摘 要： 航天應(yīng)用中，單粒子翻轉(zhuǎn)引發(fā)SRAM型FPGA的錯(cuò)誤最多，而EDAC設(shè)計(jì)在糾錯(cuò)模塊中有著廣泛的應(yīng)用。將依據(jù)擴(kuò)展海明碼設(shè)計(jì)的[40，32]EDAC模塊嵌入到ARINC 659的雙口數(shù)據(jù)DPRAM和指令SRAM中，提高了總線控制器的容錯(cuò)處理能力。

0 引言

集成電路的應(yīng)用領(lǐng)域在不斷深入擴(kuò)大，航空航天方面要求系統(tǒng)能長(zhǎng)期可靠地運(yùn)行，其運(yùn)行的環(huán)境輻射比地面輻射嚴(yán)重，集成電路很容易受到干擾，導(dǎo)致設(shè)備不能正常工作。單粒子翻轉(zhuǎn)是指高能粒子射入集成電路的PN結(jié)，會(huì)發(fā)生PN結(jié)電離、電荷積累、能量轉(zhuǎn)移等。存儲(chǔ)器件某一位數(shù)據(jù)會(huì)從一個(gè)穩(wěn)態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榱硗庖粋€(gè)穩(wěn)態(tài)，是引發(fā)航天器故障的主要因數(shù)。

為了最大限度地減少單粒子效應(yīng)對(duì)FPGA的影響，通常采用三模冗余的加固結(jié)構(gòu)，盡管三模冗余結(jié)構(gòu)可以將錯(cuò)誤暫時(shí)隔離，但是在長(zhǎng)期工作的情況下冗余單元也可能繼續(xù)發(fā)生錯(cuò)誤。近年來(lái)國(guó)內(nèi)外采用EDAC電路來(lái)減少或避免錯(cuò)誤的發(fā)生。常見(jiàn)的EDAC電路都是采用專(zhuān)用芯片配上時(shí)序來(lái)工作的，這不利于系統(tǒng)的集成小型化和低功耗。本文基于ARINC 659控制器的設(shè)計(jì)，利用Verilog HDL實(shí)現(xiàn)EDAC的功能，使設(shè)計(jì)朝著高集成、低功耗的方向發(fā)展[1]。

1 ARINC 659總線技術(shù)簡(jiǎn)介

ARINC 659[2]是一種航空電子模塊化設(shè)計(jì)的背板總線標(biāo)準(zhǔn)，有魯棒分區(qū)，具有確定的時(shí)間和空間性?；裟犴f爾公司根據(jù)ARINC 659標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的SAFEbus用于波音777的飛機(jī)信息管理系統(tǒng)中，從1993年被采納成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)至今已經(jīng)穩(wěn)定運(yùn)行30多年。它能夠應(yīng)用于大型客機(jī)的電子系統(tǒng)，表明ARINC 659是一種較為可靠的內(nèi)總線，適用于航天系統(tǒng)的綜合電子平臺(tái)。

在ARINC 659標(biāo)準(zhǔn)中，每一個(gè)可插拔的子板被稱(chēng)作在線可更換模塊（Line Replaceable Module，LRM）。每個(gè)LRM有兩個(gè)總線接口（Bus Interface Unit，BIU）。在該標(biāo)準(zhǔn)中，一條659總線上最多允許連接32個(gè)LRM。ARINC 659使用時(shí)間觸發(fā)的調(diào)度方式稱(chēng)為表驅(qū)動(dòng)比例訪問(wèn)協(xié)議（Table Driven Proportional Access，TDPA），并將決定總線時(shí)分復(fù)用特性的調(diào)度表保存在每個(gè)BIU中，維護(hù)協(xié)議的數(shù)據(jù)開(kāi)銷(xiāo)非常小。ARINC 659的4線交叉校驗(yàn)機(jī)制可以對(duì)每一位進(jìn)行校驗(yàn)。

ARINC 659假設(shè)每個(gè)BIU使用獨(dú)立的時(shí)鐘，儲(chǔ)存相同的TDPA表，因此在總線工作時(shí)是沒(méi)有中心控制的分布式系統(tǒng)的。同時(shí)，ARINC 659也支持LRM的冗余，協(xié)議中最多允許某項(xiàng)功能有4個(gè)LRM做備份。

