嵌入式DDR(Double Data Rate，雙數(shù)據(jù)速率)設(shè)計(jì)是含DDR的嵌入式硬件設(shè)計(jì)中最重要和最核心的部分。隨著嵌入式系統(tǒng)的處理能力越來越強(qiáng)大，實(shí)現(xiàn)的功能越來越多，系統(tǒng)的工作頻率越來越高，DDR的工作頻率也逐漸從最低的133 MHz提高到200 MHz，從而實(shí)現(xiàn)了更大的系統(tǒng)帶寬和更好的性能。然而，更高的工作頻率同時(shí)也對(duì)系統(tǒng)的穩(wěn)定性提出了更高的要求，這需要硬件設(shè)計(jì)者對(duì)電路的布局走線有更多的約束和考慮。而影響整個(gè)系統(tǒng)能否工作正常且穩(wěn)定的最重要的部分就是DDR部分的電路設(shè)計(jì)。嵌入式系統(tǒng)使用DDR內(nèi)存，可以在傳統(tǒng)的單數(shù)據(jù)數(shù)率內(nèi)存芯片上實(shí)現(xiàn)更好..

1 DDR總線結(jié)構(gòu)

對(duì)于DDR內(nèi)存，JEDEC建立和采用了一個(gè)低壓高速信號(hào)標(biāo)準(zhǔn)。這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)稱為“短截線串聯(lián)終結(jié)邏輯(StubSeries Terminated Logic，SSTL)”。SSTL能夠改進(jìn)數(shù)據(jù)通過總線傳輸?shù)男盘?hào)完整性，這種終端設(shè)計(jì)的目的是防止在高速傳輸下由于信號(hào)反射導(dǎo)致的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤。

在一個(gè)典型的內(nèi)存拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，如果使用了串聯(lián)匹配電阻(Rs)，那么它應(yīng)該放在遠(yuǎn)離DDR控制器的位置。這種方法能夠節(jié)約控制器附近寶貴的電路板空間，避免布線擁塞和繁瑣的引腳扇出；而且也優(yōu)化了從控制器到內(nèi)存芯片的信號(hào)完整性，在這些位置往往有很多地址和命令信號(hào)需要可靠地被多個(gè)內(nèi)存接收。

最普通的SSTL終端模型是一種較好的單終端和并聯(lián)終端方案，如圖1所示。這種方案包含使用一個(gè)串聯(lián)終端電阻(Rg)從控制器到內(nèi)存，以及一個(gè)并聯(lián)終端電阻(RT)上拉到終端電壓(VTT)。這種方法常見于商用電腦的主板上，但目前的嵌入式主板上為了獲得更好的信號(hào)完整性和系統(tǒng)穩(wěn)定性，也常常使用。Rs和RT的值是依賴于具體的系統(tǒng)的，應(yīng)該由板級(jí)仿真確定具體的值。

2 嵌入式DDR布線分析

2．1 DDR的信號(hào)完整性問題

高速總線信號(hào)的傳輸往往需要考慮信號(hào)完整性問題。DDR的信號(hào)線不是普通的信號(hào)線而是傳輸線，因而傳輸線上的過孔，或者連接器等不連續(xù)阻抗因素都會(huì)影響接收端的信號(hào)完整性。主要有過沖和下沖、振鈴及串?dāng)_等影響，交流噪聲以及直流電壓的一些不準(zhǔn)確因素也同樣影響信號(hào)傳輸?shù)男阅堋?/p>

DDR為了實(shí)現(xiàn)更高的信號(hào)頻率，SSTL高增益差分接收器的接收電平往往是偏置在參考電平(VREF)附近，使用這樣的接收器允許更小的電壓擺幅、更少的信號(hào)反射、更低的電磁干擾和更短的建立時(shí)間，比LVTTL能適應(yīng)更高的時(shí)鐘頻率。圖2所示的是SSTL接口電平。交流邏輯電平是在接收器端的接收電平，在接收器處交流邏輯參數(shù)(包括建立和保持時(shí)間)都必須最佳，而直流邏輯電平則提供一個(gè)滯后的接收電平點(diǎn)。當(dāng)輸入電平穿過DC直流參考點(diǎn)時(shí)，接收器轉(zhuǎn)變到新的邏輯電平并且保持這個(gè)新的狀態(tài)，只要信號(hào)不低于門限電平。因此，SSTL總線不易于受過沖、下沖和振鈴的影響。

2．2 基于布線考慮的DDR信號(hào)分組?????

