（1）開通過程
開通延遲時間td(on) —— Up前沿時刻到UGS=UGS(th)并開始出現iD
??????????????????????????????????????????????? 的時刻間的時間段
上升時間tr—— UGS從UGS(th)上升到MOSFET進入非飽和區的柵
?????????????????????????????????? 壓UGSP的時間段
iD穩態值由漏極電源電壓UE和漏極負載電阻RL決定
UGSP的大小和iD的穩態值有關
UGS達到UGSP后，在Up作用下繼續升高直至達到穩態，但iD
????? 已不變?
開通時間ton——開通延遲時間與上升時間之和
（2）關斷過程
關斷延遲時間td(off)
?????? Up下降到零起，Cin通過Rs和RG放電，UGS按指數曲線下降到
?????? UGSP、iD開始減小時的時間段
下降時間tf
?????? UGS從UGSP繼續下降起，iD減小，到UGS?????? iD下降到零為止的時間段
關斷時間toff
????????? 關斷延遲時間和下降時間之和
（3）MOSFET的開關速度
MOSFET的開關速度和Cin充放電有很大關系：
?????? 使用者無法降低Cin，但可降低驅動電路內阻Rs （即增大驅動功
?????? 率）減小時間常數，加快開關速度。場控器件，靜態時幾乎不
?????? 需輸入電流。但在開關過程中需對輸入電容充放電，仍需一定的
?????? 驅動功率（保證快速開關）。開關頻率越高，所需要的驅動功率
?????? 越大。
MOSFET只靠多子導電，不存在少子儲存效應，因而關斷過程非
?????? 常迅速。
開關時間在10~100ns之間，工作頻率可達100kHz以上，是主要電
?????? 力電子器件中最高的。
4. P-MOSFET的主要參數
???? 除跨導gm、開啟電壓UGS(th)、td(on)、tr、td(off)和tf之外，還有：
（1）漏源擊穿電壓U(BR)DSS：規定了MOS管的電壓定額
（2）漏極連續直流電流ID和可重復漏極電流幅值IDM：
??????????? 漏極連續直流電流ID是指在最大導通壓降UDS(on)和占空比??
??????????? 為100％（即直流）時，產生的功率損耗使MOS管節點溫
??????????? 度上升到最大值150℃（外殼溫度為100℃）時的漏極電流。
??????????? 可重復漏極電流幅值IDM是脈沖運行狀態下MOS管漏極最
??????????? 大允許峰值電流。
（3）柵源電壓UGS：柵源之間的絕緣層很薄，?UGS?>20V?? 將
???????????????? 導致絕緣層擊穿
（4）極間電容 ：
???????????? P-MOSFET的三個極之間分別存在極間電容CGS、CGD和CDS，一般廠家提供的是漏源極短路時的輸入電容Ciss、共源極輸出電容Coss和反向轉移電容Crss，它們之間的關系是：
????????????????????????????? Ciss= CGS+ CGD
????????????????????????????? Crss= CGD
????????????????????????????? Coss= CDS+ CGD
??????? 輸入電容可近似用Ciss代替，但這些電容都是非線性的。

5.P-MOSFET的安全工作區
?? P-MOSFET是多數載流子工作的器件，元件的通態電阻具有
??? 正的溫度系數，即溫度升高通態電阻增大，使漏極電流能隨
??? 溫度升高而下降，因而不存在電流集中和二次擊穿的限制，
??? 有較寬的安全工作區。其安全工作區由最大漏極電流限制線、
??? 最大功耗限制線、最大漏源電壓限制線、開通電阻限制線決
??? 定。
GTR和GTO的特點——雙極型，電流驅動，有電導調制效應，通流能力很強，開關速度較低，所需驅動功率大，驅動電路復雜
MOSFET的優點——單極型，電壓驅動，開關速度快，輸入阻抗高，熱穩定性好，所需驅動功率小而且驅動電路簡單
兩類器件取長補短結合而成的復合器件—Bi-MOS器件