目前見(jiàn)到的航空總線標(biāo)準(zhǔn)中，ARINC 659總線的實(shí)時(shí)性、可靠性和冗余度是最高的，但霍尼韋爾公司只提供整機(jī)解決方案，不提供芯片，因此研究該總線能為我國(guó)航空電子系統(tǒng)開(kāi)發(fā)與應(yīng)用提供幫助。

2 EDAC的原理與實(shí)現(xiàn)

2.1 海明碼的基本原理

海明碼是一種廣泛使用的可以糾正單個(gè)錯(cuò)誤和檢測(cè)任意兩位錯(cuò)誤的線性分組碼。常見(jiàn)的海明碼應(yīng)滿足不等式2m≥n+m+1，其中n為數(shù)據(jù)碼的位數(shù)，m為校驗(yàn)碼的位數(shù)，如果要求既要能糾正一位錯(cuò)位又能檢測(cè)出兩位錯(cuò)位，則至少需要m+1位校驗(yàn)碼。該控制器中傳輸32 bit數(shù)據(jù)，依據(jù)海明碼的原理，使用8 bit校驗(yàn)位，構(gòu)成[40，32]擴(kuò)展海明碼。依據(jù)規(guī)則，在數(shù)據(jù)位的第2k（k=0，1，2，3，4，5） bit上放置校驗(yàn)碼。

2.2 EDAC模塊的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

EDAC模塊在CPU與RAM之間[3]，保護(hù)控制器RAM的數(shù)據(jù)，CPU對(duì)RAM操作時(shí)，EDAC模塊已經(jīng)對(duì)RAM中的數(shù)據(jù)進(jìn)行了預(yù)處理，同時(shí)EDAC模塊中也加入了使能信號(hào)。EDAC主要工作在寫(xiě)周期和讀周期，如圖1所示，EDAC主要包括發(fā)送和接收兩個(gè)部分。

?

上面發(fā)送模塊負(fù)責(zé)海明碼編碼，用控制電路寄存器中的數(shù)據(jù)位確定校驗(yàn)位，然后依據(jù)海明碼的長(zhǎng)度和編碼方案編碼。將并行轉(zhuǎn)成串行數(shù)據(jù)發(fā)出去。接收模塊主要負(fù)責(zé)海明碼糾錯(cuò)與解碼，解碼過(guò)程就是依據(jù)已知校驗(yàn)位數(shù)確定碼字長(zhǎng)度；而糾正就是用已經(jīng)生成的校驗(yàn)碼和形成該校驗(yàn)碼的編碼方程再進(jìn)行一次異或操作，如果該等式為0，則代表沒(méi)有發(fā)生錯(cuò)誤，若等式為1，說(shuō)明有錯(cuò)，可以從等式的值判斷具體的出錯(cuò)位，糾正后再?gòu)拇a字中選出數(shù)據(jù)位。

EDAC模塊通過(guò)Verilog HDL在FPGA中實(shí)現(xiàn)，其總體框架如圖2所示，其各變量的含義如下：

wr：CPU讀寫(xiě)信號(hào)，0和1分別表示為寫(xiě)和讀。

c_data[7：0]：CPU的傳送和接收數(shù)據(jù)。

mem_data[39：0]：存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)包括32 bit數(shù)據(jù)位和8 bit校驗(yàn)位。

er_out[1：0]：錯(cuò)誤類(lèi)型，分別為無(wú)錯(cuò)誤、1 bit錯(cuò)、2 bit及2 bit以上錯(cuò)、校驗(yàn)位錯(cuò)誤。

3 EDAC模塊在ARINC 659總線控制器中的實(shí)現(xiàn)

?

