74hc164d 是高速硅門 CMOS 器件，與低功耗肖特基型 TTL （LSTTL） 器件的引腳兼容。74hc164d 是 8 位邊沿觸發(fā)式移位寄存器，串行輸入數(shù)據(jù)，然后并行輸出。數(shù)據(jù)通過兩個輸入端（DSA 或 DSB）之一串行輸入；任一輸入端可以用作高電平使能端，控制另一輸入端的數(shù)據(jù)輸入。兩個輸入端或者連接在一起，或者把不用的輸入端接高電平，一定不要懸空。

　　時鐘 （CP） 每次由低變高時，數(shù)據(jù)右移一位，輸入到 Q0， Q0 是兩個數(shù)據(jù)輸入端（DSA 和 DSB）的邏輯與，它將上升時鐘沿之前保持一個建立時間的長度。

　　主復(fù)位 （MR） 輸入端上的一個低電平將使其它所有輸入端都無效，同時非同步地清除寄存器，強(qiáng)制所有的輸出為低電平。

　　74hc164d特性：

　　門控串行數(shù)據(jù)輸入。

　　異步中央復(fù)位。

　　符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) no. 7A。

　　靜電放電（ESD）保護(hù)：

　　HBM EIA/JESD22-A114-B 超過 2000 V。

　　MM EIA/JESD22-A115-A 超過 200 V 。

　　多種封裝形式。

　　額定從 -40 °C 至 +85 °C 和 -40 °C 至 +125 °C 。

　　74hc164d型號標(biāo)識及主要參數(shù)：

74hc164d引腳圖及引腳說明

　　74hc164d引腳圖：

　　74hc164d引腳信息：

　　DIP14、SO14、SSOP14 和 TSSOP14 封裝的引腳配置

　　74hc164d引腳說明：

　　74hc164d功能表：

　　H = HIGH（高）電平

　　h = 先于低-至-高時鐘躍變一個建立時間 （set-up time） 的 HIGH（高）電平

　　L = LOW（低）電平

　　l = 先于低-至-高時鐘躍變一個建立時間 （set-up time） 的 LOW（低）電平

　　q = 小寫字母代表先于低-至-高時鐘躍變一個建立時間的參考輸入 （referenced input） 的狀態(tài)

　　↑ = 低-至-高時鐘躍變

　　74hc164d極限值

　　符合絕對最大額定值體系 （IEC 60134） 的規(guī)定。電壓參考點為 GND（地 = 0 V）。

　　［1］ 對于 DIP14 封裝：Ptot 在超過 70 °C 時以 12 mW/K 的速度線性降低。

　　［2］ 對于 SO14 封裝：Ptot 在超過 70 °C 時以 8 mW/K 的速度線性降低。

　　對于 SSOP14 和 TSSOP14 封裝：Ptot 在超過 60 °C 時以 5.5 mW/K 的速度線性降低。

　　對于 DHVQFN14 封裝：Ptot 在超過 60 °C 時以 4.5 mW/K 的速度線性降低。