單片機芯片生產工藝對單片機芯片良率的影響是至關重要的。這些因素可以細化到單片機芯片工藝制程步驟數量、單片機生產工藝制程周期、還有封裝和最終測試，都影響著單片機芯片工藝良品率。

　　專注電子產品方案開發的英銳恩說明以上三點對單片機性能的影響。

　　單片機芯片工藝制程步驟的數量。工藝制程步驟的數量被認為是晶圓廠CUM良品率的一個限制因素。步驟越多，打碎晶圓或對晶圓誤操作的可能性就越大。這個結論同樣適用于晶圓電測良品率。隨著工藝制程步驟數的增加，除非采取相應措施來降低由此帶來的影響，晶圓背景缺陷密度將增加。增加的背景缺陷密度會影響更多的芯片，使晶圓電測良品率變低。

　　單片機芯片工藝制程周期。晶圓在生產中實際處理的時間可以用天來計算。但是由于在各工藝制程站的排隊等候和工藝問題引起的臨時性減慢，晶圓通常會在生產區域停留幾個星期。晶圓等待時間越長，受到污染而導致電測良品率降低的可能性就越大。向即時生產方式的轉變是一種提高良品率及降低由生產線存量增加帶來的相關成本的嘗試。

　　單片機芯片封裝和最終測試良品率。完成晶圓電測后，單片機芯片晶圓進入封裝工藝，被切割成單個芯片并被封裝進保護性外殼中。在一系列步驟中也包含多次目檢和封裝工藝制程的質量檢查。

　　在封裝工藝完成后，封裝好的芯片會經過一系列的物理、環境和電性測試，總稱為最終測試。最終測試后，第三個主要良品率被計算出來，即最終測試的合格芯片數與晶圓電測合格芯片數的比值。

　　單片機生產良品率是通過各個生產環節來保證的，單片機芯片加工工藝是嚴謹的環環相扣的。