功率MOSFET和散熱器的工作講解;散熱器熱阻計算所需的重要說明.
2022-05-19 09:08:06
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克（1盎司）左右的DNA分子，能夠存儲30萬TB的信息數據，并且保存長達至少100萬年。而目前的存儲介質最高保存期限大概為50年左右。
2015-08-20 15:01:341220 很多時候我們需要將程序中的一些參數、數據等存儲在EEPROM或者Flash中，達到掉電保存的目的。但有些情況下，程序需要頻繁的修改這些參數，如果每次修改參數都進行一次保存，那將大大降低存儲器的壽命
2022-11-17 09:14:501588 你好，我查了很多datasheet，關于STM32F030C8T6的flash memory的擦寫次數，但是就沒有找到這個問題的答案，請幫忙解答一下
2023-08-07 08:49:39
STM32f030內部的FLASH擦寫時間是多少？STM32f030內部的FLASH擦寫次數是多少？STM32f030內部的FLASH擦寫電流是多少？
2021-10-22 06:23:26
STM32系統中掉電保存數據的方法在嵌入式設備開發中，往往需要保存一些掉電不易失性的數據，如果系統配置、用戶定制信息等等，如果增加額外的ROM IC，比如（基于I2C的24C02等等）往往會造成額外
2021-12-10 07:42:57
STM32系統中的2種數據掉電保護方法！在嵌入式設備開發中，往往需要保存一些掉電不易失性的數據，如果系統配置、用戶定制信息等等，如果增加額外的ROM IC，比如（基于I2C的24C02等等）往往會
2020-04-17 15:16:15
大家好，我使用stm32f103c8t這款芯片,使用過程中我會將上位機發送過來的一些數據保存到flash中去，我的保存過程時這樣的：1、將起始頁定義為flash空間的第63頁 #define
2019-03-03 13:46:28
使用stm32f103c8t這款芯片使用過程中我會將上位機發送過來的一些數據保存到flash中去，我的保存過程時這樣的：1、將起始頁定義為flash空間的第63頁 #define PAGE_ADDR
2019-04-16 07:09:22
關于STM32中重要的C語言知識點看完你就懂了
2021-10-13 07:47:00
STM32與C51簡述嵌入式開發心得1.關于C51與STM32的說明C51是最早一批進入中國市場的可開發操作的板子/芯片，在早期有著較好的發展方向學習浪潮，早期也有著發達的社區可供交流。隨著電子科技
2021-08-11 07:00:20
N76E003 FLASH 擦寫次數幾項不太清楚，還請指教
1，FLASHE當EEPROM用時，我在第一次用的時候已經擦除整頁了，后續如果我想改變一頁中的個別字節時，是否需要在將一整頁擦除在重寫
2023-06-25 10:24:18
為應用程序提供靈活的擴展和定制功能。本文主要說明一下關于lua移植到STM32上的過程以及簡單的舉兩個例子來說明lua的應用。Lua的簡介關于Lua的官方介紹，此處不在說明。有需要了解的看官可以在...
2021-08-03 07:30:59
AT32F4系列FLASH擦寫操作的地址偏移說明擦除或者編程flash 時，如果操作地址不在flash 絕對地址范圍內，則操作會失敗？
2023-10-23 08:24:03
EEPROM擦寫頻率EEPROM擦寫頻率怎么理解？怎么根據擦寫頻率選擇EEPROM還是flash？比如如下這個案列每100ms采集一次數據，每秒存20個字節（實際使用清空EEPROM存儲的數據是每周
2022-11-09 18:56:36
STM32f0301. FLASH擦寫時間2. FLASH擦寫次數和數據保存年限只能擦寫1000次，有點少。非必要，不要擦寫。比如記憶流水號之類，經常變動的數據，最好使用EEPROM
2021-08-05 06:46:03
文章目錄目的GPIO口基礎說明函數說明使用演示總結目的GPIO口基礎說明MicroPython for ESP32 GPIO主要說明如下：可以用的IO為 0-19, 21-23, 25-27
2022-01-10 06:29:06
100萬次，而數據保存期能超過40年。此外，新器件的全速USB 2.0接口包括一個片上收發器和一個并行流端口，能把數據直接傳送到外部的外設，減少CPU的開銷。 開發支持 大多數USB應用設計人員的一
2008-07-31 07:47:18
PSOC4 EEPROM 寫操作需要多長時間，為了增加EEPROM擦寫次數，寫操作是在一開辟的空間內滾動操作嗎，組件需要如何配置
2024-02-21 07:22:29
）- 大于100年數據保存期· 內存組織：512K X 8· 扇區擦除功能：每扇區256字節· 低功耗- 工作電流：15 mA（典型值）為5.0V和10毫安（典型值）2.73.6- 待機電流：5μA
2012-08-24 14:10:13
