圖1-10：IGBT的轉(zhuǎn)移特性
這個(gè)特性和MOSFET極其類似，反映了管子的控制能力。
? （2）輸出特性

圖1-11：IGBT的輸出特性
它的三個(gè)區(qū)分別為：
靠近橫軸：正向阻斷區(qū)，管子處于截止?fàn)顟B(tài)。
爬坡區(qū)：飽和區(qū)，隨著負(fù)載電流Ic變化，UCE基本不變，即所謂飽和狀態(tài)。
水平段：有源區(qū)。
? （3）通態(tài)電壓Von：

圖1-12：IGBT通態(tài)電壓和MOSFET比較
所謂通態(tài)電壓，是指IGBT進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的管壓降VDS，這個(gè)電壓隨VGS上升而下降。
由上圖可以看到，IGBT通態(tài)電壓在電流比較大時(shí)，Von要小于MOSFET。
MOSFET的Von為正溫度系數(shù)，IGBT小電流為負(fù)溫度系數(shù)，大電流范圍內(nèi)為正溫度系數(shù)。
（4）開關(guān)損耗：
? 常溫下，IGBT和MOSFET的關(guān)斷損耗差不多。MOSFET開關(guān)損耗與溫度關(guān)系不大，但I(xiàn)GBT每增加100度，損耗增加2倍。
? 開通損耗IGBT平均比MOSFET略小，而且二者都對溫度比較敏感，且呈正溫度系數(shù)。
? 兩種器件的開關(guān)損耗和電流相關(guān)，電流越大，損耗越高。
（5）安全工作區(qū)與主要參數(shù)ICM、UCEM、PCM：
IGBT的安全工作區(qū)是由電流ICM、電壓UCEM、功耗PCM包圍的區(qū)域。

圖1-13：IGBT的功耗特性
最大集射極間電壓UCEM：取決于反向擊穿電壓的大小。
最大集電極功耗PCM：取決于允許結(jié)溫。
最大集電極電流ICM：則受元件擎住效應(yīng)限制。
所謂擎住效應(yīng)問題：由于IGBT存在一個(gè)寄生的晶體管，當(dāng)IC大到一定程度，寄生晶體管導(dǎo)通，柵極失去控制作用。此時(shí)，漏電流增大，造成功耗急劇增加，器件損壞。
安全工作區(qū)隨著開關(guān)速度增加將減小。
? （6）柵極偏置電壓與電阻
IGBT特性主要受柵極偏置控制，而且受浪涌電壓影響。其di/dt明顯和柵極偏置電壓、電阻Rg相關(guān)，電壓越高，di/dt越大，電阻越大，di/dt越小。
而且，柵極電壓和短路損壞時(shí)間關(guān)系也很大，柵極偏置電壓越高，短路損壞時(shí)間越短。