5kV耐壓等級全SiC功率半導體模塊，該模塊采用單芯片構造和新封裝，實現了世界最高功率密度的額定輸出功率。
2018-02-03 11:52:448596 對于更緊湊的純SiC/GaN應用，新型隔離式柵極驅動器ADuM4121是解決方案。該驅動器同樣基于ADI公司的iCoupler數字隔離技術，其傳播延遲在同類器件中最低 (38 ns)，支持最高開關
2018-05-24 17:24:387790 
耐用介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET功率模塊。該系統由一個中央絕緣主控制(IMC)和一到四個模塊適配型門極驅動器(MAG)組成。IMC提供4.5 kV
2019-07-02 16:57:324824 Power Integrations最新的SCALE-iFlex?門極驅動器系統可輕松實現業界最新的耐受電壓介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET雙通道功率模塊的并聯。
2019-08-01 16:06:132439 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations推出適合額定電壓750V IGBT的汽車級SID1181KQ SCALE-iDriver?門極驅動器。繼推出1200V SID1182KQ驅動器IC之后，新器件擴展了公司的汽車級驅動器IC的范圍。
2020-01-16 09:31:002754 等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開發。新的門極驅動器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設計而成，非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應用。
2020-03-05 14:27:583783 “ 適合4500V模塊的靈活、強大且可靠的IGBT門極驅動器中高壓逆變器應用領域門極驅動器技術的創新者Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出1SP0351
2020-03-08 10:27:072135 Power Integrations今日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM?EV系列門極驅動板。新款驅動器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊
2022-05-10 19:30:484040 就在德國紐倫堡PCIM Europe展會的最后一天，Power Integrations(PI)在線上舉辦新品溝通會，PI資深技術培訓經理Jason Yan講解了一個汽車級IGBT/SiC(碳化硅
2022-05-17 11:56:293551 眾所周知，在所有工業控制系統中，變頻驅動器(VFD)和IGBT逆變器通常安裝在電動機的前端，以調節速度并節省能源。根據不同的輸入電壓要求，逆變器通常分為低壓(110V、220V、380V等)、中壓(690V、1140V、2300V等)或高壓(3KV、3.3KV、6KV、6.6KV、10KV等)。
2023-04-15 10:09:33824 理由相信潮流正在轉變。正如TechInsights在不久前發布的PCIM Europe 2023 -產品公告和亮點博客[4]文章中所討論的那樣，英飛凌宣布推出采用3.3 kV SiC MOSFET芯片的CoolSiCTM XHPTM 2大功率模塊[5]。
2023-06-03 12:30:58382 
未來對電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進一步提高。輸出功率應適應不同終端客戶的不同項目。同時，變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅動或電力系統等應用中滿足這些變流器要求。
2023-10-17 10:50:31395 
SiC驅動器模塊具有較低的功耗、高溫運行能力和快速開關速度等優勢，使其在下一代功率器件中有著廣闊的應用前景。SiC驅動器模塊可以用于電動車的電力系統、可再生能源轉換系統、工業電力電子裝置和航空航天
2023-11-16 15:53:30257 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:38280 
的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊，具有增強的保護功能，可確保安全可靠的工作。SCALE?-2?2SP0230T2x0雙通道門極驅動器可在不到2微秒的時間內部署短路保護功能，保護
2023-12-14 11:37:10288 PI近日推出全新系列的即插即用型門極驅動器，新驅動器適配額定耐壓在1700V以內的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模塊和硅IGBT模塊
2023-12-14 15:47:04361 報告內容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅動器功能
驅動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅動器進化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36578 
Microchip近日宣布推出一款創新的3.3 kV XIFM即插即用mSiC?柵極驅動器，該驅動器采用了Augmented Switching?專利技術，進一步擴展了其mSiC解決方案系列，為高壓SiC電源模塊的快速采用提供了有力支持。
2024-03-07 11:31:32313 意法半導體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅動器，這些產品不僅在設計上追求穩健性和可靠性，還致力于提供高度的系統集成性和靈活性，以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224
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