！單片機的低壓設置為4.32V進行檢測，2·低溫（-20°~-10°）之間進行斷電數據保存的時候就會寫不進去，讀出來的數據全是1（說明有擦除，但是并未寫入。當時考慮是不是電解電容供電時間太短，就換個超級電容！問題依然存在，接著把快速把芯片升溫，低壓的擦寫讀回復正常）
2020-01-04 13:38:44
STM8S003的flash可擦寫次數是多少
2023-10-10 07:28:12
Socket API簡要說明:創建套接字 ( socket ) int socket(int domain, int type ,int protocol);參數描述domain協議族類型type
2022-01-11 07:26:09
采用TDMS采集數據，每秒鐘采集5次數據（每次采集的數據是一個16*16的二維數組）。假設我一次采集10秒，且數據都存儲在一個TDMS里面，那樣的話就會有50組16*16的數據，如何能分隔開每組數據
2018-12-18 19:50:30
由于FATFS使用了比較大的內存，而且函數中的局部變量很多很大。而眾所周知，局部變量是保存到stack中的，因此，如果使用FATFS，必須要把stack調整大。否則會出現不可預估的問題（堆棧溢出
2014-03-12 11:05:25
（VectorOffset） 9.3 點乘（VectorShift） 9.4 減法（VectorSub） 9.5 比例因子（VectorScale） 9.6 BasicMathFunctions的重要說明 9.7 總結
2015-06-05 14:33:31
移植的重要說明 2.2 移植前的準備工作 2.3 STemWin的裸機移植 2.4 STemWin帶RTOS的移植 2.5 總結2.1 關于STemWin移植的重要說明 關于STemWin的移植一定
2015-03-16 10:55:18
：Eeprom-Emulation-driver-STM32/FlASH_PAGE_F1.c at main · Yadnik1/Eeprom-Emulation-driver-STM32 (github.com)但是，沒有數據存儲在閃存中。我犯了一個錯誤，我無法識別它，有人可以指導我嗎？非常感謝你！！
2023-02-02 07:44:23
內部Flash模擬EEPROM一、原因由于STM32F103系列的單片機內部Flash的擦寫次數僅有10k次，如果遇到想要存儲又多變，又需要掉電保存的數據，就顯得有點捉襟見肘了。我決定利用單片機
2022-01-26 06:59:28
我想將數據保存到閃存中，這樣即使斷電我也可以擁有這些數據。
我嘗試使用 spi_flash_write 但出現錯誤
代碼：全選
char ssid[32] = SSID;
char test
2023-06-12 06:04:57
我想將我的數據計算保存在內部存儲器或閃存中，而不會在重置后丟失。但是，我不知道該怎么做。因為在 STM32WL MCU 中沒有內存庫。
2022-12-13 07:19:32
我正在考慮在我的設計中用 STM32F151 替換 STM32F103，但找不到 AN3422 遷移應用說明中引用的 PM0062。我需要完成一些步驟才能獲得閃存/eeprom 編程手冊嗎？來自安為
2023-02-07 07:16:04
的耐擦寫特性，并且大量的數據顯示，第三代技術能夠滿足這些應用所要求的 50 萬次耐擦寫次數。圖 2 第 3 代嵌入式 SuperFlash（ESF3）嵌入式閃存是可以擴展的十年以前，紛紛流傳嵌入式閃存
2020-08-14 09:31:37
你好，我想使用ECC閃存空間來保存用戶數據并處理8KB額外閃存。要做到這一點，我轉到Psoc Creator的系統選項卡，并啟用啟用錯誤糾正代碼（ECC）的滴答聲。因此，假設現在我有64kb+8kb
2019-04-16 14:36:03
手機充電協議BC1.2· 目前市面上各種手機充電器，在手機廠家宣傳時也會提到自己的充電器，各種快充。可以說消費者也是各種蒙圈。為了讓大家不至于蒙圈，此文只限于科普。BC1.2協議要介紹手機的充電必須要說明
2021-09-14 08:40:13
EEPROM通常擦寫次數都在百萬次以下，如果每秒寫一次，幾天就廢了，有沒有擦寫次數無限制的類似產品？
2023-11-08 06:15:04
本公司需要在儀器上裝一個監控攝像機，有人來開始攝像，無人關閉，攝像保存在SD卡，最長保存期為40天，后面的保存期會自動把前面的覆蓋掉。每年大約需要5000臺，求大家給一個鏈接或者成品。
補充內容
2017-03-14 07:52:33
SIKA電子流量監控器用于對特定流速進行監控。只有應用在指定設計用途（監控液流）時，器件的工作可靠性才有保證。禁止超出列出的極值.遵守如下說明，以達到最高測量精度，得到指定的輸出信號。? 要求
2018-09-29 16:36:38
熔絲位簡要說明熔絲位功能配置說明 熔絲低位CKDIV8時鐘8分頻0：時鐘8分頻 1：時鐘不分頻 CKOUT時鐘輸出0：系統時鐘輸出（PB0） 1：不輸出 SUT1選擇啟動時間根據時鐘源選擇..
