并聯型晶體振蕩電路

1）C—B型（亦稱皮爾斯）晶體振蕩器 如圖5.3-10所示，圖A中的L和CB分別為高頻扼流圈和高頻旁路電容，忽略偏置電阻的影響，可得高頻等效電路見圖5.3-10B。電路中把石英諧振置于C、B之間代替三點式振蕩電路的一個電感構成電容三點式振蕩電路。其工作原理和特點與電容三點式振蕩電路完全相同并兼有頻率穩定度高的特點。

2)B—E型（亦稱密勒）晶體振蕩器 如圖3.11所示，該電路是將石英諧振器置于B、E之間。L1C1是集電極回路元件。C0為高頻旁路電容。由于B、E之間接入等效為電感元件的晶體，根據三點式振蕩電路相位平衡條件判斷準則，集電極回路L1C1也必須等效為感性。所以這種電路常用可變電容作為集電極回路調諧電容，以便將該回路的固有諧振頻率F1調到略高于振蕩電路的工作頻率FO，即F1﹥FO。圖中集電極采用調諧回路代替電感元件的原因是為更好地抑制諧波提高波形純度。

圖5.3-12為并聯型晶體振蕩器的實用電路。

圖5.3-12A、B所示電路中的微調電容C3C可把頻率調準在標稱頻率上。

圖5.3-12C是場效應管MILLER晶體振蕩電路。該電路是將晶體置于G、8之間，其工作原理與圖5.3-11所示電路基本相同，只是在這電路中用漏柵之間的結電容C1L1用電感調諧。由于場效應管柵源之間的阻抗較大，它并不象晶體管那樣嚴重地影響諧振器的標準性和振蕩頻率的穩定性。

利用CMOS門設計晶體振蕩器

正弦波振蕩器基礎