（文章來源：IT時報）

為了追逐最高密度以及高帶寬的互連，英特爾正不斷加大對3D互連裸片疊加相關技術的開發(fā)。

Ravi介紹，英特爾的AIB高級互連走線技術每平方毫米Shoreline帶寬密度可以達到130，Areal帶寬密度可以達到150，同時針腳速度會達到2.0Gbps，物理層的能耗效率是0.85，相比競爭對手擁有明顯的技術優(yōu)勢；英特爾的MDIO技術則可以在整個封裝內(nèi)實現(xiàn)裸片間的互連，技術支持小型芯片IP模塊庫的模塊化系統(tǒng)設計，它可以提供更高的能源效率，并達到AIB技術響應速度和帶寬密度的兩倍以上。

除此之外，英特爾還能夠?qū)⒁恍K硅中介層放進芯片組封裝里，得以在局部實現(xiàn)超高密度布線，使用硅工藝后，可以輕松地把單位導線數(shù)量成倍提高，達到200、400，甚至500到600。與之相配合，英特爾的Foveros技術可以在常規(guī)鉛筆的核心直徑大小的基礎裸片面積之上搭載更多的單片，利用非常輕薄的晶圓進行生產(chǎn)。

如果將EMIB和Foveros相集成，則被被稱為Co-EMIB(嵌入式多芯片互連橋接)技術，其把2D和3D芯片進行融合，把不同芯片進行不同層面的分割級，并且把它放在同一個封裝內(nèi)實現(xiàn)了實現(xiàn)高帶寬、低功耗，連接了更高的計算性能和能力。

Adel Elsherbini英特爾封裝研究事業(yè)部組件研究部首席工程師進一步解釋，封裝互連技術有兩種主要的方式，一種是把主要相關功能在封裝上進行集成；另外一個是SOC的方式，會把具備不同功能屬性的小芯片進行連接，并放在同一封裝里，通過這種方法可以實現(xiàn)接近于單晶片的特點性能和功能。

“高密度垂直互連、全橫向互連、全方位互連，這三種互連方式都可以提高我們每立方毫米上的功能并實現(xiàn)類似于單鏡片的性能?！盇del Elsherbini強調(diào)。

“不管是選擇哪一種的實現(xiàn)路徑，都需要我們做到異構集成和專門的帶寬需求，而異構集成和專門的帶寬需求也可以幫助我們?nèi)崿F(xiàn)密度更高的多芯片集成?！盇del Elsherbini 表示，英特爾的具體微縮的方向有三個：一個是用于堆疊裸片的高密度垂直互連，可以大幅度提高帶寬，實現(xiàn)高密度裸片疊加；第二種是全局橫向互連，在小芯片集成中保證更高的帶寬；第三個是全方位互連，通過全方位互連可以實現(xiàn)我們之前所無法達到的3D堆疊帶來的性能。

另外，Adel Elsherbini還介紹，英特爾的新的全向互連技術(ODI)為封裝中小型芯片之間的全方位互連通信提供了更大的靈活性。芯片可以像EMIB技術那樣水平地與其他小芯片通信，也可以像Foveros技術那樣，通過硅通孔與底層裸芯片垂直通信。“ODI使用大的垂直通孔直接從封裝基板到頂部裸晶圓片供電，這種大通孔比傳統(tǒng)的硅通孔大得多，電阻低，可以提供更穩(wěn)定的功率傳輸，同時通過疊加獲得更高的帶寬和更低的延遲。同時，這種方法減少了基片中所需的硅孔數(shù)，為有源晶體管釋放了更多的面積，并優(yōu)化了裸晶片的尺寸?！?/p>