移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?， Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）RF晶體管
2018-03-21 16:37:10
12515 
QPD1025在65 V 電壓下的功率為1.8 kW，是業界功率最高的碳化硅基氮化鎵 （GaN-on-SiC）射頻晶體管，提供高信號完整性和長覆蓋距離，非常適合L波段航空電子設備和敵我識別 （IFF） 應用。
2018-05-31 13:17:577061 貿澤電子備貨的Qorvo QPD0011是一款非對稱雙路放大器，采用7.0 mm×6.5 mm小型DFN封裝。
2021-08-23 14:43:511327 
開關性能。集成驅動器還可以實現保護功能簡介氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關性能要優于硅MOSFET，因為在同等導通電阻的情況下，氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低，并避免了體二極管所導致的反向恢復
2018-08-30 15:28:30
Qorvo QPD1013是SiC HEMT上的150 W（P3dB）離散GaN，工作頻率范圍為DC至2.7 GHz。 這是采用包覆成型塑料封裝的單級無與倫比的功率放大器晶體管。 QPD1013的高
2020-03-25 19:44:20
/ LTE宏蜂窩基站驅動程序微蜂窩基站小蜂窩最后階段有源天線陸地移動和軍事無線電通信通用應用 QPD0005 QPD1013 T2G6000528-Q3 TGF2933QPD0009 QPD
2020-03-23 16:31:35
：48V低熱阻封裝連續波和脈沖功能產品應用航天寬帶無線商業廣告防御高可靠性測試與量測 QPD0005 QPD1013 T2G6000528-Q3 TGF2933QPD0009 QPD
2020-03-23 16:33:34
HEMT分立式GaN，可在48V電源軌上以DC至4GHz工作。 產品名稱：功率晶體管QPD0030 產品特征頻率范圍：DC至4 GHz輸出功率（P3dB）：2.2 GHz時為49 W.線性增益：2.2
2019-05-13 17:06:39
QPD0210是采用DFN封裝的SiC HEMT上的雙路徑分立GaN，工作頻率為1.8至2.7 GHz。 每條路徑中都有一個單級放大器晶體管。?QPD0210可以通過+48 V在每條路徑上提供
2020-03-23 16:34:50
`QPD0211是采用DFN封裝的SiC HEMT上的雙路徑分立GaN，工作頻率為2.5至2.7 GHz。 該器件是單級功率放大器晶體管，用于Doherty應用程序。 QPD0211在+48 V工作
2020-03-20 11:23:39
`QPD0305是采用塑料包覆成型DFN封裝的SiC HEMT上的雙路徑分立GaN，其工作頻率為3.4至3.8 GHz。 每條路徑中都有一個單級放大器晶體管。QPD0305可以通過每條路徑以+48
2020-03-20 11:25:19
QPD0405是采用DFN封裝的SiC HEMT上的雙路徑分立GaN，工作頻率為4.4至5.0 GHz。 每條路徑中都有一個單級放大器晶體管QPD0405可以通過每條路徑以+48 V工作電壓提供22
2020-03-23 16:36:37
Qorvo的QPD1000是SiC HEMT上的15W（P3dB），50歐姆輸入匹配分立GaN，工作頻率為30MHz至1.215 GHz。 集成的輸入匹配網絡可實現寬帶增益和功率性能，而輸出可在板
2020-03-25 19:27:26
QPD1004氮化鎵晶體管產品介紹QPD1004報價QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
`QPD1008L RF功率晶體管產品介紹QPD1008L詢價熱線QPD1008L現貨QPD1008L 代理 王先生深圳市首質誠科技有限公司, Qorvo的QPD1008L是SiC HEMT上
2019-05-13 16:40:46
Qorvo QPD1011是SiC HEMT上的7W（P3dB），50歐姆輸入匹配分立GaN，工作頻率為30 MHz至1.2 GHz。 集成的輸入匹配網絡可實現寬帶增益和功率性能，而輸出可在板上進
2020-03-25 19:42:29
`Qorvo的QPD1015是SiC HEMT上的65 W（P3dB）寬帶無與倫比的分立GaN，其工作頻率范圍為DC至3.7 GHz，電源電壓為50V。 該設備采用行業標準的氣腔封裝，非常適合軍事
2020-03-25 19:46:23
`產品型號: QPD1018產品名稱：晶體管QPD1018產品特性頻率：2.7至3.1 GHz輸出功率（p3db）575瓦線性步態117.7分貝典型PAE3DB1：67.9%工作電壓：50 V低熱阻
2019-04-15 14:57:51
QPD1018氮化鎵晶體管產品介紹QPD1018報價QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1018內部匹配離散GaN
2018-07-27 09:06:34
`QPD1018氮化鎵晶體管產品介紹QPD1018報價QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1018內部匹配離散GaN
