此前，高通公布了下一代驍龍處理器——驍龍835，高通驍龍835芯片將在2017年初發布，因此支持最新的Quick Charge 4.0快速充電技術，基于三星10nm制造工藝打造。高通驍龍835處理器將取代驍龍821/820，成為高通公司頂級移動處理器。

　　不過截止目前，高通并未公布驍龍835的更多信息，但表示10nm工藝將會帶來更好的性能領先，提升功率效率，作為對比高通驍龍820基于14nm制造工藝打造。

　　三星表示，10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%，效率提升40%，在高通驍龍835上具體數值還需要后續才能知曉。但高通驍龍835芯片面積將變得更小是毋庸置疑的。

　　三星Galaxy S8有望成為首款搭載高通驍龍835處理器的智能手機設備，LG和HTC也將推出搭載驍龍835的智能手機。

　　盡管三星和高通已經宣布驍龍 835 將采用 10nm FinFET 工藝打造，但尚未披露有關該芯片的更多細節。此外，即使我們知道 Galaxy S8 會成為首批搭載該 SoC 的設備之一，但其商用時間還不是很清楚。三星執行副總裁兼制造業務負責人 Jong Shik Yoon 表示：“我們很高興有機會與高通在驍龍 835 的生產上緊密合作”。

　　高通早前表示驍龍 835 早已開始生產，并且預計商用設備會在 2017 年上半年到來。

　　鑒于許多旗艦設備都會在 2017 年的前 2 個月發布（移動世界大會 / MWC 2017），我們對于能在明年上半年買到幾款搭載驍龍 835 設備感到好奇。

　　三星和高通方面都證實，驍龍 835 CPU 將采用全新 10nm FinFET 工藝。與上一代驍龍處理器相比，其空間效率可提升 30% 、性能提升 27% 、且能耗降低 40% 。

　　最后，高通在 Twitter 上暗示，新款處理器“將在 CES 2017 上重點亮相”，因此我們無需再等待多久。