大聯大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產品設計可以在功率密度和性能上達到前所未有的水平。它們將有助于電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統成本。
2018-04-10 14:04:34
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為了更好地理解對功率密度的關注，讓我們看看實現高功率密度所需的條件。即使是外行也能看出，效率、尺寸和功率密度之間的特殊關系是顯而易見的。
2020-08-20 11:12:141169 
在本文中，我們將討論一些設計技術，以在不影響性能的情況下實現更高的功率密度。
2021-09-13 11:29:541186 
為滿足快速發展的電動汽車行業對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設計與開發，提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 
基于該封裝概念的功率MOSFET，它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業標桿，不僅通態電阻（RDS（on））降低，還具有業內領先的熱性能指標。該產品適合的應用非常廣泛，包括馬達驅動、SMPS（包括服務器、電信和
2020-02-18 17:50:081494 日前發布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標準版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置并聯作業進行了優化。
2020-11-04 11:20:371482 日前發布的器件在小型封裝內含有高性能n溝道溝槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。穩壓器靜態工作電流低，峰值效率達98 %，減少功率損耗。
2021-03-24 16:58:211425 電子發燒友網報道（文/李寧遠）電源模塊功率密度越來越高是行業趨勢，每一次技術的進步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術的不斷發展，電源模塊的尺寸會越來越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 09:30:522114 最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產品采用了 300 毫米薄晶圓技術和創新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361028 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:431207 
：IFNNY）順應系統層面的發展趨勢，推出業界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務器、計算、數據中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率
2023-12-12 18:04:37494 
日益增長的需求，適于使用自動化表面貼裝生產線。要求最大功率密度和能效的典型應用包括太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、電池充電和蓄電等。 英飛凌的超薄TRENCHSTOP 5技術可以縮小芯片尺寸、提高
2018-10-23 16:21:49
的設計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
`在全球電子元器件分銷商中排名第十，在歐洲市場排名第三的電子產品分銷商儒卓力致力服務中國市場，繼11月在微信開設帳號后，再接再厲開設中文網站，使得中國客戶以及合作伙伴、供應商、工程師和媒體只需輕松
2017-11-07 11:50:39
描述 PMP20978 參考設計是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉換器參考設計。此設計將 390V 輸入轉換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數，進而確保持續提升系統效率和功率密度。分析顯示，在研發功率
2019-07-04 06:22:42
英飛凌科技股份有限公司低壓驅動應用工程師Ralf Walter 2012年，電子器件一如既往地沿著更高性能和更高功率密度的方向發展。取決于具體的應用，要么側重于封裝的微型化，要么側重于提高通流能力
2018-12-06 09:46:29
推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機驅動器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd基于重量與體積，BLDC功率密度大于PMSM
2019-05-11 19:39:49
導讀：全球功率半導體領先供應商國際整流器公司（International Rectifier,簡稱IR）日前發布其近日新增產品--AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET
2018-09-28 15:57:04
：7A 負載條件下的啟動波形結論LTC7820 是一款固定比例高電壓高功率開關電容器控制器，具有內置柵極驅動器以驅動外部 MOSFET，可實現非常高的效率 (達 99%) 和高功率密度。堅固的保護功能
2018-10-31 11:26:48
新的功率密度和能效標準。 極低的門極電荷，輸出電荷以及極低的導通電阻使得New OptiMOS成為服務器，數據通信和電信產品電壓調節器上的最佳選擇。40V, 60V OptiMOS更為DC/DC變換器
2012-07-13 10:50:22
什么是功率密度？功率密度的發展史如何實現高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。安森美半導體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2020-07-30 07:14:58
實現的高能效以及ZCS操作在二次側帶來的額外的能效提升，混合反激式轉換器為諸如USB-PD快速充電器等超高功率密度轉換器，提供了一個具有成本競爭力的解決方案。 圖4：HFB轉換器運行LLC轉換器
2022-04-12 11:07:51
實現的高能效以及ZCS操作在二次側帶來的額外的能效提升，混合反激式轉換器為諸如USB-PD快速充電器等超高功率密度轉換器，提供了一個具有成本競爭力的解決方案。 圖4：HFB轉換器運行LLC轉換器
2022-06-14 10:14:18
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經在電子電器產品中占據相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術領域的創新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現有尺寸
2019-03-01 09:52:45
如何在高功率密度模塊電源中實現低損耗設計？這個問題是很多生產商和研發人員所面臨的頭號問題。畢竟，高功率密度的模塊電源目前在我國的工業、通訊和制造業領域占據著主導地位。所以，下文將會就這一問題展開
2016-01-25 11:29:20
