Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用表面貼裝PLCC-2封裝的紫外線LED---VLMU3100。VLMU3100面向粘合劑固化等非常廣泛的應用市場，可用做水銀蒸汽燈的固態替代產品。
2012-10-26 14:07:34
941 本文立足于波長小于380 nm 的紫外LED 的封裝技術，對不同封裝材料的透過率、耐紫外光和耐熱性進行了對比，進而提出高出光效率、高可靠性的紫外LED 封裝結構。
2016-03-11 13:57:545794 LED紫外線消毒燈電路原理圖，需要資料得請加微信號 ***
2020-05-16 20:47:38
LED光源的優勢分析LED綠色照明案例分析
2021-05-11 06:00:17
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-9 18:33 編輯
LED燈紫外發射管說明要求是供電電壓是6.5V到8V正向電流是30mA脈沖電流是200mA反向電壓是6V。我給他提供了8V
2011-05-16 14:28:07
以上。 3、LED利環保：LED是一種綠色光源，環保效益更佳。光譜中沒有紫外線和紅外線，熱量低和無頻閃，無輻射，而且廢棄物可回收，沒有污染不含汞元素，冷光源，可以安全觸摸，屬于典型的綠色照明
2014-01-24 15:42:29
倍以上。 3、LED利環保：LED是一種綠色光源，環保效益更佳。光譜中沒有紫外線和紅外線，熱量低和無頻閃，無輻射，而且廢棄物可回收，沒有污染不含汞元素，冷光源，可以安全觸摸，屬于典型的綠色照明
2014-01-24 17:17:35
`專注電子產品單片機方案開發的英銳恩推出LED驅動IC芯片方案-LED雪花燈閃燈IC芯片，創造出更多有新意有顏值的燈飾方案。基于EN8P2712單片機和替代電路法的LED驅動電路包括電源模塊、發射
2019-01-16 10:12:18
SDK135D - Embedded SDK (Software Development Kit) - Freescale Semiconductor, Inc
2022-11-04 17:22:44
200℃。
1972年，基于氮化鎵材質的 LED 發光二極管才被發明出來（使用摻有鎂的氮化鎵），。這是里程碑式的歷史事件。雖然最初的氮化鎵 LED ，它的亮度還不足以商用，但這是人類第一次制備出能夠發出藍
2023-06-15 15:50:54
。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
市場上常見的紫外線LED波長在275nm到420nm之間。紫外線可以利用電子輻射來殺菌。紫外線LED可以用在很多不同的領域，比如說殺菌、除臭、驗鈔、治療濕疹、美白牙齒、法醫血跡檢測等。
2019-08-06 08:20:52
UVA-1210 是一個近紫外波光電傳感器，可見光范圍不響應，輸出電流與紫外指數呈線性關系。適用于手機、PDA、MP3、MP4、運動
2009-01-21 14:42:41
;? LED利環保：LED是一種綠色光源，環保效益更佳。光<br/>譜中沒有紫外線和紅外線，熱量低和無頻閃，無輻射，<br/>而且廢棄物可回收，沒有污染
2009-11-24 09:28:51
，只應用在高端充電器上。一些小功率的，高性價比的充電器無法享受到氮化鎵性能提升所帶來的紅利。目前，國內已經有多家廠商推出了用于33-100W大功率充電器的合封芯片，通過將氮化鎵開關管，控制器以及驅動器
2021-11-28 11:16:55
`特性：-芯片大小1.4mm，TO 46封裝-鋁氮化鎵材料-肖特基光電二極管 -光伏模式操作-良好的可見盲-高響應，低暗電流應用：- UV-B LED監控- UV-B燈監控規格：光譜檢測范圍
2021-07-12 17:17:45
3528 PKG，芯片尺寸為0.4mm。主要應用于UV指數檢測。二、紫外線傳感器 UV sensor GUVB-S11SD特性：-芯片大小0.4mm，SMD 3528封裝-鋁氮化鎵材料-肖特基光電二極管
2021-07-15 16:49:07
