時間{write_ds(0,0); //秒write_ds(2,43); //分write_ds(4,3); //時} //初始化時鐘void DS_init(){DS_AS=0;DS_DS=0;DS_RW=0
2016-02-24 11:19:45
0.13μm非易失性FRAM產品的增強的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
DS1243, DS1243Y資料介紹,64k NV SRAM，帶有隱含時鐘DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
保持新鮮一般說明DS1553是一個全功能、符合2000年（Y2KC）標準的實時時鐘/日歷（RTC），帶有RTC警報、看門狗定時器、上電復位、電池監視器和8k x 8非易失性靜態RAM。用戶對DS
2020-09-17 17:24:23
特征?集成NV SRAM、實時時鐘（RTC）、晶體、電源故障控制電路和鋰能源?時鐘寄存器與靜態RAM訪問相同；這些寄存器位于16個頂級RAM位置?世紀字節寄存器（即符合Y2K）?完全不易揮發，在斷電
2020-09-16 17:17:42
?在引導閃存之間選擇 ?設置ASIC配置/配置文件 ?服務器 ?網絡存儲 ?路由器 ?電信設備 ?PC外圍設備 一般說明 DS4520是一個9位非易失性（NV）I/O擴展器，具有64
2020-07-02 16:55:41
1內核，32位，168M FPU（浮點數處理單元）一般會選用DSP 做浮點數處理。2.IO口，輸入輸出端口。144個IO引腳(大部分5V）3.內存。 1024K flash, 192k SRAM
2021-07-23 08:02:43
電路,周期中斷/方波選擇電路,14字節時鐘和控制單元,114字節用戶非易失RAM,十進制/二進制累加器,總線接口電路,電源開關寫保護單元和內部鋰電池等部分組成。DS12887引腳分配如圖1：Vcc
2008-10-08 11:18:25
非易失可重復編程FPGA的應用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。
2020-12-10 07:20:20
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
特征?符合ACPI的每月一日警報?千年蟲世紀比特?直接時鐘/日歷替換IBM?AT兼容計算機和其他應用程序?2個索引陰影寄存器?2.7–5.5V操作?240字節的一般非易失性存儲器?專用
2020-09-16 17:18:59
bq4011是一個非易失性262144位靜態RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標準SRAM的無限寫入周期相結合。控制電路持續監測單個5V電源是否超出公差條件。當
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）結合了賽普拉斯行業領先的SRAM技術和一流的SONOS非易失性技術。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標準信號和時序的常規異步SRAM。nv SRAM執行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數據。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因為在室溫下，它的數據保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
大家好：關于PSoC6SRAM在DS模式下的保留，我有一些問題要問：1：如果我想在DS模式中只保留64K的SRAM，應該設置哪種模式，“保留模式”？如果在上電后將pWRYL模式控制位設置為0x02
2018-09-26 10:01:35
集成了許多增強特性，例如硅序列號，電源開/關控制電路，和2K、4K或8K字節的電池備份NV SRAM。DS17287，DS17487和DS17887 (下文以DS17x87代替)在24引腳DIP模塊
2018-11-29 12:15:00
，從而保持20ns的SRAM讀取時間（2 * 10ns），而不是系統邏輯的其余部分嗎？我的想法是，通過讀操作，SRAM時鐘（100MHz）的上升沿與系統時鐘（50MHz）的上升沿一致將在總線上具有虛擬地址
2019-07-03 12:51:27
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數的可變數字電阻，提供256級用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內部地址設置功能通過編程使DS3902從地址置為128個可用地址之
2021-05-17 07:29:10
（RTC）是低功耗、全二-十進制碼（BCD碼）、帶56字節非易失SRAM的時鐘/日歷芯片。地址與數據通過2線雙向總線串行傳送。時鐘/日歷可以提供秒、分、時、日、星期、月、年信息。對于少于31天的月份
2013-07-30 17:35:35
SRAM2 都充滿了垃圾（當然我的數組填充了非零值）。停下，停下，停下！SPI 沒有收到任何數據，DMA 中斷沒有啟用，什么也沒做。我認為原因是啟用了 D2 域的時鐘（DMA 控制器與 SRAM2 共享時鐘
2022-12-14 07:16:54
DESCRIPTIONThe DS1746 is a full-function, year-2000-compliant (Y2KC), real-time clock/calendar (RTC
2008-08-10 10:39:53
16 GENERAL DESCRIPTIONThe DS1501/DS1511 are full-function, year 2000-compliant real-time clock
2008-08-10 10:40:4924 具有 CPU 監控器和外部 NVSRAM 控制的符合 Y2K 的并行 RTC，3V Vcc Iq (Typ) (uA) 0.5 Features External SRAM
2022-12-02 13:48:32
具有 CPU 監控器和外部 NVSRAM 控制的符合 Y2K 的并行 RTC，5V Vcc Iq (Typ) (uA) 0.5 Features External SRAM
2022-12-02 13:48:32
DS1558為完備的、2000年兼容(Y2KC)的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報警、看門狗定時器、上電復位、電池監控以及NV SRAM控制器。用戶訪問DS1558中所有寄存器都通過
2023-04-19 17:25:07
DeepCover?嵌入式安全方案采用多重先進的物理安全機制保護敏感數據，提供最高等級的密鑰存儲安全保護。DeepCover安全管理器(DS3605)集成非易失(NV) SRAM控制器、實時時鐘
2023-07-14 15:15:30
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:13:33
DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:18:27