實現功率密度非常高的緊湊型電源設計的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封裝技術提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
封裝中容納更多的硅，從而實現比分立QFN器件更高的功率密度。這些器件還具有帶裸露金屬頂部的耐熱增強型DualCool?封裝。因此，盡管仍存在一些情況，即電動工具制造商可能更傾向于使用TO-220 FET來
2017-08-21 14:21:03
怎么測量天線輻射下空間中某點的電磁功率（功率密度）？
2013-10-16 16:32:02
高密度智能功率模塊（IPM）推向市場。由于采用精細間距技術實現高布線密度的直接鍵合銅（DBC）基板，改善了熱性能，這些緊湊型IPM遠小于具有相同電流和電壓額定值的競爭產品。它們也表現出降低的功率損耗
2018-10-18 09:14:21
整個壽命周期成本時，逐步減少能量轉換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉換設備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數據
2020-10-27 10:46:12
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經在電子電器產品中占據相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術領域的創新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現有尺寸
2019-08-06 07:20:51
作為開關模式電源的核心器件，MOSFET在對電源的優化中承擔著十分重要的角色。采用最先進的半導體技術對提高工作效率固然必不可少，但封裝技術本身對提高效率也具有驚人的效果。效率和功率密度是現代功率轉換
2018-12-07 10:23:12
定制DCB（直接銅粘合）布線和引腳而獲得的應用靈活性；降低客戶開發周期和成本；高功率密度；集成式溫度傳感器；低雜散電感模塊設計；符合RoHS標準。英飛凌已成功將這些模塊納入其汽車功率模塊產品組合。因此
2018-12-07 10:13:16
開發人員來說，功率密度是一個始終存在的挑戰，對各種電壓下更高電流的需求（通常遠低于系統總線）帶來了對更小的降壓穩壓器的需求，這樣的穩壓器可通過一個單極里的多個放大器，將電壓從高達48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
傳統變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結構
2021-03-07 08:47:04
功率密度在現代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設計的基本技術，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：降低損耗最優拓撲和控制選擇有效的散熱通過機電元件
2022-11-07 06:45:10
和渦流損耗給繞組和磁心設計以及相應地給磁心材料和導體材料品種規格的選用所帶來的種種限制。本文對工作頻率為2MHz，功率密度大于400W/cm3，功率范圍在50~100W，輸出電壓為1.5V，效率高于99
2016-01-18 10:27:02
英飛凌推出25V OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計算和電信產品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會議和產品展示
2010-03-01 11:20:47731 飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協議
全球領先的高性能功率和移動產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x
2010-04-26 08:50:51571 對于現代的數據與電信電源系統，更高的系統效率和功率密度已成為核心焦點，因為小型高效的電源系統意味著節省空間和電費賬單。
2011-07-14 09:15:132672 麥瑞半導體公司(Micrel, Inc.)推出了面向高功率密度直流—直流應用的新型SuperSwitcher II(TM)系列集成MOSFET的降壓穩壓器產品。
2012-02-03 09:09:12894 日前，集設計，開發和全球銷售的功率半導體供應商AOS半導體有限公司（AOS），發布了具有行業領先標準的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。
2012-05-28 11:30:242463 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務器和電信系統供電應用中，提高效率和功率密度是設計人員面臨的重大挑戰。為了應對挑戰，飛兆半導體研發了智能功率級（SPS）模塊系列——下一代超緊湊的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:011811 e絡盟日前宣布新增來自全球半導體和系統解決方案領先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產品，進一步擴充其功率MOSFET產品組合。
2015-03-02 17:37:381390 高功率密度逆變電源研制，有需要的下來看看
2016-03-25 13:57:20
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意法半導體新款的MDmesh? MOSFET內置快速恢復二極管
提升高能效轉換器的功率密度
2017-09-21 16:31:255915 ，需要開發出高效可靠的LED專用驅動電源與之配套。當前LED驅動電源存在功率密度、功率因數和效率較低等問題，因此開展高功率密度LED驅動電源的研究意義深遠。
2017-10-23 14:36:289 TI高功率密度電源設計中的散熱解決方案-上篇
2018-08-24 00:10:002790 設計超高功率密度的小功率AC-DC電源
2018-08-16 01:30:007217 設計超高功率密度的小功率AC-DC電源
2019-05-13 06:21:004845 
SuperSO8封裝：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封裝，堪稱封裝界的best-in-class級別，相比于TO-220封裝，SuperSO8將在減少封裝電感的基礎上進一步增大功率密度、減少漏源電壓V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:174535 
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率而設計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務網站上供應這款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:382779 通過對同步交流對交流（DC-DC）轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管 （MOSFET）參數，進而確保持續提升系統效率和功率密度。分析顯示，在研發功率
2020-08-07 18:52:000 什么樣的MOSFET才適合儲能系統？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產品系列，幫助儲能系統輕松實現更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設計。
