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電子發(fā)燒友網(wǎng)>嵌入式技術(shù)>東芝推出第二代工藝技術(shù) 采用新型嵌入式NAND閃存模塊

東芝推出第二代工藝技術(shù) 采用新型嵌入式NAND閃存模塊

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2023-06-06 14:30:191529

今日看點(diǎn)丨高通第二代驍龍4芯片發(fā)布,傳由臺(tái)積電轉(zhuǎn)單三星代工;華為明年將發(fā)布端到端 5.5G 商用產(chǎn)品

轉(zhuǎn)向三星4納米工藝代工。報(bào)道指出,第二代驍龍4是該系列首款以4納米制程工藝打造的處理器,高通產(chǎn)品管理總監(jiān)Matthew Lopatka表示,第二代芯片采用了Kryo CPU,可延長(zhǎng)電池續(xù)航,提升整體效率,最高主頻可達(dá)到2.2 GHz,CPU效能相較上一代提高10%,還將首次在驍龍4系列中支持DDR5,帶
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NAND需求疲軟 東芝挫敗成就美光

七年前進(jìn)入該市場(chǎng)以來的首次,受益于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝表現(xiàn)不佳等有利因素。   雖然全球經(jīng)濟(jì)形勢(shì)總體上來看十分嚴(yán)峻,但受平板電腦和固態(tài)硬盤廠商對(duì)NAND閃存需求的刺激,第二季度美國內(nèi)存生產(chǎn)商美光的NAND閃存
2012-09-24 17:03:43

東芝發(fā)布最大容量嵌入式NAND閃存

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嵌入式閃存助力智能汽車接口應(yīng)用實(shí)現(xiàn)

對(duì)出現(xiàn)故障的器件進(jìn)行分析。另一方面,采用并列技術(shù)需要對(duì)定制壓焊墊進(jìn)行定位,以有效地在兩個(gè)芯片之間進(jìn)行綁定。絕大部分應(yīng)用所采用的首選方案均需要一個(gè)具有嵌入式閃存的標(biāo)準(zhǔn)微控制器,這種內(nèi)部綁定的應(yīng)用具有重大
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2019-07-11 07:53:14

嵌入式系統(tǒng)和實(shí)時(shí)系統(tǒng)開發(fā)的關(guān)鍵工藝是什么?

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2019-08-23 06:45:41

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在逐點(diǎn)晶晰第二代技術(shù)的基礎(chǔ)上,飛利浦又發(fā)展了高清逐點(diǎn)晶晰第二代,提高了一倍的畫面處理能力,
2006-04-15 22:38:09635

華碩新EeePC四月登場(chǎng) 采用NV第二代離子平臺(tái)

華碩新EeePC四月登場(chǎng) 采用NV第二代離子平臺(tái) 下面這條消息肯定是英特爾不樂意聽到的:華碩準(zhǔn)備在4月份推出搭載NVIDIA第二代離子平臺(tái)(
2010-01-27 09:27:05859

OmniVision推出第二代背面照度像素技術(shù)

OmniVision推出第二代背面照度像素技術(shù)  OmniVision Technologies, Inc. 是一家領(lǐng)先的高級(jí)數(shù)字成像解決方案開發(fā)商,今天宣布推出世界第一款 1.1 微米背面照度像素技術(shù)。這套
2010-02-22 10:52:56723

SanDiski推出NAND嵌入式閃存驅(qū)動(dòng)器支持e.MMC

SanDiski推出NAND嵌入式閃存驅(qū)動(dòng)器支持e.MMC 4.4 SanDisk(閃迪)推出了全新SanDisk® iNAND™嵌入式閃存驅(qū)動(dòng)器(Embedded Flash Drives, EFD),支持e.MMC 4.4規(guī)格。這些驅(qū)動(dòng)器基于
2010-02-24 16:37:071048

Supermicro 推出采用新型雙精度 GPU 的第二代

Supermicro 推出采用新型雙精度 GPU 的第二代 GPU 系統(tǒng)支持兩個(gè) GPU 的 1U 服務(wù)器、支持四個(gè) GPU 的 4U 服務(wù)器,以及支持兩個(gè)熱插拔 GPU 節(jié)點(diǎn)和冗余 Gold Level (93%) 電源的 2U Twin 服務(wù)器
2010-05-05 16:01:52606