DDR控制器包括超過130個(gè)信號(hào)，并且提供直接的信號(hào)接口連接內(nèi)存子系統(tǒng)。這些信號(hào)根據(jù)信號(hào)的種類可以分為不同的信號(hào)組，如表1所列。其中，數(shù)據(jù)組的分組應(yīng)該以每個(gè)字節(jié)通道來劃分，DMO、DQSO以及DQO～DQ7為第1字節(jié)通道，DMl、DQSl以及DQ8～DQl5為第2字節(jié)通道，以此類推。每個(gè)字節(jié)通道內(nèi)有嚴(yán)格的長(zhǎng)度匹配關(guān)系。其他信號(hào)走線長(zhǎng)度應(yīng)按照組為單位來進(jìn)行匹配，每組內(nèi)信號(hào)長(zhǎng)度差應(yīng)該嚴(yán)格控制在一定范圍內(nèi)。不同組的信號(hào)間雖然不像組內(nèi)信號(hào)那樣要求嚴(yán)格，但不同組長(zhǎng)度差同樣也有一定要求。具體布線要求見2．4小節(jié)。

2．3 信號(hào)組布線順序

為了確保DDR接口最優(yōu)化，DDR的布線應(yīng)該按照如下的順序進(jìn)行：功率、電阻網(wǎng)絡(luò)中的pin腳交換、數(shù)據(jù)信號(hào)線布線、地址／命令信號(hào)布線、控制信號(hào)布線、時(shí)鐘信號(hào)布線、反饋信號(hào)布線。

數(shù)據(jù)信號(hào)組的布線優(yōu)先級(jí)是所有信號(hào)組中最高的，因?yàn)樗ぷ髟?倍時(shí)鐘頻率下，它的信號(hào)完整性要求是最高的。另外，數(shù)據(jù)信號(hào)組是所有這些信號(hào)組中占最大部分內(nèi)存總線位寬的部分也是最主要的走線長(zhǎng)度匹配有要求的信號(hào)組。

地址、命令、控制和數(shù)據(jù)信號(hào)組都與時(shí)鐘的走線有關(guān)。因此，系統(tǒng)中有效的時(shí)鐘走線長(zhǎng)度應(yīng)該滿足多種關(guān)系。設(shè)計(jì)者應(yīng)該建立系統(tǒng)時(shí)序的綜合考慮，以確保所有這些關(guān)系都能夠被滿足。

2．4 各組信號(hào)布線長(zhǎng)度匹配

時(shí)鐘信號(hào)：以地平面為參考，給整個(gè)時(shí)鐘回路的走線提供一個(gè)完整的地平面，給回路電流提供一個(gè)低阻抗的路徑。由于是差分時(shí)鐘信號(hào)，在走線前應(yīng)預(yù)先設(shè)計(jì)好線寬線距，計(jì)算好差分阻抗，再按照這種約束來進(jìn)行布線。所有的DDR差分時(shí)鐘信號(hào)都必須在關(guān)鍵平面上走線，盡量避免層到層的轉(zhuǎn)換。線寬和差分間距需要參考DDR控制器的實(shí)施細(xì)則，信號(hào)線的單線阻抗應(yīng)控制在50～60Ω，差分阻抗控制在100~120 Ω。時(shí)鐘信號(hào)到其他信號(hào)應(yīng)保持在20 mil*以上的距離來防止對(duì)其他信號(hào)的干擾。蛇形走線的間距不應(yīng)小于20 mil。串聯(lián)終端電阻Rs值在15～33Q，可選的并聯(lián)終端電阻RT值在25~68 Ω，具體設(shè)定的阻值還是應(yīng)該依據(jù)信號(hào)完整性仿真的結(jié)果。

數(shù)據(jù)信號(hào)組：以地平面為參考，給信號(hào)回路提供完整的地平面。特征阻抗控制在50~60 Ω。線寬要求參考實(shí)施細(xì)則。與其他非DDR信號(hào)間距至少隔離20 mil。長(zhǎng)度匹配按字節(jié)通道為單位進(jìn)行設(shè)置，每字節(jié)通道內(nèi)數(shù)據(jù)信號(hào)DQ、數(shù)據(jù)選通DQS和數(shù)據(jù)屏蔽信號(hào)DM長(zhǎng)度差應(yīng)控制在~25 mil內(nèi)(非常重要)，不同字節(jié)通道的信號(hào)長(zhǎng)度差應(yīng)控制在1 000 mi內(nèi)。與相匹配的DM和DQS串聯(lián)匹配電Rs值為o～33 Ω，并聯(lián)匹配終端電阻RT值為25～68其他DDR信號(hào)。