2021-07-21 07:29:14
flash擦寫次數有限，用N76E003flash做eeprom用什么方法保存一個計數的數據累加到數千萬。
2023-06-14 07:11:59
`保存期限3天`
2012-11-02 16:40:44
富萊STM32-V5開發板，主芯片STM32F407IGT6。 2.1 關于STemWin移植的重要說明 2.2 移植前的準備工作 2.3 STemWin的裸機移植 2.4 STemWin帶RTOS
2016-10-11 08:55:59
初學RL-TCPnet需要做的準備工作。3.1 初學者重要提示3.2 開發環境說明3.3 配套例子重要說明3.4 RL-TCPnet參考資料3.5 RL-TCPnet調試方法3.6總結
2017-10-12 20:24:16
RTX操作系統需要做的準備工作。 3.1 開發環境 3.2 重要說明 3.3 RTX系統參考資料 3.4 RTX的調試方法 3.6 RTX調試組件功能介紹 3.5總結3.1開發環境u IDE
2016-10-02 09:17:43
手冊上看到STM32F030 的FLASH 擦寫次數只有1K,真的只有1K么？051系列的手冊上是10K,
2018-11-20 08:35:54
各位大神，想問問M0516LDN的Flash擦寫次數是多少？
2023-08-24 06:19:46
參與競標時，提示“請輸入您能夠完成任務的簡要說明并且上傳相應附件資料”，如貼主需要一個溫控開關系統，“簡要說明”是否為所需芯片，如何做出來等；附件又該是什么？現象？
2019-08-01 05:00:08
有趣的問題就是MRAM保存數據的穩定性，熱穩定性毫無疑問會影響數據的保留期限，溫度越高就越不穩定，這就需要平衡數據保存的期限。 一般的半導體數據保存期限是10年，為此需要1bit或者2bit的ECC
2020-04-15 14:26:57
其安全等級和訪問方式。3、高可靠性。提供多達10萬次擦寫次數和10年的數據保存期。4、高速度。在I2C串行總線方式下，通信速率最高可達1MHz。5、在AT88SC0104的基礎上嵌入32位隱藏加密算法
2014-03-18 14:02:57
鎳氫充電電池使用指南重要說明此說明書上有關鎳氫電池的數據源自說明書準備之時的遼寧九夷三普電池公司生產的電池由于產品的性能和特點時常需要調整使用三普鎳氫
2009-11-03 09:33:29
50 關于S7-200存儲區以及數據保存的說明。
S7-200常用存儲區包括 RAM區、V 區、M 區、T 區、C 區和EEPROM區，這些
2010-09-09 15:30:0341 開發了一個基于閃存平臺的嵌入式文件系統。為保證閃存扇區的平均使用率和均衡擦寫次數，引入了損壞管理策略，在這種策略中采用了動態存儲空間管理模式和先入先出（FIFO）策
2010-09-30 16:24:5721 正確選擇閃存寫入緩沖區大小，優化擦寫速度
在各種電子技術快速發展和電子市場高速擴大的今天，存儲器的需求量迅猛增長。在眾多存儲器類型中，NOR型閃存由于具有隨
2009-11-23 10:00:04966 重要說明： ● 本說明書為A 型說明書。 ● 本說明書包含B 型、C 型的基本功能。 ● B 型（卷繞專用型）的專用功能另見卷繞功能操作說明書。 ● C 型（工程專用型）的專用功能另見說明
2011-01-26 18:34:11735 收銀程序安裝簡要說明，感興趣的可以看看。
2016-02-29 16:21:251 STM32/FLASH保存數據，適合初學者
2016-09-27 14:46:3921 6000工業以太網交換機用戶手冊簡要說明
2016-12-23 02:34:100 W25X16是華邦公司推出的繼W25X10/20/40/80（1～8 MB）后容量更大的Flash產品，W25X16的容量為16 Mb.W25X16的擦寫周期為10 000次，具有20年的數據保存期限
2018-07-17 12:26:00922 
變量的名稱、類型、初始值和數值范圍確定與數據變量存盤相關的參數，如存盤的周期、存盤的時間范圍和保存期限等。
