基本的BJT反相器的動態性能

　　BJT開關速度受到限制的原因主要是由于BJT基區內存儲電荷的影響，電荷的存入和消散需要一定的時間。
　　考慮到負載電容C_L的影響后基本反相器將成為如下圖所示的電路
。圖中C_L包含了門電路之間的接線電容以及門電路的輸入電容。

　　當反相器輸出電壓v_O由低向高過渡時 ，電路由V_CC通過R_c對C_L充電。
　　當v_O由高向低過渡時，C_L又將通過BJT放電。
　　這樣，C_L的充、放電過程均需經歷一定的時間，這必然會增加輸出電壓v_O波形的上升時間和下降時間。特別是C_L充電回路的時間常數R_cC_L較大時，v_O上升較慢，即增加了上升時間。
　　基于器件內部和負載電容的影響 ，導致基本BJT反相器的開關速度不高。
　　尋求更為實用的TTL電路結構，是下面所要討論的問題。