2020-08-21 14:01:251014 
功率密度在現代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。 為了更好地理解高功率密度設計的基本技術，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面： 降低損耗 最優拓撲和控制選擇 有效的散熱 通過
2020-10-20 15:01:15579 功率密度在現代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設計的基本技術，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：降低損耗，最優拓撲和控制選擇，有效的散熱，通過機電
2020-11-19 15:14:0011 高功率密度系統需要大電流轉換器
2021-03-21 12:38:3810 高功率密度雙8Aμ模塊穩壓器
2021-04-14 10:39:519 20VIN 1A高功率密度LDO具有40μVRMS噪聲，H級溫度范圍高達+150°C
2021-05-21 18:43:586 3D封裝對電源器件性能及功率密度的影響
2021-05-25 11:56:0315 功率密度在現代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。
為了更好地理解高功率密度設計的基本技術，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：
降低損耗
最優拓撲和控制選擇
有效
2022-01-14 17:10:261733 ）。首款商業MOSFET在五年后發布生產，從那時起，幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現了雙極性早期產品不可能實現的性能和密度級別。
然而，近年來，這些已取得的進步開始逐漸弱化，為下一個突破性技術
2021-12-09 11:08:161428 
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382073 
功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統的功率密度是功率半導體重要的設計目標。
2022-05-31 09:47:061906 
提高功率密度的路線圖從降低傳導動態損耗開始。與碳化硅相比，氮化鎵可以顯著降低動態損耗，因此可以降低整體損耗。因此，這是未來實現高功率密度的一種方法。
2022-07-26 10:18:46487 電力電子領域的各種應用。MOSFET 的基本特性之一是其能夠承受甚至非常高的工作電流、卓越的性能、穩健性和可靠性。該LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封裝設計用于比 D2PAK 等舊金屬電纜封裝小尺寸和更高的功率密度，適用于當今空間受限的高功率汽車應用。
2022-08-09 08:02:112783 
OptiMOS 已經成為采用英飛凌獨特技術的中低耐壓 MOSFET 的商標，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車和消費類應用。英飛凌在功率半導體領域的市場占有率位居全球第一，特別是在汽車
2022-08-19 15:05:053319 功率密度基礎技術簡介
2022-10-31 08:23:243 一般電驅動系統以質量功率密度指標評價，電機本體以有效比功率指標評價，逆變器以體積功率密度指標評價；一般乘用車動力系統以功率密度指標評價，而商用車動力系統以扭矩密度指標評價。
2022-10-31 10:11:213713 用氮化鎵重新考慮功率密度
2022-11-01 08:27:301 電子發燒友網報道（文/李寧遠）電源模塊功率密度越來越高是行業趨勢，每一次技術的進步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術的不斷發展，電源模塊的尺寸會越來越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 07:15:02723 基于WAYON維安MOSFET高功率密度應用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:35549 
功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統的功率密度是功率半導體重要的設計目標。
2023-02-06 14:24:201160 
未來電力電子系統的設計將持續推進，以實現最高水平的性能和功率密度。為順應這一發展趨勢，英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:22758 對于電源管理應用程序而言，功率密度的定義似乎非常簡單：它指的是轉換器的額定（或標稱）輸出功率除以轉換器所占體積，如圖1所示。
2023-03-23 09:27:49711 
在功率器件領域，除了圍繞傳統硅器件本身做文章外，材料的創新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談論功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復原、低輸出電荷和高電壓轉換率等突出優勢，能夠幫助廠商大幅提升系統密度，而另一種主流的寬帶隙半導體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27741 
英飛凌科技汽車 MOSFET 產品線高級副總裁 Axel Hahn 表示：“OptiMOS 7 40V MOSFET 系列將在功率密度、電流能力和芯片耐用性方面樹立新標桿。
2023-06-26 13:10:00302 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 點擊 “東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 碳化硅（SiC）是第3代半導體材料的典型代表，具有高禁帶寬度、高擊穿電場和高功率密度、高電導率、高熱導率等優越的物理性能，應用前景廣闊。 目前，東芝的碳化硅
2023-10-17 23:10:02269 
隨著汽車行業逐步縱深電氣化，我們已經創造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設備使得汽車對電力運作的需求日益攀升，這無疑對電源網絡提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設計中的關鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:28195 
采用IGBT7高功率密度變頻器的設計實例
2023-12-05 15:06:06375 
功率半導體冷知識：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
非互補有源鉗位可實現超高功率密度反激式電源設計
2023-11-23 09:08:35284 
在電力電子系統的設計和優化中，功率密度是一個不容忽視的指標。它直接關系到設備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07277 
英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363 
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