近年來，我國電力電子器件產業技術水平不斷提高，應用領域日益廣泛，已逐漸成為國民經濟發展中基礎性的支柱產業之一。隨著電力電子器件產業日益受到國家的重視，國家對其生產企業和科研機構的扶持力度也在逐步加大。然而，在科研和產業化不斷取得突破的同時，全行業仍面臨諸多困難，尤其是關鍵技術受制于人，嚴重影響行業持續發展。

得到政策扶持

電力電子器件產業直接關系到變流技術的發展與進步，其技術水平成為建設節約型社會和創新型國家的關鍵因素。

隨著我國特高壓直流輸電、高壓變頻、交流傳動機車/動車組、城市軌道交通等領域技術發展和市場需求的增加，對5英寸及6英寸晶閘管、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）的需求非常緊迫，而且需求量也非常大。預計國內每年需要5英寸、6英寸晶閘管、IGCT、IGBT的總量將達到50萬只以上。然而目前國內市場所需的高端電力電子器件主要依賴進口。

以IGBT為例，全球IGBT主要供應商集中在英飛凌、三菱、ABB、富士等少數幾家公司。目前，我國只有少數小功率IGBT的封裝線，還不具備研發、制造管芯的能力和大功率IGBT的封裝能力。因此，在技術上長期受制于人，這對國民經濟的健康發展與國家安全極其不利。

為貫徹落實“十一五”高技術產業發展規劃和信息產業發展規劃，全面落實科學發展觀，推進節能降耗，促進電力電子技術和產業的發展，根據國家發改委《關于組織實施新型電力電子器件產業化專項有關問題的通知》，我國將實施電力電子器件產業專項政策，提高新型電力電子器件技術和工藝水平。

其主要內容包括：促進產業發展，滿足市場需求，以技術進步和產業升級推進節能降耗；推動產、學、研、用相結合，突破核心基礎器件發展的關鍵技術，完善電力電子產業鏈，促進具有自主知識產權的芯片和技術的推廣應用；培育骨干企業，增強企業自主創新能力。

其主要支持的重點領域有：在芯片產業化方面，主要支持IGBT、金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）、快恢復二極管（FRD）、功率集成電路（PIC）、IGCT等產品的芯片設計、制造、封裝測試和模塊組裝。

在模塊產業化方面，主要支持電力電子器件系統集成模塊，智能功率模塊（IPM）和用戶專用功率模塊（ASPM）。

在應用裝置產業化方面，重點圍繞電機節能、照明節能、交通、電力、冶金等領域需求，支持應用具有自主知識產權芯片和技術的電力電子裝置。

仍需突破創新

在產業政策支持和國民經濟發展的推動作用下，我國電力電子產業化水平近年來有很大提高。通過技術上的不斷探索與追求，使其技術水平逐步與國際水平接近，尤其是在一些高端市場領域已經占有一席之地。例如西安電力電子技術研究所通過引進消化技術，產品已經在高壓直流輸電等高端領域批量應用。

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