英特爾推出第二代酷睿博銳商用處理器

英特爾在北京正式推出第二代酷睿博銳商用處理器,該處理器基于最新的處理器架構(gòu)。
2011-03-27 09:36:29812

新唐科技推出NuVoice第二代產(chǎn)品

新唐科技繼第一顆NuVoice?語音處理IC - N572F064/F065在高階互動(dòng)式玩具及微控制器應(yīng)用市場(chǎng)廣受好評(píng)后,推出NuVoice?第二代產(chǎn)品 - N572F072/P072
2012-03-28 11:20:021240

科銳公司推出兩項(xiàng)新型GaN工藝技術(shù)

科銳公司(CREE)宣布推出兩項(xiàng)新型GaN工藝:0.25微米、漏極電壓最高為40V的G40V4和0.4微米、漏極電壓最高為50VG50V3。新的工藝技術(shù)增加了工作電壓和無線射頻功率密度,與傳統(tǒng)的技術(shù)相比
2012-07-18 14:30:561306

東芝第二代19納米工藝NAND閃存即將投入量產(chǎn)

東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布,該公司已經(jīng)開發(fā)出第二代19納米工藝技術(shù),該技術(shù)將于本月晚些時(shí)候用于量產(chǎn)每單元2比特的64吉比特NAND存儲(chǔ)芯片。
2013-05-23 10:34:251176

東芝開始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨

東芝公司(TOKYO:6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布,即日起開始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨。
2014-05-04 16:00:411263

第二代AMD嵌入式R系列APU和CPU提供智能化、交互式以及身臨其境的體驗(yàn)

針對(duì)嵌入式應(yīng)用推出第二代AMD嵌入式R系列加速處理器(APU)和CPU產(chǎn)品家族(此前代號(hào)為“禿鷹(Bald Eagle)”)。新推出的解決方案的目標(biāo)領(lǐng)域?yàn)橐笫褂眯袠I(yè)領(lǐng)先的計(jì)算和圖形處理技術(shù)的游戲機(jī)、醫(yī)療成像、數(shù)字標(biāo)牌、工業(yè)控制和自動(dòng)化、通訊以及網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施。
2014-05-21 09:27:491027

三星確認(rèn)驍龍 820 使用第二代 14nm FinFET 工藝

驍龍 820 此前已經(jīng)傳聞將會(huì)由三星代工生產(chǎn),今天三星官方正式確認(rèn)了這個(gè)消息,并且表示大規(guī)模生產(chǎn)使用的是三星最新的第二代 14nm FinFET 工藝
2016-01-15 17:24:241017

傳華為第二代MateBook明年發(fā)布 富士康代工

今年華為、小米紛紛推出了筆記本產(chǎn)品,甚至有人喊出“聯(lián)想”、“惠普”等傳統(tǒng)PC廠商危險(xiǎn)了!最新消息顯示華為將推出第二代
2016-11-23 10:03:172464

2017斯柯達(dá)或推出第二代yeti車型

據(jù)國外媒體報(bào)道,斯柯達(dá)將于2017年推出全新第二代Yeti車型,其很有可能放在明年9月法蘭克福車展進(jìn)行首發(fā),新車將轉(zhuǎn)而采用全新MQB平臺(tái),其整備質(zhì)量將得到大幅降低。
2017-01-03 10:35:07729

三星10nm SoC第二代量產(chǎn),預(yù)計(jì)明年推出

第二代10nm工藝即LPP(Low Power Plus),比LPE(Low Power Early)的性能提升了10%,功耗降低了15%,首款商用產(chǎn)品將于明年推出
2017-11-29 17:40:30726

華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存開始量產(chǎn)

近日華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái)已經(jīng)宣布量產(chǎn),是在第一代的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了多方面的技術(shù)提升。目前,90nm G2 eFlash已實(shí)現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產(chǎn),標(biāo)志著華虹半導(dǎo)體在特色化嵌入式閃存技術(shù)上的又一次成功。
2017-12-28 17:49:461205

