本文將介紹芯片設計中動態隨機存取存儲器（DRAM）的相關知識，包括其工作原理、分類以及在現代電子設備中的應用。
2023-10-23 10:07:34
66 MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動態隨機存取存儲器 16Gb低VDDQ移動低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
九講 A/D轉換器 第三十講 半導體存儲器 第三十一講 隨機存取存儲器 第三十二講 可編程邏輯器件及應用 第三十三講 PLD器件的應用[此貼子已經被作者于2009-3-30 21:49:22編輯過]
2009-03-30 18:05:08
，非易失性存儲器在計算機關閉后存儲數據仍保留在計算機中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態。主要分為兩種類型：靜態隨機存取存儲器(SRAM)和動態隨機存取存儲器(DRAM)。 1963年，Fairchild發明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28380 無論是在網飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數碼照片，你的電腦都會定期進入內存獲取指令。沒有隨機存取存儲器（RAM），今天的計算機甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:55135 RAM ：隨機存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機存儲器”。
2023-04-25 15:58:203956 
在當前計算密集的高性能系統中，動態隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態快速讀/寫存儲器。先進的 DRAM 存儲單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:573874 在當前計算密集的高性能系統中，動態隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:39368 
MT48LC16M16A2P-6A:G是一種高速CMOS動態隨機存取存儲器，包含268435456位。它內部配置為具有同步接口的四組DRAM（所有信號都記錄在時鐘信號CLK的正邊緣
2023-02-02 13:49:53
相變隨機存取存儲器具有低電壓操作、編程速度快、功耗小和成本低等特點。
2023-02-01 10:16:15464 在過去幾十年內，易失性存儲器沒有特別大的變化，主要分為DRAM(動態隨機存取存儲器)和SRAM(靜態隨機存取存儲器)。它在任何時候都可以讀寫，RAM通常是作為操作系統或其他正在運行程序的臨時存儲介質(可稱作系統內存)。
2022-11-29 15:56:462443 
SRAM即靜態隨機存取存儲器。它是具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路便能保存它內部存儲的數據。
2022-11-17 14:53:32681 W9825G6KH是一種高速同步動態隨機存取存儲器（SDRAM），由4M字×4組×16位組成。W9825G6KH提供高達每秒200兆字的數據帶寬。為了完全符合個人計算機行業標準，W9825G6KH
2022-09-29 11:42:06
0 VDSR4M08XS44XX1V12是一種高速存取時間、高密度靜態隨機存取存儲器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術制造，由一個SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數據接口。可以選擇塊單獨配備專用的#CE。
2022-06-08 14:33:241 VDSR32M322XS68XX8V12-II是一種高速存取時間、高密度靜態隨機存取存儲器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術制造，可堆疊八個采用CMOS工藝（6
2022-06-08 14:27:150 VDSR32M322xS68XX8V12是一種高速存取時間、高密度靜態隨機存取存儲器包含33554332位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術制造，可堆疊八個采用CMOS工藝（6晶體管
2022-06-08 14:24:161 VDSR20M40XS84XX6V12是一種高速存取時間、高密度靜態隨機存取存儲器20Mbit。該芯片采用VDIC高密度SIP技術制造，堆疊六個SRAM芯片，采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）。它被組織為兩個256Kx40bit寬的獨立塊數據接口。可以使用專用的#CSn單獨選擇每個塊。
2022-06-08 14:22:580 VDSR16M32XS64XX4V12是一種高速存取時間、高密度靜態隨機存取存儲器包含16777216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術制造，可堆疊四個采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）的4-Mbit SRAM芯片。它分為兩部分512K x 32位寬數據接口的獨立塊。
2022-06-08 14:20:001 VDSR16M32XS64XX4C12是一種高速存取時間、高密度靜態隨機存取存儲器包含6.777.216位。該SiP模塊采用VDIC非常密集的SiP技術制造，可堆疊四層采用CMOS工藝（6晶體管存儲單元）的4-Mbit SRAM組。它分為兩部分512Kx32bit寬數據接口的獨立塊。