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報警、看門狗定時器、上電復位、電池監控、256字節非易失(NV) SRAM以及一個32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:44:47
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報警、看門狗定時器、上電復位、電池監控、256字節非易失(NV) SRAM以及一個32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:48:54
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過如完整數據資料中的圖1所示的單字節寬度的接口對DS1744內部的所有寄存器進行
2023-07-21 17:11:57
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-24 09:29:49
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-24 09:32:13
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節寬度的接口對DS1747內部的所有寄存器進行訪問。RTC
2023-07-24 09:41:00
DS3234 高精度、SPI總線RTC，集成晶體和SRAM
DS3234是一款低成本、超高精度、采用SPI™總線的實時時鐘(RTC)，集成了溫度補償晶體振蕩器(TCXO)和晶體
2008-11-27 18:01:34
2659 
DS3650 NV SRAM控制器、RTC及監控電路，帶有篡改檢測
DS3650是一款4線兼容控制器，滿足支付卡行業(PCI)以及其他數據保護和安全性能很關鍵的設備的溫度和電
2009-03-02 14:53:11716 摘要：本應用筆記說明怎樣配置DS325X、DS316X、DS317X和DS318X器件中的時鐘速率適配器(CLAD)來產生多種時鐘源。在具體應用中，這些時鐘源可用作LIU參考時鐘或發送時鐘。
2009-04-18 11:57:04738 
DS1643, DS1643P 非易失時鐘RAM
概述
DS1643 is an 8K x 8 nonvolatile static RAM with a full function Real Time Clock (RTC) that a
2009-12-19 12:50:451037 
該DS1557是一個全功能實時時鐘/日歷(RTC的同一個RTC報警，看門狗定時器，上電復位，電池監控)，以及512K的× 8非易失性靜態RAM。用戶訪問DS1557內部所有寄存器完成了一個字節寬
2010-09-15 09:51:32730 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節寬
2010-09-28 08:58:301105 
DS1554是一個全功能的，2000年兼容(Y2KC)，實時時鐘RTC的鬧鐘，看門狗定時器/日歷(RTC)上電復位，電池監控，和32K × 8非易失
2010-09-28 09:11:081395 
DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路
2010-10-20 09:04:421192 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態NV SRAM，
2010-10-21 09:01:27888 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:59888 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控
2010-10-21 09:06:321002 DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:38925 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581417 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:04998 
DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:231511 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51770 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:28976 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:53:311843 
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011420 
DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實時時鐘(RTC)、CPU監控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應用提供篡改保護
2011-04-27 10:23:37879 DS1346/DS1347的SPI?兼容的實時時鐘(RTC)含有一個實時時鐘/日歷和31 × 8位靜態隨機存取存儲器(SRAM)。
2011-08-19 09:55:331600 
DS1338串行實時時鐘(RTC)是低功耗、全二進制編碼的十進制(BCD)時鐘/日歷，外加56字節NV SRAM。
2011-10-18 14:42:486683 
DS1500為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有報警、看門狗定時器、上電復位、電池監控、256字節內置非易失(NV) SRAM、為備份外圍SRAM提供NV控制以及一個32.768kHz頻率的輸出
2011-12-19 11:08:181741 
DS1244,DS1244P具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內置實時時鐘
2011-12-19 11:15:391685 
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內置實時時鐘。
2012-01-04 10:41:50905 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內置實時時鐘。
2012-01-04 10:49:181184 
DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時鐘是一個內置的實時時鐘(8192字由8位)是由完全靜態非易失性內存 。
2012-01-04 10:53:261255 
DS1746是一個全功能的，2000年的兼容(Y2KC)，實時時鐘/日歷(RTC)和128K×8非易失性靜態RAM
2012-03-19 16:28:12822 
FEATURES Integrated NV SRAM, Real-Time Clock (RTC), Crystal, Power-Fail Control Circuit