。主要應用于UV 指數監控，UV-B燈監控以及醫療。二、UVB紫外線傳感器GUVB-T11GD-L特性：-芯片大小1.4mm，TO 46封裝-鋁氮化鎵材料-肖特基光電二極管-光伏模式操作-良好的可見盲
2021-07-12 17:21:59
紫外LED核心專利分布情況如何？主要握在誰的手中？ 專利量：中國最多約占56% 根據LED產業專利聯盟發布的《紫外LED專利技術分析報告——外延芯片、封裝器件篇》顯示，從專利區域構成上來看，近200
2016-01-07 09:56:32
Silicon Labs推出了單芯片紫外線指數傳感器，還提供各類高能效傳感器，如溫濕度、紅外接近、環境光、手勢感應等，UV指數傳感器強不強，在可穿戴設備中應用怎么樣？
2021-04-06 09:46:10
、紫外發光二極管監測 ( < 360nm)5、紫外線固化GUVA-S12SD的產品特性有：1、芯片大小0.4mm x 0.4mm（感光面積:0.076mm）2、氮化鎵基材3、肖特基光電二極管
2017-12-18 15:00:56
繼電器處可以接LED或者其他負載。如果采用單片機的ADC口取樣，線路更簡單，只需要把紫外傳感器直接連上ADC口即可。可以檢測太陽紫外，電焊機發出的紫外，消毒碗柜發出的紫外，紫外燈室內消毒等等
2009-07-10 14:32:57
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
超低的電阻和電容，開關速度可提高一百倍。
為了充分利用氮化鎵功率芯片的能力，電路的其他部分也必須在更高的頻率下有效運行。近年加入控制芯片之后，氮化鎵充電器的開關頻率，已經從 65-100kHz，提高到
2023-06-15 15:53:16
亞馬遜推出用于人工智能部署的AWS Inferentia芯片
2021-01-18 06:17:03
LED 陣列組成并起主要作用的近光前燈，而每個陣列上各有4 個有源元件。前燈透鏡后有另外 3 個 LED 陣列，每個上面各有兩個 LED 芯片，它們的工作是控制明/暗邊界和前燈照射范圍。對于遠光前燈，有
2018-10-22 16:55:54
包含關鍵的驅動、邏輯、保護和電源功能，消除了傳統半橋解決方案中相關的能量損失、成本過高和設計復雜的問題。
納微推出的世界上首款氮化鎵功率芯片同時能提供高頻率和高效率，實現了電力電子領域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
的白光穩定，從而達到理想的效果。·在LED紫外光芯片上涂覆RGB熒光粉。這種方法利用紫外光激發熒光粉產生三基色光來混合形成白光。但是，目前的紫外光芯片和RGB熒光粉是混合激發的，其出光效率較低，而且用于封裝的環氧樹脂在紫外光照射下易分解老化，從而使透光率下降。
2019-07-04 14:46:48
- GUVV-T10GD。以及芯片大小0.4mm，TO 46封裝, 鋁氮化鎵材料,光伏模式操作, 高響應,低暗電流, 良好的日盲.應用于：紫外線強度檢測和控制，UV指數檢測。戶外檢測UV指數設備等
2018-05-14 15:55:48
安捷倫科技公司 (Agilent Technologies) 日前宣布，推出橢圓形輻射模式的穹形4 mm (T-1) 和5 mm (T-1 3/4)雙孔直插超高亮度InGaN (氮化銦鎵) LED
2018-08-28 16:02:10
本帖最后由 dzdaw2013b 于 2013-7-22 11:08 編輯
紫外半導體發光二極管在化學、生物、醫學和軍事領域具有廣泛的應用，目前這種材料的內量子效率雖然可達到80%，但
2013-07-22 11:01:47
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發及產業化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
波長多少的紫外線led適合做uv漆的光固化？
2023-11-02 08:08:23
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發的。納微半導體的三位聯合創始人
2023-06-15 15:28:08
越好；距離被輻射物體越近效果越好；累積輻射時間即被照物體在紫外線燈具下的總輻射時間越長效果越好。 3）發光效率。目前紫外LED在發光效率等方面還無法完全取代汞燈。UVA LED技術比較成熟，外量子效率