2018-02-09 09:00:1710897 
? 1024 字節的數據 EEPROM
? 3.6 KB 的通用寄存器 （SRAM）
? 閃存程序存儲器可耐受 10，000 次 （典型值）擦 /
寫
? 數據 EEPROM 存儲器可耐受 100，000 次 （典型
值）擦 / 寫
? 閃存的保存期限最短為 40 年
2018-06-26 17:25:007 等），并在需要時方便地重寫信息。數據EEPROM存儲器基于與程序存儲器相同的閃存技術，并經過優化，可實現長期數據保存和更高的耐擦寫次數。
2018-06-07 09:28:006 閃存塊（Block）具有一定的壽命，不是長生不老的。前面提到，當一個閃存塊接近或者超出其最大擦寫次數時，可能導致存儲單元的永久性損傷，不能再使用。隨著閃存工藝不斷向前，這個擦寫次數也變得越來越小。
2018-07-25 11:09:164521 
在NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢，典型的NAND塊尺寸為NOR器件的八分之一，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。
2018-10-07 15:37:0012470 FLASH是用于存儲程序代碼的，有些場合也可能用它來保存數據，當然前提是該單片機的FLASH工藝是可以自寫的（運行中可擦寫），但要注意FLASH的擦寫次數通常小于一萬次，而且通常FLASH只能
2019-09-26 17:16:001 PCBA是表面焊接好各種元器件的印刷線路板，較多人關注其長時間、高頻率運行的可靠性，間而需要了解其保存期限。一般情況下，PCBA保存期限為2~10年。
2019-10-01 17:17:0010812 大家有什么重要數據想要保存的嗎？如果你需要容量大、速度快以及保存期超長的備份方式，那可以試試索尼日前發布的第三代“光驅”，單盒容量達到了5.5TB，數據能保存100年不壞。
2019-11-26 09:15:342210 大家有什么重要數據想要保存的嗎？如果你需要容量大、速度快以及保存期超長的備份方式，那可以試試索尼日前發布的第三代“光驅”，單盒容量達到了5.5TB，數據能保存100年不壞。
2019-11-26 15:44:512572 PCBA印刷線路板在加工完成后，由于材料的選擇、加工工藝、所處環境的不同，會有不同的保存期限，一般是2-10年。
2020-02-05 10:54:543609 在未使用產品前，不要將產品的防潮袋打開，在未開封前要保證溫度在30℃以下，以及濕度在60%以下的環境中，保存期為一年。
2020-03-04 11:03:361870 不同產品要選擇不同的焊錫膏，如何選擇一款焊錫膏是PCBA生產中需要解決的重要問題，現結合國內外有關標準，將焊錫膏的檢驗項目介紹如下，焊錫膏的選擇包括合金成份、粘度、有效作業時間、保存期限。
2020-04-21 11:36:454864 焊墊氧化后將造成焊錫不良，最終可能導致功能失效或掉件風險。電路板不同的表面處理對于抗氧化的效果會不一樣，原則上ENIG要求要在12個月內用完，而OSP則要求要在六個月內用完，建議依照PCB板廠的保存期限（shelflife）以確保品質。
2020-06-17 10:47:493387 通過串口命令查看EMMC擦寫次數的三大方法
2020-06-19 10:34:1812854 
焊墊氧化后將造成焊錫不良，最終可能導致功能失效或掉件風險。電路板不同的表面處理對于抗氧化的效果會不一樣，原則上ENIG要求要在12個月內用完，而OSP則要求要在六個月內用完，建議依照PCB板廠的保存期限（shelflife）以確保品質。
2020-06-27 13:22:004463 ； 4. 擦寫次數幾十億次！生命周期； 5. 超低延遲； 6. 數據保存期很久：85度高溫下數據可以保存10年以上； 7. 數據錯
2020-07-10 14:19:20684 ； 5. 超低延遲； 6. 數據保存期很久：85度高溫下數據可以保存10年以上； 7. 數據錯誤率低； 8. 可靠性強。 MRAM可應用在