2012-03-19 17:01:1615 DS3232M是成本低，非常準確，，I2C實時時鐘(RTC)，具有236字節電池供電的SRAM。該器件集成了一個電池輸入和設備的主電源中斷時保持精確的計時。
2012-03-23 11:09:292813 描述 幻影的時鐘和套接字提供電池備份SRAM的SmartWatch NV或NV SRAM的控制，分別添加計時信息。在不使用任何SRAM數據空間的情況下訪問計時數據。通過將一個唯一的64位序列寫入
2017-04-08 09:47:291 DC1744A-設計文件
2021-04-09 19:07:290 DC1744A-演示手冊
2021-04-14 11:36:330 DC1744A-設計文件
2021-06-09 12:36:391 電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1744-70+相關產品參數、數據手冊，更有DS1744-70+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1744-70+真值表，DS1744-70+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-18 20:04:38
電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1744-70IND+相關產品參數、數據手冊，更有DS1744-70IND+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1744-70IND+真值表，DS1744-70IND+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-18 20:05:35
電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1744P-70+相關產品參數、數據手冊，更有DS1744P-70+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1744P-70+真值表，DS1744P-70+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-18 20:24:41
電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1744WP-120IND+相關產品參數、數據手冊，更有DS1744WP-120IND+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1744WP-120IND+真值表，DS1744WP-120IND+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-18 20:25:13
電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1744WP-120+相關產品參數、數據手冊，更有DS1744WP-120+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1744WP-120+真值表，DS1744WP-120+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-18 21:25:22
電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1744W-120+相關產品參數、數據手冊，更有DS1744W-120+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1744W-120+真值表，DS1744W-120+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-18 21:25:58
電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1744P-70相關產品參數、數據手冊，更有DS1744P-70的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1744P-70真值表，DS1744P-70管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-18 21:44:46
電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1744P-70IND+相關產品參數、數據手冊，更有DS1744P-70IND+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1744P-70IND+真值表，DS1744P-70IND+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-18 21:46:02
電子發燒友網為你提供Maxim(Maxim)DS1744W-120IND+相關產品參數、數據手冊，更有DS1744W-120IND+的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，DS1744W-120IND+真值表，DS1744W-120IND+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-18 21:53:44
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2022-11-18 22:10:38
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2022-11-21 21:50:21
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2022-11-21 21:53:53
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2022-11-21 21:55:18
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2022-11-21 21:57:50
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2022-11-21 21:58:19
在發射端，DS3（E3）時鐘和DS1（E1）時鐘由輸入引腳派生，但DS2（E2）時鐘頻率是DS3（E3）時鐘頻率的一小部分。出于設計原因，分數將表示為整數比率，這取決于設備的模式。DS1（E1）時鐘可以容忍基于DS3（E3）時鐘頻率和器件模式的頻率范圍。
2023-02-22 10:10:18467 
DS3112具有六種不同的發送時鐘和六種不同的接收時鐘類型：發送DS3、DS2、DS1、E3、E2和E1時鐘，以及接收DS3、DS2、DS1、E3、E2和E1時鐘。由于電路中同一級的時鐘具有相似
2023-06-13 15:39:46317 
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