2022-06-08 14:18:520 VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的產品。靜態隨機存取存儲器8.388.608位。它由兩個4Mbit的銀行組成。
2022-06-08 11:48:581 VDSR4M08XS44XX1C12是一種高速存取時間、高密度靜態隨機存取存儲器使用4Mbit。該模塊采用VDIC高密度SIP技術制造，由一個SRAM芯片堆疊而成采用CMOS工藝。它被組織為512K×8bit寬的數據接口。可以選擇塊單獨配備專用的#CE
2022-06-08 11:47:382 VDMR64M08XS54XX4V35是一款4×16777216位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術，該模具堆疊四個16 Mbit MRAM模具。它被組織為四個2Mx的獨立模具8位寬的數據接口。
2022-06-08 10:32:292 VDMR20M40XS84XX5V35是一款5×4194304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術它被組織為512K x 8bit寬數據接口的五個獨立模具。
2022-06-08 10:31:022 VDMR16M08XS54XX4V35是一款4 x 4194304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SIP制造技術，該設備堆疊4個4-Mbit MRAM模具。它由四個512K x的獨立模具組成8位寬的數據接口。
2022-06-08 10:28:211 VDMR16M08XS44XX1V35是一款1 x 16777216位磁阻隨機存取存儲器。該器件采用VDIC高密度SiP技術制造，可堆疊16 Mbit MRAM芯片。它是有組織的作為一個2M x 8bit寬數據接口的獨立模具。
2022-06-08 10:26:541 VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術，該模具堆疊八個1-Mbit MRAM模具。它由八個128K的獨立模具組成8比特寬的數據接口。
2022-06-08 10:25:441 VDMR4M08XS44XX4V35是一款4×1048576位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術，該模具堆疊四個1-Mbit MRAM模具。它由四個128K x的獨立模具組成8位寬的數據接口。
2022-06-08 10:20:131 VDMR2M16XS54XX2V35是一款2.097.152位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術它被組織為一個128K x 16位寬數據接口的獨立模塊。
2022-06-08 10:18:481 VDMR4M08XS44XX1V35是一款4、194、304位高速訪問時間、高密度磁阻隨機存取存儲器。采用VDIC高密度SiP制造技術它被組織為512K x 8bit寬數據接口的一個獨立模塊。
2022-06-07 16:04:271 富士通半導體存儲器解決方案有限公司推出12Mbit ReRAM(電阻式隨機存取存儲器)MB85AS12MT，這是富士通ReRAM產品系列中密度最大的產品。
2022-04-24 16:06:021020 國產SRAM芯片廠商偉凌創芯EMI7256器件是256Kb串行靜態隨機存取存儲器，內部組織為32K字，每個字8位。最大時鐘20MHz，采用最先進的CMOS技術設計和制造，以提供高速性能和低功耗。該
2022-04-24 15:59:18476 
什么是FRAM？ FRAM（鐵電隨機存取存儲器）是一種非易失性存儲器，它使用鐵電薄膜作為電容器來存儲數據。FRAM兼具ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取存儲器）的特性，具有寫入速度更快、讀/寫
2022-03-02 17:18:36657 一般計算機系統所使用的隨機存取內存主要包括動態與靜態隨機存取內存兩種，差異在于DRAM需要由存儲器控制電路按一定周期對存儲器刷新，...
2022-02-07 12:29:531 鐵電存儲器是一種隨機存取存儲器，同時也是一種特殊工藝的非易失性的存儲器,它將動態隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問，它屬...
2022-01-26 18:11:561 。因此，ROM常用來存儲系統程序，具有開機自檢、鍵盤輸入處理、用戶程序翻譯、信息傳輸、工作模式選擇等功能。 ?2.隨機存取存儲器。 隨機存取存儲器也稱為讀寫存儲器。當信息被讀出時，內存中的內容保持不變；寫入時，新寫入的信息會覆蓋原始內容。
2021-12-24 13:50:3512442 貿澤電子宣布即日起開售Fujitsu Semiconductor Memory Solution的鐵電隨機存取存儲器 （FRAM） 和高密度電阻式隨機存取存儲器 （ReRAM） 產品。
2021-12-13 14:06:53892 
實驗二 靜態隨機存取存貯器實驗
2021-11-23 17:51:0737 作者：Robert Taylor1? 德州儀器
雙數據速率同步動態隨機存取存儲器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認識這個全稱；它通常縮寫為 DDR 存儲器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR
2021-11-23 14:53:451783 ADG7421F：低壓故障保護和檢測，20?隨機存取存儲器，雙單擲開關數據表
2021-05-14 18:27:144 富士通型號MB85RS2MTA是采用262144字x8位的鐵電隨機存取存儲器芯片，使用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術來形成非易失性存儲單元。能夠保持數據，而無需使用SRAM所需的備用
2021-05-04 10:13:00829 
UG-1755：評估ADG5401F故障保護，6Ω隨機存取存儲器，帶0.6kΩ反饋通道的單刀單擲開關
2021-03-23 00:21:254 伴隨著物聯網、人工智能等應用的興起，存儲器也面臨著革新。傳統的DRAM受限于EUV的發展，平面NAND也面臨著微縮的限制，而最終采取垂直方向上朝著3D方向發展。在傳統存儲技術接受挑戰的過程中，類似于MRAM等新型存儲技術也開始逐漸在市場上展露頭角。
2021-01-18 11:16:152414 
鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力（就像其他穩定的存儲設備一樣，如只讀存儲器和閃存）結合起來。
2020-12-03 11:53:165427 SRAM（Static Random Access Memory），即靜態隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據
2020-07-16 10:44:034375 
因此“內部快取記憶體”應運而生，也就是靜態隨機存取存儲器。它通常以六個聯結晶狀體所構成，不需要去更新。靜態隨機存取儲存器是計算機系統中最快的存儲器，但也是最貴的，也占用了比動態隨機存取儲存器多三倍的空間。
2020-06-24 15:45:582595 新興的非易失性存儲器技術主要有五種類型：閃存（Flash），鐵電隨機存取存儲器（FeRAM），磁性隨機存取存儲器（MRAM），相變存儲器（PCM）和RRAM。
2020-05-21 16:34:311709 本文檔的主要內容詳細介紹的是半導體存儲器的學習課件資料說明包括了：存儲器基本概念，隨機存取存儲器（RAM），只讀存儲器（ROM），存儲器連接與擴充應用，微機系統的內存結構
2020-05-08 08:00:002 隨機存取存儲器，存儲的內容可通過指令隨機讀寫訪問，RAM 中的數據在掉電時會丟失； ROM（Read Only Memory）存儲器又稱只讀存儲器，只能從中讀取信息而不能任意寫信息。ROM 具有掉電后數據可保持不變的優點。 RAM 和 ROM 兩大類下面又可分很多小類，如下圖所示：
2020-04-09 08:00:004 我們許多人都知道，隨機存取存儲器（Random Access Memory，縮寫：RAM；也叫主存）是與電腦的中央處理器直接交換數據的內部存儲器。
2020-01-13 11:50:271808 三星電子有限公司（Samsung Electronics）在其官網上發布消息，該公司正式宣布，首次開發了第三代 10nm 制程工藝（1z-nm）8GB 超高性能和高功效的 DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取存儲器）。
2019-09-27 17:23:29936 本文檔的主要內容詳細介紹的是使用DSP進行靜態隨機存取存儲器SRAM的讀寫實驗報告書免費下載。
2019-08-02 17:39:284 隨機存取存儲器（MRAM）、可變電阻式隨機存取存儲器（ReRAM）、相變化隨機存取存儲器（PCRAM）等新型存儲器，開始被市場采用，而AI/HPC將加速新型存儲器更快進入市場。
2019-07-29 16:38:053007 靜態隨機存取存儲器（SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。相對之下，動態隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數據就需要周期性地
2019-04-01 16:17:4230558 靜態隨機存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。相對之下，動態隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數據就需要周期性地更新。
2019-03-06 15:35:243420 隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態隨機存取存儲器）和SRAM（靜態隨機存取存儲器），當關機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲器。
2019-01-07 16:46:4914197 半導體存儲器可以簡單分成易失性存儲器和非易失性存儲器，易失存儲器在過去的幾十年里沒有特別大的變化，依然是以靜態隨機存取存儲器（SRAM）、動態隨機存取存儲器（DRAM）為主，非易失存儲器反而不斷有
2019-01-01 08:55:0011136 
隨機存取存儲器（randomaccessmemory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數據的內部存儲器，也叫主存（內存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。本視頻主要介紹了隨機存取存儲器的最大特點。
2018-11-24 10:59:1142318 本文檔的主要內容詳細介紹的是STM32同步動態隨機存取存儲器（SDRAM）的源代碼程序資料免費下載
2018-08-31 15:53:3921 所謂「隨機訪問」，指的是當存儲器中的訊息被讀取或寫入時，所需要的時間與這段信息所在的位置無關。相對的，存取順序訪問（SequenTIal Access）存儲設備中的信息時，其所需要的時間與位置就會有關系（如磁帶）。