地址和命令信號(hào)組：保持完整的地和電源平面。特征阻抗控制在50～60 Ω。信號(hào)線寬參考具體設(shè)計(jì)實(shí)施細(xì)則。信號(hào)組與其他非DDR信號(hào)間距至少保持20 mil以上。組內(nèi)信號(hào)應(yīng)該與DDR時(shí)鐘線長(zhǎng)度匹配，差距至少控制在25 mil內(nèi)。串聯(lián)匹配電阻Rs值為O～33 Ω，并聯(lián)匹配電阻T，值應(yīng)該在25~68 Ω。本組內(nèi)的信號(hào)不要和數(shù)據(jù)信號(hào)組在同一個(gè)電阻排內(nèi)。

控制信號(hào)組：控制信號(hào)組的信號(hào)最少，只有時(shí)鐘使能和片選兩種信號(hào)。仍需要有一個(gè)完整的地平面和電源平面作參考。串聯(lián)匹配電阻RS值為O～33 Ω，并聯(lián)匹配終端電阻RT值為25～68 Ω。為了防止串?dāng)_，本組內(nèi)信號(hào)同樣也不能和數(shù)據(jù)信號(hào)在同一個(gè)電阻排內(nèi)。

2．5 電源部分的設(shè)計(jì)分析

通常情況下，DDR供電電壓是2．3～2．7 V，典型值是2．5 V，工作頻率的不同可能引起正常工作電壓的不同。參考電壓VREF是1．13～1．38 V，典型值是1．25 V。VTT以VREF為參考，電壓范圍是(VREF一O．4 V)一(VREF+O·4 V)。由于VREF只是給差分接受器端提供一個(gè)直流參考電平所以電流比較小,最大的只有3mA.VTT的電流由于上拉的緣故,在輸出端輸出高電平時(shí),VTT應(yīng)能流入電流,在輸出端輸出低電時(shí)VTT電流輸出.故VTT必須能同時(shí)有流入和流出電流,電流的大小依賴于總線上同時(shí)出現(xiàn)的電位狀態(tài),從常用的設(shè)計(jì)來看最大可以從2.3A到3.2A.

由于VREF電壓作為其他信號(hào)接收端的重要參考，故它的布線設(shè)計(jì)也是十分重要的。疊加在VREF電壓的串?dāng)_或噪聲能直接導(dǎo)致內(nèi)存總線發(fā)生潛在的時(shí)序錯(cuò)誤、抖動(dòng)和漂移。很多電源芯片會(huì)把VREF和VTT從同一源輸出,但是由于使用的目的不同，走線也完全不同。VREF最好和VTT在不同平面，以免VTT產(chǎn)生的噪聲干擾VREF。而且無(wú)論是在DDR控制器端還是DDR存儲(chǔ)器端，VREF腳附近都應(yīng)放置去耦電容，消除高頻噪聲。VREF的走線寬度應(yīng)該越寬越好，最好為20~25 mil。

VTT電源應(yīng)該單獨(dú)劃分一塊平面來供應(yīng)電流，且最好放在DDR存儲(chǔ)器端。如果并聯(lián)終端匹配使用排阻的方式上拉，那么最好每個(gè)排阻都添加一個(gè)0．1μF或0·01 μF的去耦電容，這對(duì)于改善信號(hào)的完整性、提高DDR總線的穩(wěn)定性都有很好的效果。

結(jié) 語(yǔ)

在帶有DDR的嵌入式系統(tǒng)主板中，設(shè)計(jì)PCB最難的部分莫過于DDR的走線設(shè)計(jì)。好的走線就等于有了好的信號(hào)完整性和好的時(shí)序匹配，總線在高速輸入／輸出數(shù)據(jù)過程中就不會(huì)出錯(cuò)，甚至能夠有更好的抗串?dāng)_和EMC能力。DDR總線并行傳輸且速率較高，在設(shè)計(jì)過程中如果沒有按照嚴(yán)格的約束進(jìn)行布線，在設(shè)備后期調(diào)試過程中，將會(huì)出現(xiàn)各種各樣異常問題，甚至是系統(tǒng)根本無(wú)法啟動(dòng)。而這些問題在查找和調(diào)試中很難發(fā)現(xiàn)，以至于無(wú)法完成硬件的開發(fā)。最好的方法就是在設(shè)計(jì)時(shí)就充分考慮信號(hào)完整性和時(shí)序匹配的問題，在走線時(shí)就把這些規(guī)則運(yùn)用進(jìn)去；如果有條件，可以做一下仿真，預(yù)先驗(yàn)證一下設(shè)計(jì)。這樣做出來的設(shè)計(jì)，系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性才會(huì)更高。