2019-07-17 13:58:50
QPD1020射頻功率晶體管產品介紹QPD1020報價QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12
NI780封裝QPD2195產品詳情QPD2195是SiC HEMT上的離散GaN。工作在1.8至2.2GHz。該設備是單級的預匹配功率放大器晶體管。QPD2195可用于多爾蒂體系結構中。一種用于宏小區
2018-07-04 10:08:58
%效率調諧P3dB增益：20分貝2引線，無耳，陶瓷法蘭NI780封裝QPD2795產品詳情QPD2795是SiC HEMT上的離散GaN。工作在2.5-2.7GHz。該設備是單級的匹配功率放大器晶體管
2018-07-24 11:18:42
P3dB增益：20分貝2鉛，無耳，陶瓷法蘭NI400封裝QPD2796產品詳情QPD2796是SiC HEMT上的離散GaN。工作在2.5-2.7GHz。該設備是單級的匹配功率放大器晶體管。QPD
2018-07-24 11:23:36
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首，電子技術取得急速
2019-05-05 00:52:40
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
AM81214-030晶體管產品介紹AM81214-030報價AM81214-030代理AM81214-030咨詢熱線AM81214-030現貨,王先生深圳市首質誠科技有限公司ASI為UHF，航空
2018-07-17 15:08:03
描述概述了ATMEGA644PA微控制器上自制的晶體管測試儀，采用晶體管測試儀的標準電路（非擴展電路）組裝。
2022-07-25 06:29:13
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內匹配（IM）場效應晶體管與其他技術相比，提供了優異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。產品型號
2019-05-14 11:00:13
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達系統的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
）認證的制造商。 這些產品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術。產品型號：IGT2731L120產品名稱： S波段晶體管 產品特性GaN HEMT技術對SiCP out-pk
2018-11-12 10:26:20
化鎵或砷化鋁鎵技術的這類二極管。產品型號：NPT2020產品名稱：射頻晶體管NPT2020產品特性GaN上硅HEMT耗盡型晶體管適合線性和飽和應用從直流3.5 GHz調諧48 V操作3.5 GHz
2018-09-26 09:04:23
`TGF2933分立式晶體管產品介紹TGF2933報價TGF2933代理TGF2933 TGF2933現貨,王先生***深圳市首質誠科技有限公司Qorvo TGF2933是SiC上的7 W（P
2019-07-19 21:01:07
`產品名稱：分立式晶體管TGF2934產品特性輸出功率（P 3dB）1：14 W.典型PAE 3dB 1:49％工作電壓：28 V.提供非線性和噪聲模型TGF2934是SiC HEMT上的14 W
2019-08-08 11:11:10
`TGF2935分立式晶體管產品介紹TGF2935報價TGF2935代理TGF2935 TGF2935現貨,王先生***深圳市首質誠科技有限公司該器件采用Qorvo經過驗證的QGaN15構建處理
2019-07-19 21:04:35
`TGF2942分立式晶體管產品介紹TGF2942報價TGF2942代理TGF2942 TGF2942現貨,王先生***深圳市首質誠科技有限公司該器件采用Qorvo TGF2942是SiC上的2 W
2019-07-19 21:06:16
產品詳情Qorvo的TGF2978-SM是SiC HEMT上的20 W（P3dB）寬帶無與倫比的分立GaN，其工作頻率范圍為DC至12 GHz，電源電壓為32V。 該器件采用行業標準的3x3mm
2020-02-28 11:27:32
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
是降低電子導帶的一種有效方法。我們在這方面有著豐富的經驗，優化了離子注入技術以形成高摻雜的AlGaN/GaN區域，并在GaN晶體管中實現了良好的CMOS兼容歐姆接觸。我們的努力包括開發出一種激活退火
2020-11-27 16:30:52
端工作，因此很容易實現電子控制或電氣同步。光電晶體管中使用的材料通常是GaAs，主要分為雙極光電晶體管、場效應光電晶體管及其相關器件。雙極光電晶體管通常具有高增益，但不會太快。對于
2023-02-03 09:36:05
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
區域，而粉紅色陰影區域表示截止區域。 圖1. 晶體管工作區 這些區域定義為： ? 飽和區域。 在這個區域，晶體管將偏置最大基極電流，用于在集電極上實現最大電流，在集電極-發射極處實現最小壓降