2018-06-28 12:17:0011402 隨機存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數據的內部存儲器，也叫主存（內存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。
2018-05-17 17:04:5818595 美國芯片設計商Rambus宣布與中國存儲器解決方案供應商兆易創新（GigaDevice）合作建立一個在中國的合資企業Reliance Memory，以實現電阻式隨機存取存儲器（RRAM）技術的商業化
2018-05-17 10:34:005397 本文比較了TMS320C55x DSP外部存儲器接口（EMIF）和TMS320C6000 DSP EMIF的特點。這兩個接口都支持異步存儲器、同步突發靜態隨機存取存儲器（SBSRAM）和同步動態隨機存取存儲器（SDRAM）。
2018-05-07 11:01:063 雙數據速率同步動態隨機存取存儲器。哇！真夠拗口的。很多人甚至可能都不認識這個全稱；它通常縮寫為 DDR 存儲器。圖 1 是 PC 中使用的 DDR 模塊圖。在該圖中，我在其中一個 DDR 芯片上畫
2018-04-02 09:21:217857 sram（靜態隨機存取存儲器）是一種只要在供電條件下便能夠存儲數據的存儲器件，而且是大多數高性能系統的一個關鍵部分。sram具有眾多的架構，各針對一種特定的應用。本文旨在對目前市面上現有的sram做全面評述。
2017-11-03 18:03:052566 賽普拉斯非易失性隨機存取存儲器 (NVRAM) 可確保工業系統處于“零數據風險”狀態，無論是在正常運行還是故障發生期間均可以完成安全可靠的數據備份。
2017-10-25 10:19:2610268 
富士通半導體（上海）有限公司今日宣布其低功耗鐵電隨機存取存儲器FRAM又添小封裝成員－SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標準封裝SOP-8，SON-8是為該產品添加的新型封裝。
2012-11-27 10:00:234064 固態硬盤是一種基于永久性存儲器，如閃存或非永久性存儲器、同步動態隨機存取存儲器（SDRAM）的計算機外部存儲設備。
2012-05-30 15:21:171178 據美國物理學家組織網近日報道，美國科學家們正在研制一種新的計算機存儲設備鐵電晶體管隨機存取存儲器(FeTRAM)，其將比現在的商用存儲設備更快捷，且比占主流的閃存能耗更低。
2011-10-19 09:47:40672 Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布，現已在IBM的新生產線上廣泛制造其最新鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 產品的樣片FM24C64C具有低功率運作特性，有效電流為100 μA (在100 kHz下)，典型
2011-07-22 09:38:011450 半導體存儲器 (semi-conductor memory)是一種以半導體電路作為存儲媒體的存儲器,內存儲器就是由稱為存儲器芯片的半導體集成電路組成。按其功能可分為：隨機存取存儲器(簡稱RAM)和只讀存
2011-05-30 18:26:10196 QDR聯盟日前宣布推出業界最快的四倍數據率(QDR) SRAM(靜態隨機存取存儲器)。這些新型存儲器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達633兆赫茲(MHz)的時鐘頻率允許
2011-04-27 10:20:321833 賽普拉斯半導體公司日前宣布推出新的串行非易失性靜態隨機存取存儲器(nvSRAM)，該存儲器具有I2C和SPI接口，可用于儀表、工業和汽車應用
2011-04-06 19:06:011338 名稱 RAM（隨機存取存儲器） RAM -random access memory 隨機存儲器 定義 存儲單元的內容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無
2010-06-29 18:16:592117 模擬電路網絡課件 第三十一節:負反饋放大電路的四種類型
7.2 負反饋放大電路的四種類型
一、電壓串聯負反饋
2009-09-17 11:56:461326 
摘要：該應用筆記介紹了DS32X35系列產品。這些器件為帶有鐵電隨機存取存儲器(RTC + FRAM)的高精度實時時鐘，無需外接電池即可保持存儲器內容。
概述隨著DS32X35
2009-04-22 09:39:18527 
摘要：該應用筆記介紹了DS32X35系列產品。這些器件為帶有鐵電隨機存取存儲器(RTC + FRAM)的高精度實時時鐘，無需外接電池即可保持存儲器內容。
概述隨著DS32X35
2009-04-21 11:22:49637 
概述隨著DS32X35系列產品的發布，Maxim能夠提供無需電池的非易失存儲器。這些器件采用了鐵電隨機存取存儲器(FRAM)技術，FRAM是非易失存儲器，其讀/寫操作與RAM類似。該系列器
2009-04-17 09:42:43647 
第三十講 半導體存儲器
第9章 半導體存儲器9.1 概述
9.2 只讀存儲器9.2.1固定ROM的結構和工作原理一
2009-03-30 16:36:091061 
存儲器名詞解釋 RAM：隨機存取存儲器。每一存儲單元都可方便而快速地存取。通常，RAM是指任何快速可寫的易失性存儲器。 ROM：只
2009-03-30 13:21:402670
電子發燒友App
的狀態控制
線 。
工商網監
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