初級和次級繞組之間增加補償繞組、優(yōu)化初級和次級的動點和靜點的位置，讓干擾的電流信號相互抵消。電壓不發(fā)生變化的節(jié)點，稱為靜點；電壓發(fā)生變化的節(jié)點，稱為動點。

次級輸出整流二級管或同步MOSFET，放在高端和放在低端EMI的差異，就是上面第3種情況。

反激變換器變壓器次級繞組的上端和開關(guān)節(jié)點SW（功率MOSFET的漏極）為同名端，如圖1所示。C1為開關(guān)節(jié)點SW和次級繞組下端之間的寄生電容；C2為初級電源正端和次級繞組上端之間的寄生電容；CSW為開關(guān)節(jié)點的空間寄生電容；C3為輸出地的空間寄生電容。

圖1 ?反激變換器的寄生電容

1、輸出整流二極管放在高端

輸出整流二極管放在高端，輸入的電源正端、次級繞組下端（輸出地）是靜點。

開關(guān)管關(guān)斷時，功率MOSFET的VDS電壓以非常大的dV/dt上升，如圖2所示。

圖2??反激變換器的工作波形

初級和次級的寄生電容C1在dV/dt的影響下，初級和次級之間產(chǎn)生干擾電流信號I1。同樣，次級繞組上端電壓也隨之以一定的dV/dt上升，初級和次級的寄生電容C2在dV/dt的影響下，初級和次級之間產(chǎn)生干擾電流信號I2。C1的電流I1、C2的電流I2，它們的方向如圖3所示。

圖3? 整流管放高端寄生電容的電流方向

變壓器次級的干擾電流信號都要通過輸出地的空間電容C3流回到檢測設(shè)備大地，因此，流過C3的電流IGND為：

IGND = I1 - I2

可以看到，干擾電流I1的一部分通過I2流過到初級，減少總的干擾電流IGND，相當(dāng)于通過C2補償、抵消一部分C1產(chǎn)生的干擾電流。

2、輸出整流二極管放在低端

輸出整流二極管放在低端，輸入電源正端、次級繞組上端（電源輸出）是靜點。

開關(guān)管關(guān)斷時，C2中沒有干擾電流流過。次級繞組下端電壓，卻以一定的dV/dt下降，因此，寄生電容C1之間總的dV/dt變大，那么，初級和次級之間產(chǎn)生干擾電流信號I1’就會大于I1；同時，這個電流全部流向輸出地的空間電容C3：

IGND‘= I1’> I1?>?IGND

C1的電流I1‘、C3的電流I3’，它們的方向如圖4所示。可以看到，C1產(chǎn)生的干擾電流無法得到C2的補償、抵消，因此，EMI結(jié)果變差。

圖4? 整流管放低端寄生電容的電流方向

編輯：黃飛

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