最近有許多正在全球范圍內(nèi)研究和開發(fā)的技術(shù)，例如晶體管GAA（Gate All around）、背面供電以及3D IC。
2023-07-26 18:21:58
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在半導(dǎo)體行業(yè)的最初幾十年里，新的工藝節(jié)點(diǎn)只需縮小晶體管的物理尺寸并將更多晶體管塞到芯片上即可實(shí)現(xiàn)性能、功耗和面積增益，這稱為經(jīng)典縮放。集成電路工作得更好，因?yàn)殡娦盘栐诿總€晶體管之間傳播的距離更短。
2023-07-16 15:47:43253 世界首款3D芯片工藝即將由無晶圓半導(dǎo)體公司BeSang授權(quán)。 BeSang制造了一個示范芯片，在邏輯控制方面包含1.28億個縱向晶體管的記憶存儲單元。該芯片由韓國國家Nanofab和斯坦福
2008-08-18 16:37:37
高頻晶體管（High Frequency Transistor）是一種用于高頻信號放大和處理的晶體管。相比于普通的晶體管，高頻晶體管具有更高的工作頻率和更低的噪聲系數(shù)，因此廣泛應(yīng)用于無線電通信、雷達(dá)、導(dǎo)航、廣播電視等領(lǐng)域。
2023-02-25 15:05:441050 晶體管包括NPN晶體管、PNP晶體管、雙極晶體管、三極晶體管等。
2023-02-17 16:32:49866 50 V、3 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS5350D-Q
2023-02-09 21:24:56
0 NPN/PNP電阻搭載晶體管-PUMD3
2023-02-09 19:12:030 50 V、3 A PNP 低 VCEsat 晶體管-PBSS5350D
2023-02-07 19:25:420 BSPDN可以理解為Chiplet技術(shù)的演變(圖自：IMEC) 目前主流的 FinFET(過去被稱為 3D 晶體管)是 10nm 工藝發(fā)展過程中的關(guān)鍵芯片設(shè)計(jì)技術(shù)，采用三面包覆式的柵極設(shè)計(jì)，可以在三個側(cè)面圍起電流通道，以此減少漏電流(電子泄露)。
2022-11-11 14:42:53570 不同類型的工藝設(shè)備，包括沉積、光刻、刻蝕和清潔等設(shè)備。大規(guī)模生產(chǎn)要求芯片制造商使用大量相同腔室的設(shè)備組來執(zhí)行特定的工藝步驟，例如用于制造3D晶體管的鰭片刻蝕。理想情況下，設(shè)備組中的每個晶圓批次都會得到相同的處理，這意味著每個晶圓腔室的運(yùn)行過程將與其他所有晶圓腔室完全相同。不過在實(shí)際操作
2022-08-15 11:24:18257 
FinFET確切的說，是一個技術(shù)的代稱。世界上第一個3D三維晶體管是由英特爾在2011年5月宣布研制成功，當(dāng)時英特爾稱其為 “Tri-Gate”（三柵極晶體管）。
2022-07-08 15:04:261549 晶體管簡介
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如
2022-02-09 12:34:230 然而，隨著FinFET和其他3D晶體管設(shè)計(jì)的出現(xiàn)，現(xiàn)在的工藝節(jié)點(diǎn)名稱是對「等效2D晶體管」設(shè)計(jì)的解釋。一般用晶體管密度可以更準(zhǔn)確的衡量，如同英特爾倡導(dǎo)的那樣。
2021-05-11 14:10:314195 
中都會涉及到這一重要元件。 而晶體管主要是泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件。也是規(guī)范操作電腦，手機(jī)，和所有其英特爾3D晶體管技術(shù)英特爾3D晶體管技術(shù)（16張） 他現(xiàn)代電子電路的基本構(gòu)建塊。 兩者的區(qū)別還不僅僅是上
2020-06-17 11:40:3932546 本文首先闡述了晶體管的概念，其次介紹了晶體管的優(yōu)越性，最后闡述了晶體管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1211274 在9月的臺灣SEMICON國際半導(dǎo)體展上，臺積電（TSMC）首席執(zhí)行官M(fèi)ark Lui認(rèn)為摩爾定律仍然有效。他表示，由于先進(jìn)工藝技術(shù)（如納米片）或3D FinFETS中的全柵晶體管技術(shù)的發(fā)展