2020-04-02 15:14:31
DUV紫外石英光纖 Polymicro旗下的DUV紫外石英光纖整體傳輸波段從紫外-可見光-近紅外（180nm~850nm）。說明：Polymicro旗下的DUV紫外石英光纖整體傳輸波段從
2021-10-20 15:36:45
高OH抗紫外石英光纖 Polymicro旗下的DUV 系列石英光纖紫外波段可達180nm，整體傳輸波段從紫外覆蓋到近紅外（180nm~850n）。說明： Polymicro 旗下的DUV
2021-10-20 17:19:19
LED綠色照明燈具驅動技術:LED綠色照明燈具LED燈具驅動工作原理LED燈對低壓驅動芯片的要求• 驅動芯片具備性能良好、高度集成的DC/DC-Buck→Constant Current功能。• 驅
2009-10-23 13:10:22
35 Maxim推出高壓高效HB LED驅動器系列產品，實現綠色照明方案
Maxim推出集成MOSFET和高邊電流檢測電路的2MHz、高亮(HB) LED驅動器系列產品：
2008-09-04 11:03:001118 CTI推出高容量綠色激光應用的PPLN芯片
Crystal Technology Inc.（CTI）公司是愛普科斯（EPCOS）的全資子公司，在鈮酸鋰晶片生長和制造方面達到世界領先水
2009-08-04 08:20:39847 三安光電推出四款高端LED芯片
三安光電20日在深圳召開新品推介會，推出四款高端LED芯片新品。業內人士評價，四款產品在技術上具備國內領先、國際先進的優勢，市
2009-11-11 10:55:20761 什么是LED綠色照明
一、綠色照明工程項目：是指由國家經貿委和聯合國環境保護計劃署共同實施的，旨在促進照明產業發展，在
2009-11-20 09:33:52946 NXP推出集成PFC控制器和諧振控制器的綠色芯片
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日宣布推出綠色芯片TEA1713半橋諧振轉換器——這是業界首款將功率因數校正(PFC)、容性模
2010-03-05 11:52:101060 據日本媒體報道，同和(DOWA)控股的子公司——同和電子生產的發光波長為300n～350nm的深紫外LED芯片達到了實用水平，現已開
2010-07-23 15:23:411242 士蘭微電子推出大功率的綠色照明LED驅動解決方案及核心芯片,該系列芯片采用了士蘭微電子專為綠色節能產品所開發的高性能BCD工藝技術，部分產品采用了多項士蘭微電子專利技術
2011-04-26 09:05:36870 用風還是用光，這是個問題。自去年高交會勁刮綠色低碳風后，這股風潮在今年高交會上更加火爆，所不同的是這些節能企業們紛紛看上了LED用電供應，基于LED燈的應用推出了各種節能
2011-11-21 10:21:10714 LED燈泡可以借由調整芯片波長，發展可見光與不可見光LED燈泡，其中在UV LED，由于總體成本較低，成為紫外線燈具的發展驅動之一。產業專家估計，紫外燈市場在2017到2021年期間的復合年增長率將達13.32％ 。
2017-12-28 09:57:267974 據悉，總部位于加利福尼亞州桑尼維爾的Luminus Devices公司日前宣布，新推出兩款280納米紫外（UV）LED產品。
2018-05-30 09:50:004550 日前，日亞化（Nichia）宣布推出新型深紫外LED，零件號NCSU334A。
2019-04-24 14:29:461898 深紫外LED可以廣泛應用于殺毒、消菌、印刷和通信等領域，國際水俁公約的提出，促使深紫外LED的全面應用更是迫在眉睫，但是商業化深紫外LED不到10%的外量子效率嚴重限制了深紫外LED的應用。
2019-04-26 10:22:497293 
深紫外LED可以廣泛應用于殺毒、消菌、印刷和通信等領域，國際水俁公約的提出，促使深紫外LED的全面應用更是迫在眉睫，但是商業化深紫外LED不到10%的外量子效率嚴重限制了深紫外LED的應用。
2019-04-29 14:12:127024 
