大電容由于容量大,所以體積一般也比較大,且通常使用多層卷繞的方式制作,這就導致了大電容的分布電感比較大(也叫等效串聯電感,英文簡稱ESL)。
電感對高頻信號的阻抗是很大的,所以,大電容的高頻性能不好。而一些小容量電容則剛剛相反,由于容量小,因此體積可以做得很小(縮短了引線,就減小了ESL,因為一段導線也可以看成是一個電感的),而且常使用平板電容的結構,這樣小容量電容就有很小ESL這樣它就具有了很好的高頻性能,但由于容量小的緣故,對低頻信號的阻抗大。
所以,如果我們為了讓低頻、高頻信號都可以很好的通過,就采用一個大電容再并上一個小電容的方式。
常使用的小電容為 0.1uF的CBB電容較好(瓷片電容也行),當頻率更高時,還可并聯更小的電容,例如幾pF,幾百pF的。而在數字電路中,一般要給每個芯片的電源引腳上并聯一個0.1uF的電容到地(這個電容叫做退耦電容,當然也可以理解為電源濾波電容,越靠近芯片越好),因為在這些地方的信號主要是高頻信號,使用較小的電容濾波就可以了。
理想的電容,其阻抗隨頻率升高而變小(R=1/jwc), 但理想的電容是不存在的,由于電容引腳的分布電感效應, 在高頻段電容不再是一個單純的電容,更應該把它看成一個電容和電感的串聯高頻等效電路,當頻率高于其諧振頻率時, 阻抗表現出隨頻率升高而升高的特性,就是電感特性,這時電容就好比一個電感了。相反電感也有同樣的特性。
大電容并聯小電容在電源濾波中非常廣泛的用到,根本原因就在于電容的自諧振特性。大小電容搭配可以很好的抑制低頻到高頻的電源干擾信號,小電容濾高頻(自諧振頻率高),大電容濾低頻(自諧振頻率低),兩者互為補充
串聯分壓比—— V1 = C2/(C1 + C2)*V 。。。。。。。。電容越大分得電壓越小,交流直流條件下均如此
并聯分流比—— I1 = C1/(C1 + C2)*I 。。。。。。。。電容越大通過的電流越大,當然,這是交流條件下
電容串聯值下降,相當板距在加長,
各容倒數再求和,再求倒數總容量。
電容并聯值增加,相當板面在增大,
并后容量很好求,各容數值來相加。
想起電阻串并聯,電容計算正相反,
電容串聯電阻并,電容并聯電阻串。
說明:兩個或兩個以上電容器串聯時,相當于絕緣距離加長,因為只有最靠兩邊的兩塊極板起作用,又因電容和距離成反比,距離增加,電容下降;兩個或兩個以上電容器并聯時,相當于極板的面積增大了,又因電容和面積成正比,面積增加,電容增大。
電容串聯:電容串聯后容量減小,耐壓值變大。公式:1\C1+1\C2=1\C 如兩個50uf串聯起來就變成25uf.
耐壓值=兩個電容耐壓值相加如兩個耐壓100V的串聯起來就變成200V的了。
電容C的串聯電路容量計算公式:1/C=1/C+1/C2+1/C3+.+1/Cn
C為電容串聯電路總電容值,C1,C2,C3,Cn為電容并聯電路各個電容的電容值
即串聯電路總電容值的倒數等于串聯電路中各個電容容量值的倒數之和
兩個電容串聯兩端加一定電壓兩電容的分壓是怎么分的
如圖C1、C2電容容量比是10:1,標稱耐壓都是1000V,兩端加1000V電壓時,C1C2的分壓分別是多少?原邊對地和副邊對地的兩個Y電容的分壓是怎么計算的?
兩個電容上的電荷Q一樣,面Q=UC
所以U1*C1=U2*C2U1/U2=C2/C1=1/10
電容串聯怎么分壓
比如:4V的電壓源,0.5F和1F的兩個電容串聯
1.如果是直流電壓源,可根據中學物理中介紹電容串聯分壓特點為:
(1)電容串聯電路兩端的總電壓等于各電容器兩端的分壓之和。即U= U1+ U2+ U3+…+Un.
(2)電容器串聯時各電容器上所分配的電壓與其電容量成反比。即Un =Q / Cn(因為在電容器串聯電路中,每個電容器上所帶的電荷量都相等,所以電容量越大的電容器分配的電壓越低,電容量越小的電容器分配的電壓越高。)
那么4V的電壓源,0.5F和1F的兩個電容上的電壓分別是8/3V和4/3V 2.如果是交流電壓源,由電容的阻抗Xc=1/jωC ,可知|Xc|與C成反比,將|Xc|當做電阻來分壓計算,可所得同樣結果!
兩電容器串聯的分壓公式是什么
這是一個理論計算題,需要假設電容的耐壓值沒有余量,即超過500V時200pF的電容即擊穿;超過900V時300pF的電容即擊穿。
加上1000V電壓后,200pF的電容將承受600V電壓,不考慮電容的耐壓富余量,則200pF電容將擊穿;此時1000V將全部加在300pF的電容上,超過其耐壓,故也會擊穿。
計算公式:
若有M個電容串聯,其中任意一個電容Cn實際承受的電壓值Un為:
Un=U*C/Cn 其中:U為總電壓;C為M個電容串聯后的總容量。
對于兩個電容串聯,公式演變為:
設總電壓是U,C1、C2上的電壓分別是U1、U2,則
U1=C2*U/(C1+C2)
U2=C1*U/(C1+C2)
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