芯片分析手段：

　　1 C-SAM（超聲波掃描顯微鏡），無損檢查：（1）。材料內部的晶格結構，雜質顆粒．夾雜物．沉淀物．（2） 內部裂紋。 （3）分層缺陷。（4）空洞，氣泡，空隙等。

　　2 X－Ray（這兩者是芯片發生失效后首先使用的非破壞性分析手段）

　　3 SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀（材料結構分析/缺陷觀察，元素組成常規微區分析，精確測量元器件尺寸）

　　4 EMMI微光顯微鏡/OBIRCH鐳射光束誘發阻抗值變化測試/LC 液晶熱點偵測（這三者屬于常用漏電流路徑分析手段，尋找發熱點，LC要借助探針臺，示波器）

　　5 FIB做一些電路修改。

　　6 Probe Station 探針臺/Probing Test 探針測試，ESD/Latch-up靜電放電/閂鎖效用測試（有些客戶是在芯片流入客戶端之前就進行這兩項可靠度測試，有些客戶是失效發生后才想到要篩取良片送驗）這些已經提到了多數常用手段。失效分析前還有一些必要的樣品處理過程，取die，decap（開封，開帽），研磨，去金球 De-gold bump，去層，染色等，有些也需要相應的儀器機臺，SEM可以查看die表面，SAM以及X－Ray觀察封裝內部情況以及分層失效。

　　除了常用手段之外還有其他一些失效分析手段，原子力顯微鏡AFM ，二次離子質譜 SIMS，飛行時間質譜TOF － SIMS ，透射電鏡TEM ， 場發射電鏡，場發射掃描俄歇探針， X 光電子能譜XPS ，L-I-V測試系統，能量損失 X 光微區分析系統等很多手段，不過這些項目不是很常用。

　　分析步驟：

　　1 一般先做外觀檢查，看看有沒有crack，burnt mark 什么的，拍照；

　　2 非破壞性分析：主要是超聲波掃描顯微鏡（C-SAM）--看有沒delamination，xray--看內部結構，等等；

　　3 電測：主要工具，萬用表，示波器，sony tek370a，現在好象是370b了；

　　4 破壞性分析：機械decap，化學 decap 芯片開封機。