據山西長治市發改委消息，年產3000萬顆紫外LED芯片的中科潞安深紫外LED項目近日正式投產。這是全球首條大功率量產化紫外LED芯片生產線，標志著長治市LED產業闊步向千億級目標挺進。它的投產，使長治市的LED產業步入集群化、高端化的新階段，也意味著山西省有了國際化、開放式的紫外光電產業集群。
2019-07-19 15:29:252954 紫外LED光固化系統最突出的優勢是耗能低。較之于傳統的微波中壓汞燈動輒6000多瓦的高耗能，由紫外LED組成的線光源僅需消耗1200瓦，節省了80%能耗。
2019-07-19 15:53:161876 據山西長治市發改委消息，年產3000萬顆紫外LED芯片的中科潞安深紫外LED項目近日正式投產。這是全球首條大功率量產化紫外LED芯片生產線，標志著長治市LED產業闊步向千億級目標挺進。它的投產，使長治市的LED產業步入集群化、高端化的新階段，也意味著山西省有了國際化、開放式的紫外光電產業集群。
2019-07-21 11:56:424994 據山西長治市發改委消息，年產3000萬顆紫外LED芯片的中科潞安深紫外LED項目近日正式投產。
2019-07-23 10:17:584814 近日，康佳一則招募氮化鎵工程師的官方啟事引發業界高度關注。康佳副總裁李宏韜在接受記者采訪時解釋，招募氮化鎵工程師是希望加快推進康佳在Micro LED芯片研發上的工作。在經過了長時間的積累與沉淀之后，康佳以氮化鎵技術為突破，發力Micro LED的號角已經吹響。
2020-02-28 15:30:351283 當前，紫外殺菌技術有兩大技術產品形成明顯對比：低氣壓紫外殺菌汞燈產品和深紫外LED產品。
2020-03-13 10:23:18868 本文首先介紹了led燈的種類，其次闡述了led燈的發明者是誰，最后分析了led燈泡是否有紫外線。
2020-03-17 08:59:55162498 一場疫情，讓深紫外LED殺菌燈從專業場所走入公眾的視野。嗅覺靈敏的企業家們紛紛開足馬力，推出深紫外殺菌燈新品搶占市場份額。隨著技術精進、市場擴容和產業發展，使得紫外LED的市場前景越來越廣闊。
2020-04-06 15:07:002573 日前，日本豐田合成宣布推出了一款新型深紫外LED模塊，用于水殺菌、空氣殺菌和表面殺菌。目前，豐田合成正在與豐田集團及其他企業合作開發水殺菌、空氣殺菌和表面殺菌應用產品。
2020-07-24 11:23:15600 昨（30）日，中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）宣布推出Prismo HiT3? MOCVD設備，主要用于深紫外LED量產。
2020-07-31 11:34:282373 紫外LED指發光中心波長在400nm以下的LED，紫外LED按照波長劃分，可以分為UVA長波紫外線（波長范圍315–400 nm）、UVB中波紫外線（波長范圍280–315 nm）、UVC短波紫外
2020-08-19 17:05:521663 應用之一——深紫外UVC-LED。 在后疫情時代，隨著人們的個人防護意識不斷提高，口罩，消毒液，洗手液幾乎是居家必備。深紫外UVC-LED殺菌憑借體積小、開啟速度快、功耗低等諸多優點，逐漸取代傳統紫外汞燈，成為殺菌消毒的一種新的
2021-02-22 15:44:275070 （1） 首先來一些舊聞 ／ web search，扼要 摘取 如下，先熟悉下本文背景情況：紫外LED一般指發光中心波長在400nm以下的LED，但有時將發光波長大于380nm時稱為近紫外LED，而短于300nm時稱為深紫外LED
2020-12-24 10:57:35820 隨著紫外線LED的功率提升與技術精進，在市場上已經借由安全、環保、小巧等性能以及無化學殘留等優勢逐步取代了較低功率的紫外線水銀燈管。金鑒實驗室通過以往的UV LED殺菌測試案例總結發現品牌、燈珠燈具
2021-04-28 11:57:256954 
產生白光的“綠色”LED
2021-03-19 04:49:475 取得了快速發展，主要體現在光效和可靠性不斷提高，這一方面得益于芯片制造過程中氮化物材料外延和摻雜技術的進步，另一方面歸功于深紫外LED封裝技術的發展。但是與波長較長的近紫外和藍光LED相比，深紫外LED的光效和可靠性仍有很大提升空間。 近日，華中科技大學彭洋博士、陳明祥教授和羅小兵教
