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計(jì)算物理參數(shù) - 利用S參數(shù)對RF開關(guān)模型進(jìn)行高頻驗(yàn)證

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2021-06-24 06:04:25

轎車參數(shù)化分析模型的構(gòu)造研究及應(yīng)用

的分析方法的具體實(shí)現(xiàn)在結(jié)合開發(fā)過程特點(diǎn)的基礎(chǔ)上提出分析用的參數(shù)化簡化模型和概念設(shè)計(jì)階段的車身開發(fā)平臺利用高效的分析模型和統(tǒng)一的開發(fā)環(huán)境加快車身早期開發(fā)過程本文在充分研究國外早期車身開發(fā)流程的基礎(chǔ)上依托
2009-04-16 13:40:51

采樣數(shù)據(jù)中存在高頻有色噪聲的連續(xù)模型辨識方法

使噪聲的影響可以忽略,直接利用傳統(tǒng)的最小二乘法估計(jì)出連續(xù)時間模型。仿真實(shí)例驗(yàn)證了該方法的有效性和可行性,辨識的磁致伸縮作動器具有較高的可信度。關(guān) 鍵 詞連續(xù)模型; 積分方程; 最小二乘法; 系統(tǒng)辨識; 磁致伸縮作動器[hide][/hide]
2009-06-14 00:17:42

非線性模型如何幫助進(jìn)行GaN PA設(shè)計(jì)?

。本文中,我們將為您介紹需要了解的非線性GaN 模型的基礎(chǔ)知識。什么是非線性GaN 模型?對許多工程師來說,設(shè)計(jì)PA 的第一步是閱讀晶體管產(chǎn)品的數(shù)據(jù)手冊并查看S 參數(shù)。S 參數(shù)文件很有用,但有關(guān)器件大信號
2018-08-04 14:55:07

基于Petri網(wǎng)化簡技術(shù)的工作流模型合理性驗(yàn)證

隨著工作流系統(tǒng)趨于大型化,使得可達(dá)圖的驗(yàn)證技術(shù)對于大型模型進(jìn)行驗(yàn)證時面臨著狀態(tài)空間爆炸的問題。因此,在過程驗(yàn)證之前,對大型模型進(jìn)行化簡是必要的。本文通過引入P
2009-12-29 17:11:4612

EPC高頻變壓器分布參數(shù)及其影響的分析

隨著高頻化的需要,變壓器分布參數(shù)的影響也逐漸顯著。從高頻化的等效電路入手,對開關(guān)變壓器分布參數(shù)的影響進(jìn)行了詳細(xì)的理論分析和仿真驗(yàn)證,提出了在設(shè)計(jì)和繞制變壓器時
2010-08-02 16:51:3827

高頻鏈逆變器的重復(fù)控制策略

介紹了高頻鏈逆變器的拓?fù)?,建立?b class="flag-6" style="color: red">高頻鏈逆變器及其重復(fù)控制策略的仿真模型,并對系統(tǒng)進(jìn)行仿真分析。通過仿真驗(yàn)證了重復(fù)控制策略能夠使高頻鏈逆變器獲得高質(zhì)量的輸出波形
2010-12-24 17:10:4624

高頻變壓器制作與技術(shù)參數(shù)

高頻變壓器制作與技術(shù)參數(shù)  脈沖變壓器也可稱作開關(guān)變壓器,或簡單地稱作高頻變壓器。在傳統(tǒng)的高頻變壓器設(shè)計(jì)中,由于磁芯
2007-12-22 12:07:492524

晶體管的高頻小信號等效模型

晶體管的高頻小信號等效模型 晶體管的高頻小信號等效電路主要有兩種表示方法:    物理模型等效電路:混合 參數(shù)等效電路。
2009-03-12 10:51:094168

高頻開關(guān)電源的干擾問題及解決方法

本文對高頻開關(guān)電源內(nèi)輔助電源的工作特性和波形加以闡述,并著重根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)來分析高頻開關(guān)電源設(shè)計(jì)中應(yīng)注意的問題和參數(shù)的選擇。
2011-05-08 09:22:185688

Labwindows/CVI+Matlab建立高頻衰減模型

首先利用Matlab對某平臺高頻傳輸通道建立功率衰減模型.之后根據(jù)此模型采用LabWindows/CVI控制測試儀器資源對所得到的高頻信號功率值予以補(bǔ)償。
2011-11-22 14:36:062739

基于RF、MEMS開關(guān)的移相器設(shè)計(jì)

