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電子發燒友網>嵌入式技術>關于華虹半導體基于0.11微米的超低漏電嵌入式閃存技術平臺的看點詳解

關于華虹半導體基于0.11微米的超低漏電嵌入式閃存技術平臺的看點詳解

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華虹半導體有限公司(“華虹半導體”)宣布其第三代90納米嵌入式閃存(90nm eFlash)工藝平臺已成功實現量產。
2019-06-27 16:22:383721

關于華虹半導體第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺介紹和應用

華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示:“華虹半導體嵌入式非易失性存儲器技術的領航者,未來將繼續聚焦200mm差異化技術的研發創新,面向高密度智能卡與高端微控制器市場,同時不斷致力于在功耗和面積方面
2019-10-17 10:05:101547

關于華虹半導體深耕FS IGBT 的性能分析和應用

的IGBT制造經驗,技術參數可媲美國際領先企業,奠定華虹半導體在IGBT制造企業中的領先地位,同時也積極推進了IGBT技術國產化進程。
2019-10-18 17:13:043309

關于華虹半導體90納米嵌入式閃存工藝平臺的介紹和應用

華虹半導體嵌入式非易失性存儲器平臺是公司最重要的戰略工藝平臺之一,從0.35微米、0.18微米0.11微米,到現在的90納米,一路走來,始終保持著業界領先地位,穩定可靠的工藝平臺為多家客戶提供
2019-10-21 08:42:343458

0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝助力物聯網MCU解決方案介紹

基于該工藝平臺生產的低功耗微控制器(MCU)主要適用于各種智慧節能型產品,例如物聯網、可穿戴式設備、智能電網、嵌入式智能互聯設備、醫療電子、照明,以及工業和汽車電子等方面的應用。
2019-10-21 10:29:591773

關于華虹半導體與力旺電子MCU布局物聯網的介紹

華虹半導體在2011年就已經獲得了力旺電子NeoBit(OTP Silicon IP)、NeoMTP(1,000+ Times Programmable Silicon IP)、NeoEE
2019-10-21 11:02:461645

華虹半導體助力大容量 MCU 解決方案,多方面縮小芯片面積

(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式閃存(eFlash)和電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)工藝平臺,滿足大容量微控制器(MCU)的需求。該工藝平臺作為華虹半導體 0.11微米超低漏電技術的延續,以更低的功耗和成本為客戶提供具有競爭力的差異化解決方案,適用于物聯網、可穿戴式設備、工業
2020-10-22 16:46:282225

啟方半導體基于二代0.13微米嵌入式閃存技術的汽車半導體工藝即將量產

啟方半導體自行設計的128Kbyte eFlash IP已嵌入這款通過產品級別測試的產品,今年啟動全面量產。
2021-04-06 10:29:19466

嵌入式詳解

嵌入式詳解(stm32嵌入式開發實例)-嵌入式詳解,有需要的可以參考!
2021-07-30 16:07:1864

華虹半導體怎么樣?華虹半導體今日正式登陸科創板 今年最大募資規模IPO

華虹半導體今天正式登錄科創板。華虹半導體本次發行價為52.00元/股,發行市盈率為34.71倍,華虹半導體預計募集資金總額為212.03億元。華虹半導體成為A股今年以來最大募資規模IPO。 根據
2023-08-07 16:20:30930

900億!華虹半導體,正式登陸科創板

超1000億元,截止發稿市值超940億元。 華虹公司即華虹半導體,是全球特色工藝晶圓代工企業,也是行業內特色工藝平臺覆蓋最全面的晶圓代工企業。 公司立足于先進“特色IC+功率器件”的戰略目標,以拓展特色工藝技術為基礎,提供包括嵌入式/獨立式非易失性存儲
2023-08-08 09:34:48324

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