2023-02-20 16:35:09
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應用呢？如何去實現絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設計呢？
2022-01-14 07:02:41
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
GaN PA 設計？）后，了解I-V 曲線（亦稱為電流-電壓特性曲線）是一個很好的起點。本篇文章探討I-V 曲線的重要性，及其在非線性GaN 模型（如Modelithics Qorvo GaN 庫里的模型）中的表示如何精確高效的完成GaN PA中的I-V曲線設計？
2019-07-31 06:44:26
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區別是什么？例如《晶體管電路設計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現在產品設計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
選定方法數字晶體管的型號說明IO和IC的區別GI和hFE的區別VI(on)和VI(off)的區別關于數字晶體管的溫度特性關于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領域（數字晶體管的情況）關于數字晶體管
2019-04-09 21:49:36
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結構分類根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經構成
2019-05-05 01:31:57
理解，調整了松下X-GaN晶體管中晶格緩沖層的厚度，以限制p漏極與襯底的泄漏，旨在實現10年運行時失效率小于0.1％（Vds = 480V和Tj = 100℃）。 因此，HTRB測試是評估XGaN
2023-02-27 15:53:50
端上的每個開關實現表1中并聯的兩個晶體管器件。圖 5：采用 GaN 的 3KW 500kHz LLC 諧振轉換器的損耗和效率與 Si 和 SiC 的關系圖5顯示了所有晶體管均為500KHz的3KW半橋
2023-02-27 09:37:29
和頻率電子應用中實現更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高電壓轉換器我們首先要宣布的是來自意法半導體的消息。最近，它推出了 VIPERGAN50，一種基于 GaN 晶體管的功率轉換器，為
2022-06-15 11:43:25
通過二極管實現無延遲關斷。 圖4：并聯半橋CoolGaN?評估平臺。 總結 盡管硅晶體管并聯配置已經十分成熟，GaN晶體管并聯配置對于許多設計工程師而言仍然存在挑戰，采用不同于傳統硅器件
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
涵蓋70 多款裸片和封裝形式的Qorvo GaN 晶體管。這些模型有助于PA 設計人員準確預測設計中集成的晶體管性能。Modelithics 的仿真模型與最新的電子設計自動化(EDA) 仿真工具無縫
2018-08-04 14:55:07
Qorvo 的 QPD0007 是一款單路徑分立式 GaN 晶體管，工作頻率范圍為 DC 至 5 GHz。它是一個單級晶體管，提供 43 dBm 的飽和輸出功率，效率高達 73%。這種符合 RoHS
2022-10-13 10:58:18
Qorvo 的 QPD0405 是一款雙路徑 GaN 射頻晶體管，工作頻率范圍為 4.4 至 5 GHz。它提供 22 瓦 (43.4 dBm) 的飽和輸出功率，線性增益為 15.4 dB，效率高
2022-10-13 11:26:27
Qorvo 的 QPD0020 是一款 GaN 射頻功率晶體管，工作頻率范圍為 DC 至 6 GHz。它提供高達 34.7 瓦的飽和輸出功率，P3dB 增益為 18.8 dB，漏極效率高達 77.8
2022-10-13 11:39:22
Qorvo 的 QPD1013 是一款射頻晶體管，頻率 DC 至 2.7 GHz，功率 51.76 dBm，功率（W）149.97 W，Duty_Cycle 0.1，增益 21.8 dB。標簽：表面
2022-10-18 11:22:36
QPD0006產品簡介Qorvo 的 QPD0006 是采用塑料包覆成型 DFN 封裝的單路徑分立 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 2.5 至 5.0 GHz。它是一款無與倫比的單級
2023-05-09 11:17:42
放大器晶體管。QPD0010 可以在 Doherty 配置中提供 15 W 的平均功率。 產品規格最低頻率(MHz) 2,500最大頻率(MHz) 2,7
2023-05-09 12:24:23
放大器晶體管。QPD0011 可以在 Doherty 配置中提供 15 W 的平均功率。 產品規格最低頻率(MHz) 3,300最大頻率(MHz) 3,6
2023-05-09 14:15:07