2021-05-17 14:13:495829 本文探討了紫外輻照對生長在藍寶石襯底上的非有意摻雜n型氮化鎵(GaN)層的濕法化學刻蝕的影響。實驗過程中，我們發現氮化鎵的蝕刻發生在pH值分別為2-1和11-15的磷酸水溶液和氫氧化鉀溶液中。在稀釋
2022-01-24 16:30:31948 
本文介紹了一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對氮化鎵進行光增強濕法化學刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意摻雜氮化鎵和p-氮化鎵樣品的結果。
2022-03-17 15:42:561112 本文件規定了紫外LED誘蚊燈的技術要求和試驗方法，適用于各種室內場所光源峰值波長范圍為365 nm ～400 nm的紫外LED誘蚊燈，氣味、溫度、二氧化碳等輔助LED紫外誘蚊方式的誘蚊燈
2022-09-20 11:27:20806 
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：用于紫外發光二極管的碳化硅上的氮化鋁鎵編號：JFKJ-21-1173作者：華林科納 一直在使用碳化硅（碳化硅）襯底生長氮化鋁(AlGaN)結構，針對278nm深紫外
2023-02-21 09:21:581 一步，推出采用GaNSense?技術的新一代智能GaNFast?氮化鎵功率芯片，為氮化鎵技術的探索翻開了新的一頁。? 氮化鎵VS傳統的硅，節能又減排 眾所周知，硅作為晶體管的首選材料，一直是半導體科技的基
2023-02-21 14:57:110 領導者納微半導體（Navitas Semiconductor）（納斯達克股票代碼：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術集成了關鍵、實時、智能的傳感和保護電路，
進一步提高了納微半導體在功率半導體行業領先的可靠性和穩健性，同時增加了
2023-02-22 13:48:053 、家電、建材、空氣與水殺菌消毒等領域應用較為廣泛，其中UVA（長波紫外線，波長320~400nm）LED是UV LED中的重要一種。 立洋光電作為智慧照明系統解決?案提供商，UVA LED紫外光源采用高導熱氮化鋁陶瓷基板封裝結構，具有高輻射通量、高可靠性、低熱阻等優勢，
2023-02-27 11:30:421001 
合封氮化鎵芯片是一種新型的半導體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優點。與傳統的半導體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術，將多個半導體器件集成在一個芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:231327 杰華特推出JW1565氮化鎵合封芯片，滿足65W快充應用伴隨著65W氮化鎵快充的發展，電源技術在不斷迭代。從傳統控制器+驅動器+氮化鎵開關管，多顆芯片的原邊方案，再到控制器直驅氮化鎵兩顆芯片的電源
2022-04-18 16:51:57825 
2021年是氮化鎵技術大規模商用的一年，也是合封氮化鎵芯片快速發展的一年。東科半導體繼推出國內外首顆合封氮化鎵快充芯片以來，持續深耕合封工藝，推出了適用于不同功率范圍的高集成氮化鎵芯片。在3月26
2022-06-21 09:48:082253 
氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開關器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料，很多特性都強于傳統的硅基半導體。
2023-09-11 17:17:531560 作為第三代半導體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發熱等特點，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率，減少熱量的產生，并且縮小了充電器的體積，使用戶在日常出行時更容易攜帶。