美光第二代3D NAND閃存大規(guī)模量產(chǎn),容量更大成本更低

,第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期,堆棧層數(shù)達(dá)到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了,今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。
2018-08-03 16:15:031188

西數(shù)第二代3D QLC NAND開發(fā)成功,預(yù)計(jì)下半年量產(chǎn)出貨

7月20日,東芝/西部數(shù)據(jù)宣布成功開發(fā)采用96層BiCS4架構(gòu)的第二代3D QLC NAND(4bits/cell),單Die容量最高可達(dá)1.33Tb,預(yù)計(jì)將在2018下半年開始批量出貨,并優(yōu)先用于SanDisk品牌下銷售的消費(fèi)級(jí)閃存產(chǎn)品。
2018-08-08 15:10:01724

東芝推出基于單層存儲(chǔ)單元NAND閃存的BENAND產(chǎn)品

進(jìn)的32納米工藝的SLC NAND閃存中,嵌入了一個(gè)具有4位/512字節(jié)糾錯(cuò)能力的ECC。BENAND具有與通用的SLC NAND閃存兼容的封裝和引腳定義,這一點(diǎn)保證其在現(xiàn)有產(chǎn)品中可以輕松地與SLC NAND實(shí)現(xiàn)替換。
2018-10-08 17:11:001940

東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)新型嵌入式NAND閃存模塊

關(guān)鍵詞:NAND , 閃存 新產(chǎn)品符合JEDEC eMMC 5.0版標(biāo)準(zhǔn) 東芝公司推出新型嵌入式NAND閃存模塊,該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。該模塊符合最新的eMMC
2018-10-13 11:17:01314

東芝開始交付業(yè)界首款嵌入式NAND閃存模塊的樣品

關(guān)鍵詞:NAND , 閃存 這款嵌入式存儲(chǔ)器符合JEDEC UFS[2] 1.1版本標(biāo)準(zhǔn),將64GB NAND和一個(gè)控制器整合在一個(gè)封裝中 東芝公司今天宣布,業(yè)界首款配備UFS I/F的64千兆字節(jié)
2018-11-09 17:36:01215

三星采用第二代10nm工藝級(jí)別的DRAM芯片量產(chǎn)

三星電子今天宣布,開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm)級(jí)別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55763

蘋果A13芯片將采用臺(tái)積電第二代7nm工藝 并率先采用EUV光刻技術(shù)

彭博報(bào)道稱,臺(tái)積電已于4月份就開始了蘋果A13芯片的早期測(cè)試生產(chǎn)階段,并且計(jì)劃在本月進(jìn)行量產(chǎn)。預(yù)計(jì)A13芯片將采用臺(tái)積電的第二代7nm工藝,并且率先采用EUV光刻技術(shù)
2019-05-13 16:39:514527

紫光展銳正式推出第二代5G平臺(tái)馬卡魯2.0 首發(fā)臺(tái)積電6nm工藝

2月26日,紫光展銳舉行了“5G所向 價(jià)值所在”的線上發(fā)布會(huì),正式推出第二代5G平臺(tái)——馬卡魯2.0,第二代5G芯片虎賁T7520由原定的7nm升級(jí)到了6nm EUV,這是首款用上臺(tái)積電6nm工藝的5G芯片。
2020-02-26 16:04:362752

英特爾第二代傲騰固態(tài)硬盤支持PCIe 4.0,使用第二代3D XPoint介質(zhì)

5月11日消息,近日,英特爾初步介紹第二代傲騰固態(tài)硬盤細(xì)節(jié),該公司使用3DXpoint打造的傲騰系列存儲(chǔ)產(chǎn)品都有著相當(dāng)強(qiáng)大的性能,新一代傲騰144層3D NAND固態(tài)硬盤將支持PCIe 4.0,最大容量可達(dá)3TB。
2020-05-13 14:08:045611

