晶體管的極限參數

以下介紹晶體管的主要極限參數。晶體管所能承受的電壓、功率耗散以及所通過的電流都是有一定限度的，當其超過額定值時，輕則影響晶體管的工作性能，嚴重時將使其損壞。

1.集電極最大允許耗散功率Pcm
Pcm是指晶體管因溫度升高引起參數的變化不超過規定值時，集電極所消耗的最大功率。 晶體管在正常工作時，集電結加的是反向偏置電壓，集電結的反向電阻很高，這樣，集電極電流流過集電結時就要產生大量的熱量，結溫就會升高，若溫度過高，將導致晶體管不可逆轉的損壞。人們根據晶體管最高允許結溫定出最大允許耗散功率。為了降低結溫，對于大功率晶體管，人們往往要另設散熱片，散熱片表面積越大，散熱效果越好，晶體管的Pcm就可以適當提高。

2.集電極最大允許電流Icm
集電極電流增大，會導致晶體管的電流放大倍數β下降，當β降至低頻電流放大倍數βo的額定倍數（通常規定為二分之一或三分之一）時，此時的集電極電流稱為集電極最大允許電流Icm。因此，當晶體管的集電極電流達到Icm時，晶體管雖不致損壞，但電流放大倍數已大幅度下降。

3.集電極--發射極擊穿電壓BVCEO
BVCEO是指晶體管基極開路時，加在晶體管集電極與發射極之間的最大允許電壓。對于NPN型晶體管而言，集電極接電源的正極，發射極接電源的負極；對于PNP型晶體管而言，集電極接電源的負極，發射極接電源的正極。

當加在晶體管集電極與發射極之間的電壓大于BVCEO的值時，流過晶體管的電流會突然增大，導致晶體管永久性損壞，這種現象稱為擊穿。