模塊電源廣泛用于交換設備、接入設備、移動通訊、微波通訊以及光傳輸、路由器等通信領域和汽車電子、航空航天等。由于采用模塊組建電源系統具有設計周期短、可靠性高、系統升級容易等特點，模塊電源的應用越來越廣泛。尤其近幾年由于數據業務的飛速發展和分布式供電系統的不斷推廣，模塊電源的增幅已經超出了一次電源。隨著半導體工藝、封裝技術和高頻軟開關的大量使用，模塊電源功率密度越來越大，轉換效率越來越高，應用也越來越簡單。??　　模塊電源發展趨勢

　　1999到2004年塊電源全球市場預測為由30億美元增加到50億美元，主要的市場增長點為數據通訊，其中5V輸出所占的比例從30%(1999)下降到11%(2004年)。模塊電源的發展以下幾個動向值得注意：

　　1)高功率密度、低壓輸出(低于3.3V)、快速動態響應的需求推動模塊電源的發展。

　　2)非隔離式DC-DC變換器(包括VRM)比隔離式增長速度更快。

　　3)分布式電源比集中式電源發展快，但集中式供電系統仍將存在。

　　4)標準設計的DC-DC變換器所占的比重將增大。

　　5)模塊電源的設計日趨標準化，控制電路傾向于采用數字控制方式。

　　模塊電源關鍵技術

　　目前國內市場使用模塊電源的主要供應商為VICOR、ASTEC、LAMBDA、ERICCSON以及POWER-ONE。為實現高功率密度，在電路上，早期采用準諧振和多諧振技術，但這一技術器件應力高，且為調頻控制，不利于磁性器件的優化。后來這一技術發展為高頻軟開關和同步整流。由于采用零電壓和零電流開關，大大降低了器件的開關損耗，同時由于器件的發展，使模塊的開關頻率大為提高，一般PWM可達500kHz以上。大大降低了磁性器件的體積，提高了功率密度。

　　電路拓撲發展趨勢

　　DC-DC變換器電路拓撲的主要發展趨勢如下：

　　高頻化：為縮小開關變換器的體積，提高其功率密度，并改善動態響應，小功率DC-DC變換器開關頻率將由現在的200-500kHz提高到1MHz以上，但高頻化又會產生新的問題，如：開關損耗以及無源元件的損耗增大，高頻寄生參數以及高頻EMI的問題等。

　　軟開關：為提高效率采用各種軟開關技術，包括無源無損(吸收網絡)軟開關技術，有源軟開關技術，如：ZVS/ZCS諧振、準諧振、恒頻零開關技術等，減小開關損耗以及開關應力，以實現高效率的高頻化。如美國VICOR公司開發的DC-DC高頻軟開關變換器，48/600W輸出，效率為90%，功率密度120W/in3，日本LAMBDA公司采用有源箝位ZVS-PWM正反激組合變換以及同步整流技術，可使DC-DC變換模塊的效率達90%。

　　低壓輸出：例如現代微處理器的VRM電壓將為1.1-1.8V，便攜式電子設備的DC-DC變換器輸出電壓為1.2V，特點是負載變化大，多數情況下工作低于備用模式，長期輕載運行。要求DC-DC變換器具有如下特征：a)負載變化的整個范圍內效率高。b)輸出電壓低(CMOS電路的損耗與電壓的平方成正比，供電電壓低，則電路損耗小)。c)功率密度高。這種模塊采用集成芯片的封裝形式。

　　模塊電源工藝發展方向

　　降低熱阻，改善散熱——為改善散熱和提高功率密度，中大功率模塊電源大都采用多塊印制板疊合封裝技術，控制電路采用普通印制板置于頂層，而功率電路采用導熱性能優良的板材置于底層。早期的中大功率模塊電源采用陶瓷基板改善散熱，這種技術為適應大功率的需要，發展成為直接鍵合銅技術(Direct Copper Bond，DCB)，但因為陶瓷基板易碎，在基板上安裝散熱器困難，功率等級不能做得很大。后來這一技術發展為用絕緣金屬基板(Insutalted Mental Substrate，IMS)直接蝕刻線路。最為常見的基板為鋁基板，它在鋁散熱板上直接敷絕緣聚合物，再在聚合物上敷銅，經蝕刻后，功率器件直接焊接在銅上。為了避免直接在IMS上貼片造成熱失配，還可以直接采用鋁板作為襯底，控制電路和功率器件分別焊于多層(大于四層，做變壓器繞阻)FR-4印制板上，然后把焊有功率器件的一面通過導熱膠粘接在已成型的鋁板上固定封裝。不少模塊電源為了更利于導熱、防潮、抗震，進行了壓縮密封。最常用的密封材料是硅樹脂，但也有采用聚氨酯橡膠或環氧樹脂材料。后兩種方式絕緣性能好，機械強度高，導熱性能好，成為近年來模塊電源的發展趨勢之一，是提高模塊功率密度的關鍵技術。

　　二次集成和封裝技術——為提高功率密度，近年開發的模塊電源無一例外采用表面貼裝技術。由于模塊電源的發熱量嚴重，采用表面貼裝技術一定要注意貼片器件和基板之間的熱匹配，為了簡化這些問題，最近出現了MLP(Multilayer Polymer)片狀電容，它的溫度膨脹系數和銅、環氧樹脂填充劑以及FR4 PCB板都很接近，不易出現象鉭電容和磁片電容那樣因溫度變化過快而引起電容失效的問題。另外為進一步減小體積，二次集成技術發展也很快，它是直接購置裸芯片，經組裝成功能模塊后封裝，焊接于印制板上，然后鍵合。這一方式功率密度更高，寄生參數更小，因為采用相同材料的基片，不同器件的熱匹配更好，提高了模塊電源的抗冷熱沖擊能力。李澤元教授領導的CPES在工藝上正在研究IPEM(IntegratedPower Electronics Module)，它是一種三維的封裝結構，主要針對功率電路，取代線鍵合技術。