2019-10-15 15:11:025321 2015年，基于FinFET 工藝的IC產(chǎn)品將大量面市，除了英特爾的X86處理器和一些ASIC處理器外，F(xiàn)PGA也正式步入FinFET 3D晶體管時代，2月23日，羊年大年初五，賽靈思率先發(fā)布基于16nm FinFET 3D晶體管的FPGA新品，再次創(chuàng)下業(yè)界第一，開啟了FinFET FPGA的新時代。
2019-10-06 11:57:002920 FinFET技術(shù)是電子行業(yè)的下一代前沿技術(shù)，是一種全新的新型的多門3D晶體管。
2019-09-23 08:53:363064 新的微加工技術(shù)可用于生產(chǎn)有史以來最小的3D晶體管，尺寸是目前主流商用產(chǎn)品的三分之一。
2018-12-12 09:40:482861 目前3D晶體管成為代工產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)關(guān)注的技術(shù)，但很多人關(guān)于這個技術(shù)的細(xì)節(jié)不是很了解，我們在這里介紹一下。
2015-12-28 14:34:1211367 
IBM在Common Platform技術(shù)論壇上展示了藍(lán)色巨人對未來晶圓的發(fā)展預(yù)測，Common Platform是IBM、Globalfoundries和Samsung的聯(lián)盟，旨在研究3D晶體管
2013-02-20 23:04:307669 近日消息，英特爾計(jì)劃將“3D晶體管”工藝應(yīng)用到SoC移動芯片上，以獲得產(chǎn)品性能飛躍性提升，但對于“3D晶體管”技術(shù)是否適用于SoC芯片的制造，參與舊金山國際電子產(chǎn)品大會的專家們
2012-12-11 09:05:451014 本文中心議題： 英特爾（Intel）于日前宣布芯片設(shè)計(jì)創(chuàng)新，外界認(rèn)為，主要是為擺脫英國芯片大廠ARM的威脅。ARM對英特爾在微處理器行業(yè)的統(tǒng)治地位構(gòu)成挑戰(zhàn)。但是ARM卻表明立場：面對
2012-08-15 13:56:421250 英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:24921 
英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:241179 英特爾已經(jīng)準(zhǔn)備把第一個3D晶體管結(jié)構(gòu)導(dǎo)入大量生產(chǎn)，它將是首款使用3-D Tri-Gate晶體管的量產(chǎn)芯片。22納米處理器，代號為Ivy Bridge。3-D晶體管和2-D平面晶體管有本質(zhì)性的區(qū)別，它不只可
2012-08-15 11:23:244748 本文核心議題： 通過本文介紹，我們將對Intel 22nm 3D三柵極晶體管技術(shù)有著詳細(xì)的了解。業(yè)界一直傳說3D三柵級晶體管技術(shù)將會用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒想到英特爾竟提前將之用
2012-08-15 10:45:277091 
Intel2011年5月6日研制成功的世界上第一個3D晶體管“Tri-Gate”現(xiàn)在已經(jīng)逐步進(jìn)入大家的視線了，本文將介紹3D晶體管的一些優(yōu)點(diǎn)。
2012-08-08 11:49:461736 本文通過高清圖詳解Intel最新22nm 3D 晶體管 。業(yè)界一直傳說3D三柵級晶體管技術(shù)將會用于下下代14nm的半導(dǎo)體制造，沒想到英特爾竟提前將之用于22nm工藝，并且于上周四向全世界表示將在
2012-08-03 17:09:1870 《晶體管精華集錦》技術(shù)專題主要介紹了晶體管新品資訊、晶體管原理、晶體管手冊、晶體管電路圖、晶體管電路設(shè)計(jì)、晶體管應(yīng)用（主要含晶體管收音機(jī)、晶體管測試儀）以及常見的晶體管（如：場效應(yīng)晶體管,mos晶體管,絕緣柵雙極晶體管等）。本專題內(nèi)容豐富、包羅萬象，希望對各位有所幫助！
2012-08-03 09:12:48
為了在硅芯片上擠入更多的元件，英特爾已開始大規(guī)模生產(chǎn)基于3-D晶體管的處理器。這一舉動不僅延長了摩爾定律(根據(jù)該定律，每塊芯片上的晶體管數(shù)量每兩年就會翻一番)的壽命
2012-07-09 11:11:341040 