圖3是ARINC 659總線的系統(tǒng)框圖，雙口數(shù)據(jù)DPRAM使用[40，32]EDAC編碼保存數(shù)據(jù)。8051讀取數(shù)據(jù)時(shí)，EDAC狀態(tài)寄存器記錄1 bit錯(cuò)或2 bit錯(cuò)。EDAC狀態(tài)寄存器有可屏蔽的EDAC中斷。依據(jù)海明編碼原理，ARINC 659總線控制器讀取數(shù)據(jù)時(shí)，1 bit錯(cuò)直接糾正，2 bit以上的錯(cuò)不做處理，ARINC 659總線控制器自身能保存正常數(shù)據(jù)，2 bit以上的錯(cuò)誤導(dǎo)致ARINC 659總線校驗(yàn)全部失效，將數(shù)據(jù)錯(cuò)誤通知其他LRM。

指令SRAM也使用[40，32]EDAC編碼保存數(shù)據(jù)，寫(xiě)入方法與雙端口數(shù)據(jù)DPRAM相同。正常狀態(tài)下，ARINC 659總線控制器只讀指令SRAM，指令SRAM自身也有EDAC，但隨著時(shí)間累積，單粒子翻轉(zhuǎn)可能在指令SRAM中累積，最后發(fā)生多位錯(cuò)。針對(duì)這種情況，在ARINC 659指令總線上新增EDAC刷新模塊，它每次讀取指令SRAM的一個(gè)字，再將其寫(xiě)入指令SRAM，可以避免1 bit錯(cuò)累加形成多位錯(cuò)。659總線控制器讀取指令SRAM的EDAC狀態(tài)時(shí)，對(duì)1 bit錯(cuò)不做處理，對(duì)2 bit錯(cuò)659總線控制器會(huì)斷開(kāi)，另一個(gè)659總線控制器依靠交叉使能不一致也會(huì)斷開(kāi)。659總線控制器遇到多位錯(cuò)將會(huì)變?yōu)槲粗獱顟B(tài)，最終因?yàn)榻徊媸鼓懿灰恢乱矔?huì)斷開(kāi)。圖4是32 bit數(shù)據(jù)5A5A5A5A經(jīng)過(guò)EDAC模塊之后的狀態(tài)。

?

4 注入故障與結(jié)果分析

通常SEU發(fā)生頻率與器件所處的軌道位置和工作時(shí)間有關(guān)，每天SRAM中SEU的發(fā)生約為3×10-5位。為了加快實(shí)驗(yàn)進(jìn)度，采用與實(shí)際情況相似的硬件故障注入方式，故障注入基本頻率為10次/s。其結(jié)構(gòu)如圖5所示，包括注入機(jī)和目標(biāo)機(jī)，注入機(jī)通過(guò)向FPGA發(fā)送命令的方式注入故障，實(shí)現(xiàn)故障邏輯[4]。

?

運(yùn)行時(shí)指令SRAM和數(shù)據(jù)DPRAM會(huì)同時(shí)發(fā)生故障，導(dǎo)致主機(jī)失效。本文選用4種程序進(jìn)行試驗(yàn)，分別為遞歸（Fibonacci，F(xiàn)I）、快速排序（Quick Sort，QS）、矩陣乘（Matrix Multiplication，MM）和快速傅里葉變換（Fast Fourier Transform，F(xiàn)FT）。同時(shí)向指令SRAM和數(shù)據(jù)DPRAM中注入1 480 000次故障，主機(jī)平均會(huì)有475次失效，在這些失效中平均會(huì)有452次被檢測(cè)到并處理，其可靠性相對(duì)不加EDAC時(shí)顯著提高。

5 結(jié)論

本文研究了EDAC的主要原理和實(shí)現(xiàn)，針對(duì)ARINC 659總線控制器的體系結(jié)構(gòu)與特點(diǎn)，將[40，32]EDAC模塊嵌入數(shù)據(jù)DPRAM和指令SRAM中，用來(lái)糾正1 bit錯(cuò)位和檢驗(yàn)2 bit錯(cuò)誤。該設(shè)計(jì)嵌入在FPGA中，與傳統(tǒng)的利用糾錯(cuò)芯片硬件電路相比，簡(jiǎn)化了電路，能快速地實(shí)現(xiàn)ARINC 659總線控制器的糾錯(cuò)檢錯(cuò)，有效降低了單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)器的影響，提升系統(tǒng)的整體性能。