電子發燒友網整理：由Intel于2011年5月6日研制成功的世界上第一個3D三維晶體管“Tri-Gate”現在已經逐步進入大家的視線了，本文將介紹3D晶體管的優勢。

　　3D晶體管 Tri-Gate使用一個薄得不可思議的三維硅鰭片取代了傳統二維晶體管上的平面柵極，形象地說就是從硅基底上站了起來。硅鰭片的三個面都安排了一個柵極，其中兩側各一個、頂面一個，用于輔助電流控制，而2-D二維晶體管只在頂部有一個。由于這些硅鰭片都是垂直的，晶體管可以更加緊密地靠在一起，從而大大提高晶體管密度。

　　這種設計可以在晶體管開啟狀態（高性能負載）時通過盡可能多的電流，同時在晶體管關閉狀態（節能）將電流降至幾乎為零，而且能在兩種狀態之間極速切換（還是為了高性能）。Intel還計劃今后繼續提高硅鰭片的高度，從而獲得更高的性能和效率。Intel聲稱，22nm 3-D Tri-Gate三維晶體管相比于32nm平面晶體管可帶來最多37%的性能提升，而且同等性能下的功耗減少一半，這意味著它們更加適合用于小型掌上設備。

　　與之前的32納米平面晶體管相比，22納米3-D三柵極晶體管在低電壓下將性能提高了37%，而功耗下降一半。無疑，這一巨大的改進意味著它們將是英特爾進入小型手持設備的殺手武器?！安捎眠@種技術的終端，僅要求晶體管在運行時只用較少的電力進行開關操作。全新的晶體管只需消耗不到一半的電量，就能達到與32納米芯片中2-D平面晶體管一樣的性能?！笨卤缺硎荆暗碗妷汉偷碗娏康暮锰?，遠遠超過我們通常從一代制程升級到下一代制程時所得到的好處。它將讓產品設計師能夠靈活地將現有設備創新得更智能，并且有可能開發出全新的產品。”

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