傳統(tǒng)電子移相器由于損耗問題難以向更高頻率發(fā)展,射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF MEMS) 技術(shù)的出現(xiàn)使其得以替代半導(dǎo)體開關(guān)來設(shè)計(jì)更高頻率的移相器. 利用具有優(yōu)異RF 性能的串聯(lián)電阻式RFMEMS 開關(guān)
2011-12-26 18:41:0262

利用S參數(shù)RF開關(guān)模型進(jìn)行高頻驗(yàn)證

2014-10-13 11:38:122

關(guān)于無源高頻電子標(biāo)簽芯片功能驗(yàn)證的FPGA原型驗(yàn)證平臺設(shè)計(jì)

利用Xilinx的FPGA設(shè)計(jì)了一個FPGA原型驗(yàn)證平臺,用于無源高頻電子標(biāo)簽芯片的功能驗(yàn)證。主要描述了驗(yàn)證平臺的硬件設(shè)計(jì),解決了由分立元件實(shí)現(xiàn)模擬射頻前端電路時存在的問題,提出了FPGA器件選型
2017-11-18 08:42:221938

CMOS RF模型設(shè)計(jì)指南

本文將探討這類RF所指代的真正含義,并闡述它們對RF電路設(shè)計(jì)人員的重要性。 我們可以從三個角度對RF CMOS設(shè)計(jì)進(jìn)行探討:首先,低頻模擬設(shè)計(jì)人員正在將其設(shè)計(jì)提升到更高頻率;其次,分立RF/微波
2017-11-25 15:51:582649

低頻和高頻RF無線系統(tǒng)的集成差異

低頻和高頻RF無線系統(tǒng)的集成具有很大差異。在高頻段,由于CMOS工藝能實(shí)現(xiàn)的帶寬高于雙極工藝,因而是RF電路首選工藝,通常RF-CMOS不會與數(shù)字CMOS集成在同一個芯片上。在低頻段最重要的系統(tǒng)
2017-11-25 16:21:073771

CMOS RF模型設(shè)計(jì)指南

RF CMOS設(shè)計(jì)進(jìn)行探討:首先,低頻模擬設(shè)計(jì)人員正在將其設(shè)計(jì)提升到更高頻率;其次,分立RF/微波設(shè)計(jì)人員轉(zhuǎn)而借助集成手段;最后,設(shè)計(jì)人員將串行器/解串器(SERDES)這樣的數(shù)字電路提升到工藝能夠支持的最高頻率。在上述三種情況下,RF CMOS設(shè)計(jì)都大有幫
2017-12-07 08:57:56570

基于非參數(shù)方法的分類模型檢驗(yàn)

本文主要研究了基于非參數(shù)方法的分類模型交叉驗(yàn)證結(jié)果比較,主要是對實(shí)例通過非參數(shù)的方法進(jìn)行模型比較的假設(shè)檢驗(yàn),檢驗(yàn)兩分類模型是否存在顯著差異。模型的真實(shí)泛化誤差是一個較為科學(xué)的模型比較標(biāo)準(zhǔn),對于分類
2017-12-08 15:28:441

基于傳輸矩陣的電力變壓器高頻網(wǎng)絡(luò)參數(shù)計(jì)算

模型,通過變壓器外部端口阻抗測量提取模型參數(shù),基于傳輸矩陣的網(wǎng)絡(luò)參數(shù)求解方法計(jì)算網(wǎng)絡(luò)參數(shù)。計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)對比驗(yàn)證了在l MHz頻率內(nèi)所提出的計(jì)算方法具有較好的準(zhǔn)確性。
2018-02-24 10:55:090

什么是高頻板?詳細(xì)解析高頻參數(shù)

本文開始介紹了高頻板的概念和高頻板線路板特點(diǎn),其次詳細(xì)解析了高頻參數(shù),最后介紹了高頻板的生產(chǎn)流程。
2018-05-03 16:05:4434343

RF CMOS設(shè)計(jì)中的PSP模型解析

賓夕法尼亞州飛利浦(PSP)晶體管模型被公認(rèn)為是RFIC設(shè)計(jì)的傳統(tǒng)BSIM模型的絕佳替代品,因此RF設(shè)計(jì)人員需要意識到PSP模型與實(shí)際器件性能之間的關(guān)系。PSP模型確實(shí)需要模型開發(fā)人員進(jìn)行一些判斷
2021-04-15 16:15:073872