2023-10-07 15:32:33415 
作為氮化鎵快充控制器國產化的先行者，KeepTops率先實現了氮化鎵控制芯片的自主可控性，并成功量產集成GaN直驅的控制器。得到了業界的廣泛認可，現已推出。
KeepTops繼推出氮化鎵控制器
2023-10-11 15:33:30311 
電子發燒友網站提供《一種人際交互模塊在紫外LED照射器中的應用設計.pdf》資料免費下載
2023-10-23 10:46:241 氮化鎵芯片的選用要從實際應用出發，結合實際使用場景，選擇最合適的氮化鎵芯片，以達到最佳的性能和效果。明確應用場景。首先要明確使用的具體場景，如音頻、視頻、計算還是其他應用場景。不同的場景對氮化鎵芯片的性能和特點要求不同，因此在選擇氮化鎵芯片時，要充分考慮應用的場景。
2023-10-26 17:02:18412 杰華特推出JW1565氮化鎵合封芯片，滿足65W快充應用
2022-04-18 11:13:2826 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質制造的芯片，它被廣泛應用于高功率和高頻率應用領域，如通信、雷達、衛星通信、微波射頻等領域。與傳統的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302314 氮化鎵激光器芯片能用酒精擦拭嗎？ 氮化鎵激光器芯片是一種重要的光電子元件，被廣泛應用于激光科技、光通信和生物醫學等領域。對于氮化鎵激光器芯片的清潔維護非常重要，而酒精擦拭是一種常見的清潔方法。本文
2023-11-22 16:27:52380 氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優點，被廣泛應用于通信、醫療、工業等領域。下面我們將詳細介紹氮化鎵激光芯片的用途。 一、通信領域 氮化鎵激光芯片
2023-11-24 11:23:151100 氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設備市場得到廣泛應用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅動器和氮化鎵開關管整合到一個...
2023-11-24 16:49:22350 2023年12月15日，中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計，實現最新的生態設計目標。
2023-12-15 16:44:11462 氮化鎵半導體芯片（GaN芯片）和傳統的硅半導體芯片在組成材料、性能特點、應用領域等方面存在著明顯的區別。本文將從這幾個方面進行詳細介紹。 首先，氮化鎵半導體芯片和傳統的硅半導體芯片的組成
2023-12-27 14:58:24424 隨著信息技術和通信領域的不斷發展，對高性能芯片的需求也越來越大。作為半導體材料中的重要組成部分，氮化鎵芯片因其優異的性能在近年來受到了廣泛關注。本文將詳細介紹氮化鎵芯片的基本原理及其應用領域
2024-01-10 09:25:57354 菱面體晶系。氮化鎵的能隙約為3.4電子伏特，這使得它具有優異的光電性能。它可以發射和吸收可見光和紫外光，因此在光電器件，如發光二極管（LED）和激光二極管（LD）中被廣泛應用。氮化鎵LED具有高亮度、高效率和長壽命等優點，已經在
2024-01-10 10:05:09348 氮化鎵芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導體芯片，它們在性能、應用領域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個方面詳細比較氮化鎵芯片和硅芯片的特點和差異。 首先，從材料屬性上來看，氮化鎵芯片采用
2024-01-10 10:08:14513 氮化鎵芯片（GaN芯片）是一種新型的半導體材料，在目前的電子設備中逐漸得到應用。它以其優異的性能和特點備受研究人員的關注和追捧。在現代科技的進步中，氮化鎵芯片的研發過程至關重要。下面將詳細介紹氮化
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