的單級無與倫比的功率放大器晶體管。QPD1013 的高功率和寬帶寬使其適用于從直流到 2.7 GHz 的許多不同應用。該器件采用行業標準的 7.2 x 6.6 m
2023-05-09 19:51:06
無與倫比的功率放大器晶體管，采用包覆成型塑料封裝。QPD1022 的寬帶寬使其適用于從 DC 到 12 GHz 的許多不同應用。該器件采用行業標準的 3 x 3 m
2023-05-10 12:01:37
Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN RF功率晶體管Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN射頻功率晶體管是375W分立式碳化硅基氮化鎵HEMT，工作頻率范圍為直流至
2023-12-20 16:11:06
Qorvo QPD1425LEVB 射頻晶體管評估板Qorvo QPD1425/QPD1425L GaN晶體管評估板用于演示375W分立式碳化硅基氮化鎵HEMT（工作頻率范圍為直流至
2023-12-20 16:12:52
Qorvo QPD1016L GaN射頻晶體管Qorvo QPD1016L GaN射頻晶體管是一款500W (P3dB) 預匹配分立式碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (GaN on SiC
2024-02-26 19:28:10
Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管Qorvo QPD0007 GaN射頻晶體管是單路徑離散碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (HEMT)，采用DFN封裝。這些射頻晶體管是單級、不匹配晶體管
2024-02-26 19:46:40
Qorvo QPD1028和QPD1028L 750W碳化硅基氮化鎵晶體管Qorvo QPD1028和QPD1028L 750W碳化硅基氮化鎵晶體管是分立式碳化硅基氮化鎵HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-26 23:23:18
Qorvo QPD0005M RF JFET晶體管Qorvo QPD0005M RF JFET晶體管是單路徑分立式GaN on SiC HEMT，采用塑料包覆成型DFN封裝。該系列晶體管的工作頻率
2024-02-26 23:27:57
Modelithics， Inc. 和 Qorvo 宣布，近期將擴展用于 Qorvo GaN 晶體管的 Modelithics? 高精度非線性模型庫。當前的 GaN 模型版本 （v1.5） 廣受歡迎并具有 29 種封裝器件及裸芯片晶體管模型。新計劃將增加20逾種新型 Qorvo GaN 晶體管模型。
2015-08-28 17:00:002780 鎵（GaN－on－SiC）RF晶體管－－－QPD1025。QPD1025在65 V下運行1.8KW，提供出色的信號完整性和更大的范圍，這對L頻段航空電子應用來說至關重要。 Strategy Analytics公司
2018-04-06 11:18:006850 和寬帶通信應用。QPD1013晶體管利用QoVo的0.50μm GaN上的SiC技術，使得能夠在65 V的操作，從而提高了效率和寬帶寬。
2018-08-02 11:29:00
3 ，其相應的漏極效率大于55%。該設計是基于商業上可獲得的離散0.25μm的GaN晶體管，安裝在過模制SMT塑料封裝上安裝在羅杰斯4003 PCB上。快漏開關電路也包括在同一電路板上，便于脈沖操作，導通時間僅為20nS。離散GaN晶體管可從Qorvo作為TGF977 SM。
2018-07-31 11:29:007 盡管Qorvo的GaN晶體管效率非常高，但考慮到高RF功率電平意味著即使是高效的PA，晶體管也將具有顯著功耗。由于晶體管是SMT組件，因此需要仔細設計PCB以優化熱性能。已經對兩種方法進行了評估，并報告了兩者的結果。
2018-11-26 14:18:551808 Qorvo的QPD1013晶體管采用0.50 μm GaN-on-SiC技術。它采用具有成本效益的6.6x7.2 mm DFN（雙邊扁平無引腳）封裝，與傳統的金屬陶瓷封裝相比，可以實現更簡單的PCB
2020-10-16 10:42:000 GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領導者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682 基于模型的 GAN PA 設計基礎知識：GAN 晶體管 S 參數、線性穩定性分析與電阻穩定性
2022-12-26 10:16:211645 
PNP 通用晶體管-2PA1576S
2023-02-07 19:30:370 PNP 通用晶體管-2PA1576R
2023-02-07 19:30:530 PNP 通用晶體管-2PA1576Q
2023-02-07 19:31:070 PNP 通用晶體管-2PA1576S-Q
2023-02-08 19:24:250 PNP 通用晶體管-2PA1576R-Q
2023-02-08 19:24:380 PNP 通用晶體管-2PA1576Q-Q
2023-02-08 19:24:531 PNP 通用晶體管-2PA1576
2023-02-17 18:55:230
電子發燒友App
工商網監
評論