2020-09-19 11:38:322609 得益于容量大、價格低的優勢，如今越來越多的SSD硬盤轉向QLC閃存，大家擔心的主要是QLC閃存的壽命，具體來說就是P/E擦寫次數，通常在1000次左右，而IBM現在解決了QLC壽命問題，做到了史無前例的16000次擦寫壽命，壽命比SLC還強。
2020-12-08 09:40:034095 本應用筆記旨在提供有關如何防止閃存意外擦寫操作（可能導致輕微到災難性現場故障）的指南和最佳實踐。在固件中添加閃存編程保護功能有助于降低發生問題的風險，確保穩健的現場更新。以下內容通過了解潛在問題來提高固件的穩健性，并提供了避免這些問題的方法。
2021-03-30 14:19:078 關于 S7-200存儲區以及數據保存的說明。
2021-05-07 10:22:269 STM32閃存編程手冊(嵌入式開發和編程)-STM32閃存編程手冊?STM32開發必備技術文檔之一
2021-08-04 12:44:2345 ；不過FLASH的容量還是可觀的，我們可以利用FLASH模擬EEPROM。根據《STM32F10X閃存編程》中的介紹，FLASH除了保存用戶代碼的部分，其余部分我們是可以利用其作為數據存儲使用的。s...
2021-11-26 16:51:0723 STM32f0301. FLASH擦寫時間2. FLASH擦寫次數和數據保存年限只能擦寫1000次，有點少。非必要，不要擦寫。比如記憶流水號之類，經常變動的數據，最好使用EEPROM
2021-12-01 20:36:1314 內部Flash模擬EEPROM一、原因由于STM32F103系列的單片機內部Flash的擦寫次數僅有10k次，如果遇到想要存儲又多變，又需要掉電保存的數據，就顯得有點捉襟見肘了。我決定利用單片機
2021-12-02 11:36:2131 STM32重要源文件和頭文件說明
2021-12-05 18:21:0827 （AN2606）。1 閃存單存儲區和雙存儲區配置STM32F7系列器件的閃存大小分別為1 MB和2 MB。該閃存可以配置為單存儲區或雙存儲區。1.1 1 MB閃存組織結構圖 1介紹了適用于兩種配置的1 ...
2021-12-08 21:06:229 最開始用STM32的flash保存數據的方法都是用原子的例程，STM32F1的話，原子的方法大概是創建一個1K或者2K的緩存......
2022-02-08 16:19:1714 PCB烘烤的主要目的在去濕除潮，除去PCB內含或從外界吸收的水氣，因為有些PCB本身所使用的材質就容易形成水分子。
2023-05-20 14:22:16750 在諸多工業、汽車等對可靠性有高要求的應用場景中，通常會使用FRAM存儲器來儲存系統中的重要信息，這得益于FRAM本身的特性，數據保存期限久、耐久性出色、擦寫次數高，讓FRAM在眾多存儲器件中脫穎而出
2022-09-08 14:25:25367 
在諸多工業、汽車等對產品可靠性有高要求的應用場景中，如BMS，會使用存儲器來儲存系統中的重要信息，這得益于存儲器本身的特性，數據保存期限久、耐久性出色、擦寫次數高。FRAM在眾多存儲產品中脫穎而出
2022-10-18 17:50:29342 
錫膏是電子元器件生產加工中必不可少的一種材料，它能夠保護電路板焊點并降低焊接溫度，使得電子元器件更加堅固和穩定。但是，與其它材料一樣，錫膏也有保存期限。那么一般保存期限是多久呢，下面錫膏廠家說一下
2023-04-18 15:35:441262 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講PCBA加工使用過期PCB電路板的危害都有哪些?pcb超期使用風險。PCB板也有保質期，拆真空包裝后要及時進行加工，不能久放，超過PCB板廠的保存期限進行
2023-07-24 09:36:43793
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