電感的高頻模型是怎么來的

今天我們來說一說電感的高頻模型的個人理解,希望對大家有所啟發(fā)和幫助。為什么叫高頻模型呢?為什么叫高頻模型呢,難道在低頻時是不成立的嗎?當(dāng)然不是的。僅僅只是因?yàn)樵诘皖l的時候,我們可以把電感當(dāng)作理想的,因?yàn)槠浞植茧娙莸挠绊懯强梢院雎缘?/div>
2020-12-24 13:40:30485

正激、反激式、雙端開關(guān)電源高頻變壓器設(shè)計(jì)參數(shù)及對應(yīng)公式

正激、反激式、雙端開關(guān)電源高頻變壓器設(shè)計(jì)參數(shù)及對應(yīng)公式(通信電源技術(shù)期刊級別是EI嘛)-正激、反激式、雙端開關(guān)電源高頻變壓器設(shè)計(jì)詳解
2021-09-27 10:36:39289

高頻高壓開關(guān)電源

高頻高壓開關(guān)電源(電源技術(shù)參數(shù))-高頻高壓開關(guān)電源,采用LLC軟開關(guān)技術(shù),多用于靜電除塵領(lǐng)域
2021-09-28 13:03:3437

S參數(shù)允許對射頻開關(guān)型號進(jìn)行高頻驗(yàn)證

一個簡單的RF繼電器可用于演示高頻模型驗(yàn)證技術(shù)。如圖1所示,RF繼電器可以被認(rèn)為是一個三端口器件,具有輸入、輸出和用于打開和關(guān)閉電路的控制裝置。如果設(shè)備性能與控制端子無關(guān),一旦設(shè)置,繼電器可以簡化為雙端口設(shè)備。因此,可以通過觀察其輸入和輸出端子的行為來完全表征該器件。
2023-01-29 10:58:09434

手機(jī)常見電子元件之RF開關(guān)

RF開關(guān)是無線通信設(shè)備內(nèi)的高頻電路中,用于信號路徑切換的元件。 1天線開關(guān)模塊 天線開關(guān)模塊是用于手機(jī)無線電路,是附加在ANT底部以及GSM用LPF等的附加電路
2023-05-23 14:39:161303

一文讀懂RF MEMS 開關(guān)

所謂,RF MEMS 開關(guān),是一種是小型的微機(jī)械開關(guān),功耗低,可以使用傳統(tǒng)的 MEMS 制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間中的電燈開關(guān),其中觸點(diǎn)打開或關(guān)閉以通過開關(guān)傳導(dǎo)信號。在 RF MEMS 器件的情況下,開關(guān)的機(jī)械組件只有微米級尺寸。與電燈開關(guān)不同,在 RF MEMS 開關(guān)中傳導(dǎo)的信號在射頻范圍內(nèi)。
2023-05-23 15:09:18776

如何利用Simulink Test工具箱對模型進(jìn)行單元測試?

創(chuàng)建完模型后,我們需要驗(yàn)證模型的行為,即仿真結(jié)果,是否跟我們預(yù)期的一致,這樣才能保證由模型生成的代碼在嵌入式系統(tǒng)中執(zhí)行得到結(jié)果跟我們預(yù)期的一致。單元測試主要是以模型或者模型內(nèi)的子系統(tǒng)為單位進(jìn)行測試。
2023-07-22 10:25:142032

百度千帆大模型2.0一天可跑通大模型效果驗(yàn)證

百度千帆大模型2.0一天可跑通大模型效果驗(yàn)證 今天的2023百度云智大會上,百度智能云宣布千帆大模型平臺2.0全面升級,百度千帆大模型2.0升級之后能力強(qiáng)悍,現(xiàn)在在千帆一站式工具鏈平臺,當(dāng)天就可以跑通大模型效果驗(yàn)證。經(jīng)過升級的千帆整套的工具鏈可以無縫銜接全生命周期的各個業(yè)務(wù)流程,給開發(fā)者極大的提高效率。
2023-09-05 16:17:45684

高頻開關(guān)電源與交流開關(guān)電源的區(qū)別有哪些?

電源的工作原理是利用高頻開關(guān)進(jìn)行開關(guān)動作來實(shí)現(xiàn)電源的工作,而交流開關(guān)電源則是通過交流電源進(jìn)行直流轉(zhuǎn)換。高頻開關(guān)電源一般采用固態(tài)開關(guān)元件(如MOSFET、IGBT等)進(jìn)行開關(guān)動作,可以實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)操作,輸出穩(wěn)定的直流電壓。
2023-11-16 11:22:41937

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