臺(tái)積電第二代 5nm 工藝性能提升水平有望高于預(yù)期

為臺(tái)積電帶來了近 10 億美元的營收。 同此前的 7nm 工藝一樣,臺(tái)積電的 5nm 工藝也不只一代,他們還將推出第二代的 5nm 工藝,也就是他們所說的 N5P。 在 8 月底的全球技術(shù)論壇期間,臺(tái)積電曾披露,同第一代 5nm 工藝相比,第二代 5nm 工藝所制造的芯片,理論上性能將提升
2020-11-06 16:19:021626

美光發(fā)布第五代3D NAND閃存

據(jù)美媒Anandtech報(bào)道,美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存,新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報(bào)道指出,新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲(chǔ)器合作解散以來推出第二代產(chǎn)品,此后美光從浮柵( floating-gate)存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap)單元。
2020-11-10 14:56:592809

美光宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)

美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù),達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后,自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存
2020-11-11 11:50:212081

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

的應(yīng)用效能。 據(jù)了解,176層3D NAND閃存是美光第二代替換閘(Replacement Gate)架構(gòu),是目前全球技術(shù)最為先進(jìn)的NAND節(jié)點(diǎn),相較于前代3D NAND相比,美光176層3D NAND閃存
2020-11-12 16:02:552599

蘋果A15處理器將采用臺(tái)積電第二代5nm工藝制造

據(jù)國外媒體報(bào)道,研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì),蘋果明后兩年iPhone新品將搭載的兩款A(yù)系列處理器,將由芯片代工商臺(tái)積電采用第二代5nm工藝和4nm工藝制造。 蘋果今年推出的iPhone 12系列智能手機(jī),搭載
2020-11-20 11:27:031767

消息稱臺(tái)積電第二代3nm工藝計(jì)劃2023年推出

年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。 從英文媒體最新的報(bào)道來看,同2018年量產(chǎn)的7nm和今年量產(chǎn)的5nm工藝一樣,臺(tái)積電正在研發(fā)的3nm工藝,也將會(huì)有第二代。 英文媒體是援引產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息,報(bào)道臺(tái)積電會(huì)推出第二代3nm工藝的,這一消息人士表示臺(tái)積電計(jì)劃在2
2020-12-02 17:14:461572

vivo預(yù)熱X60系列:采用第二代微云臺(tái)

? ?vivo 方面上周正式公布了 vivo X60 系列新機(jī)并表示將于 12 月 29 日發(fā)布。vivo X60 系列主打第二代微云臺(tái)以及蔡司光學(xué)鏡頭,將全球首發(fā)三星 5nm 工藝 Exynos
2020-12-22 10:53:581564

中興重磅首發(fā)量產(chǎn)第二代屏下攝像技術(shù)

2月23日消息,中興通訊呂錢浩展示了第二代屏下攝像技術(shù)的樣機(jī)。
2021-02-24 09:08:251924

中興第二代屏下攝像技術(shù)使屏幕質(zhì)變

中興通訊呂錢浩展示了第二代屏下攝像技術(shù)的樣機(jī)。
2021-02-24 11:41:082095

谷歌第二代Tensor將由三星以4nm制程工藝代工,本月開始量產(chǎn)

據(jù)媒體報(bào)道稱,谷歌第二代Tensor芯片將于這個(gè)月開始量產(chǎn),代工方為三星,將會(huì)采用4nm制程工藝大規(guī)模生產(chǎn)該芯片。 Tensor是谷歌公司為其智能手機(jī)自研的芯片,第一代在去年8月發(fā)布,而第二代
2022-06-02 14:52:451272

嵌入式NAND閃存S34ML16G2數(shù)據(jù)手冊(cè)

嵌入式NAND閃存S34ML16G2數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載。
2022-07-23 11:18:420

Samsung研發(fā)第二代3納米工藝 SF3

據(jù)報(bào)道,韓國三星代工廠已經(jīng)開始試制其第二代 3 納米級(jí)別工藝技術(shù)的芯片,稱為 SF3。這一發(fā)展標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)的一個(gè)重要里程碑,因?yàn)槿桥c臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)下一代先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)主導(dǎo)權(quán)。韓國知名權(quán)威
2024-01-22 16:10:14456

瞻芯電子推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品

瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品,這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified),還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出,標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279

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