　　扁平變壓器和磁集成技術——磁性元件往往是電源中體積最大、最高的器件，減小磁性元件的體積就提高了功率密度。在中大功率模塊電源中，為滿足標準高度的要求，大部分的專業生產廠家自己定做磁芯。而現有的磁性供應商只有飛利浦可以提供通用的扁平磁芯，且這種變壓器的繞組制作也存在一定難度。采用這種磁芯可以進一步減小體積，縮短引線長度，減小寄生參數。CPES一直在研究一種磁集成技術，福州大學的陳為教授3年前在CPES研究了磁集成技術，他們做的一個樣機是半橋電路，輸出整流采用倍流整流技術，而且輸出端的兩個電感跟主變壓器集成在一個鐵芯里，最后達到的功率密度為300W/in3。倍流整流技術適用于輸出電流大，對di/dt要求高的場合，比如在實現VRM的電路中就常常用這種整流電路。

　　國內市場常見模塊電源品牌簡介

　　VICOR

　　美國VICOR公司模塊電路技術的核心是零電流開關，工藝上大量采用二次集成和定制器件，它使VICOR變換器工作頻率超過1MHz，效率達90%以上，功率密度比普通變換器高10倍，可達每立方英寸120W。模塊接通電源后把一個量子化的能量塊從輸入源輸到一個由變壓器初級線圈固有漏電感和電容元件構成的LC諧振電路。同時一個近似于半個正弦波的電流通過功率場效應管開關，電流為零時開關接通，經過半個正弦波后電流返回零時開關斷開。VICOR模塊采用這種零電流開關原理，減小了開關損耗，降低了傳導和輻射噪聲電平。為保證不同負載下系統的穩定性，VICOR模塊采用變頻技術跟蹤負載電流的變化，以保證在任何情況下模塊都工作在最佳狀態下。

　　NEMIC-LAMBDA、POWER-ONE和ASTEC、TYCO

　　日本LAMBDA公司電源模塊、美國POWER-ONE電源模塊和ASTEC(雅達)屬于PWM部分諧振零電壓開關。在脈寬調制性恒頻變換器線路的條件下，讓功率場效應管在開通和關斷的瞬間產生諧振，實現零電壓開關，從而大大減小了開關損耗和輻射干擾，使工作頻率提高到200-500kHz，效率提高至80%-90%。因為頻率基本恒定且不太高，對器件的要求也不是很嚴格，線路不是很復雜，因此成本不是很高，相對全諧振型變換器而言，這種變換器價格較低，在計算機和通訊領域達到了較佳的性能價格比。

　　ERICSSON

　　瑞典ERICSSON電源模塊主要是低壓輸入模塊，功率從5-200W。這種模塊的特點是主要采用了推挽和半橋式脈寬調制場效應管線路，工作頻率達300kHz。驅動和控制采用了專利電路。工藝上采用DCB和線鍵合技術，大大降低了寄生參數，降低了紋波，改善了散熱。

　　國產模塊

　　主要的供應商有新雷能、迪賽、24所等。其中新雷能與迪賽源出一處，所以這兩家的產品大致相同，大部分模塊采用貼片和插件混裝工藝，早期研發的模塊大量采用鋁電解電容，灌封膠自制，成本低，工藝和可靠性差。

　 中興模塊電源

　　中興電源產品部從1999年年末開始進行模塊電源的開發，目前已經完成和正在進行開發的模塊共5大系列，31個品種，功率等級從1.5W到300W，輸出電壓從3.3V到48V。中興模塊電源的系列劃分如下：

　　G：通用系列模塊電源，用于對成本要求較高，在保證可靠性的基礎上性能要求一般的場合。

　　H：高效大功率密度系列，主要用于對體積和效率要求比較嚴格的場合。

　　D：主要用于對體積要求較高的場合。

　　N：非隔離系列，主要用于低壓輸出，快速動態相應的場合。

　　R：鈴流系列，用于給電話機振鈴供電。

　　中興模塊電源的研發是在仔細分析了同類模塊電源失效模式的基礎上開發的，吸收了替代模塊的研發經驗。電路拓撲上，中興DC/DC模塊電源采用了專利技術的有源箝位ZVS變換技術，在主功率管開通和關斷的瞬間使主功率管實現零電壓開關，降低了開關損耗和輻射干擾。低壓模塊采用同步整流，提高了變換的效率。工藝上，中大功率采用鋁基板工藝，形成了一整套完整的專利工藝方案，大大降低了線路之間的耦合和因為膨脹系數不同造成的器件熱損傷。DC/AC鈴流模塊在低頻換向瞬間實現了零電壓轉換，大大提高了模塊的效率和可靠性。

　　中興模塊電源主要具有以下幾個特點： a、全SMT工藝，高可靠性。產品開發階段嚴格遵循可靠性設計準則，測試和中試轉產階段共進行4次可靠性實驗。完成試生產后還要進行MTBF實驗。所有模塊基本可靠性指標20萬小時均經過實驗驗證。設計可靠性指標超過200萬小時。

　　b、全負載范圍正常工作，無需死負載。

　　c、帶容性負載能力強，所有模塊通過各種實驗條件下的帶10000μF電容測試。

　　半導體集成、模塊電源封裝和電路拓撲的進步將模塊電源帶入了一個全新的領域，模塊電源正一步步向器件級發展。隨著模塊電源集成化和一致性設計的推進，模塊的應用也日趨標準化，應用電路越來越簡單，選型也變得相對容易。各模塊電源廠商已經開始進行器件和電路的整合來盡量降低成本，提高競爭力。