Achronix 半導(dǎo)體公司今日宣布了其 Speedster22i HD和HP產(chǎn)品系列的細(xì)節(jié)，它們是將采用英特爾22nm 3D晶體管技術(shù)工藝制造的首批現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）產(chǎn)品。Speedster22i FPGA產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)唯一
2012-04-25 09:12:051138 從前面關(guān)于3D Tri-Gate工藝的介紹來看，這一創(chuàng)新技術(shù)給桌面處理器帶來了無“限”可能，實(shí)際上，Tri-Gate工藝還將引發(fā)現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的革新。
2012-04-15 11:03:21734 
晶體管是現(xiàn)代電子學(xué)的基石，而Intel 此舉堪稱晶體管歷史上最偉大的里程碑式發(fā)明，甚至可以說是重新發(fā)明了晶體管。半個多世紀(jì)以來，晶體管一直都在使用2-D 平面結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在終于邁入
2012-01-18 15:28:52146 Intel在微處理器晶體管設(shè)計(jì)上取得重大突破，沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實(shí)現(xiàn)3D架構(gòu)，一款名為Tri-Gate的晶體管技術(shù)得到實(shí)現(xiàn)。 3D Tri-Gate晶體管使用了一個微薄的三維硅鰭片取代了傳統(tǒng)
2011-10-25 09:35:401274 近日公布2011年“科技創(chuàng)新獎”，英特爾的3-D三柵極晶體管設(shè)計(jì)獲得半導(dǎo)體類別創(chuàng)新大獎。英特爾的3-D三柵極晶體管結(jié)構(gòu)代表著從2-D平面晶體管結(jié)構(gòu)的根本性轉(zhuǎn)變
2011-10-23 01:01:04867 (一)晶體管材料與極性的判別,1.從晶體管的型號命名上識別其材料與極性 國產(chǎn)晶體管型號命名的第二部分用英文字母A"D表示晶體管的材料和極性
2011-09-29 14:18:172557 在本周于舊金山召開的英特爾開發(fā)者大會(IDF)中，英特爾將再揭示其采用三柵極(tri-gate)3D晶體管技術(shù)的22nm元件細(xì)節(jié)，并進(jìn)一步說明超輕薄筆電(Ultrabook)的超薄、超低功耗設(shè)計(jì)概念。
2011-09-16 09:23:43811 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時的最大
2010-03-05 17:34:107860 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:513472 電力晶體管(GTR),電力晶體管(GTR)是什么意思
電力晶體
電力晶體管管按英文GiantTransistor直譯為巨型晶體
2010-03-05 13:32:3013116 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來控制。場效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:465735 PNP晶體管,PNP晶體管是什么意思
PNP晶體管是另一種類型晶體管.它的結(jié)構(gòu)如圖1所示。
2010-03-05 11:18:055540 NPN晶體管,NPN晶體管是什么意思
１９４７年１２月２３日，美國新澤西州墨累山的貝爾實(shí)驗(yàn)室里，３位科學(xué)家——巴丁博士、布菜頓博士和肖克萊博
2010-03-05 11:11:425276 晶體管分類
按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 10:48:533776 晶體管實(shí)驗(yàn):實(shí)驗(yàn)一 三極晶體管與場效應(yīng)晶體管的特性圖示一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.掌握半導(dǎo)體管特性圖示儀的使用方法。2.掌握測量晶體管輸入輸出特性的測量方法。3.觀察、了
2009-03-06 14:08:1637
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