日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:59
1527 Vishay推出3款新型單極雙擲(SPDT)和雙路的雙極雙擲(DPDT)CMOS低壓模擬開關--- DG2735A、DG2725和DG2599
2011-06-30 09:02:17789 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出具有高電流密度的新款45V TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器--- VSSAF3L45和VSSAF5L45
2012-12-06 10:29:431353 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET?應用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301462 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:111791 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311168 Vishay推出采用小型熱增強型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。
2019-12-13 15:54:001337 `深圳市三佛科技有限公司 供應 30A 30A P溝道 MOS管 30P03，原裝，庫存現貨熱銷30P03 參數： -30V -30A DFN3*3-8 P溝道 MOS管/場效應管品牌：HN
2021-03-30 14:33:48
（on）<45MΩ@vgs=-4.5V ESD額定值：2500V hbm●高功率和電流處理能力●獲得無鉛產品●表面安裝包。HN3415參數：-20V -4A SOT-23 P溝道MOS管
2021-03-11 11:14:52
控制器，開關頻率為 650kHz。此設計通過電阻器和 P 溝道 MOSFET 負載開關來限制啟動電流。脈沖負載表征在 30A 下進行 2.5ms。主要特色27W 連續輸出功率30A 2.5ms 峰值輸出電流通過負載開關來限制啟動電流2 層電路板可與外部時鐘同步
2018-10-26 10:29:50
MOSFET提供高電流時，它就會變熱。散熱不良也會因極端溫度而損壞MOSFET。電池故障雪崩失敗dV/dt故障電機阻塞或卡住快速加速或減速功耗過大過電流負載短路卡有異物主要特點P溝道MOSFET的主要特點包括
2022-09-27 08:00:00
是主開關晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應用的開關，本設計實例對P溝道和N溝道增強型MOSFET進行了比較。對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
并聯一個高阻支路，對初級線圈進行采樣，同時提供TOFF期間初級線圈的回路。 -考慮到檢測電壓必須為正，因此有兩種基本形式，如下圖： 檢查輸出信息的方法 ●原邊反饋不能得到所有的輸出信息，但可以得到較多
2018-11-21 16:30:10
這是我關于開關電源的斜率補償找的資料，供參考，大家一起研究下。
2016-04-06 10:31:56
反激式轉換器。在同步整流器應用以及以太網供電（PoE）輸入整流器中，低側開關也被用來代替二極管作為整流器。P溝道MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩壓器中的高側開關。根據應用的不同，N
2021-04-09 09:20:10
出線圈電流，一般再使用其信息。圖4表示使用了這種方法的斜率波形。圖4與“電壓模式”項的圖2相同，Vc > Vslope時導通高邊開關進行控制。導通時，會產生符合線圈電流IL的DC成分和Rs積的偏置
2018-12-03 14:32:13
開關在電流模式控制情況下，占空比大于50%需要增加斜率補償。
2013-06-14 13:36:21
概述：FPF1006是一款負載管理產品它內部采用低導通闡值電壓-Vgs(th)及低導通電阻Rds(on)的P溝道功率MOSFET，并采用導通斜率上升控制，可減小沖擊電流，FPF1006內部有75-120Ω下拉電
2021-04-06 09:56:02
輸入電壓和最大負載電流。負載開關的導通電阻是導通FET 的特性，將用于計算負載開關的功耗。導通FET 既可以是N 溝道FET，也可以是P 溝道FET，這將決定負載開關的架構。2. 柵極驅動器以控制方式
2016-01-11 16:39:00
微處理器μP）以告知故障的存在。另外還有輸入欠壓鎖存保護功能。 ②在負載開關中增加限流電路。負載開關中沒電流檢測及限流輸出電路。它有兩種結構：限制電流值是工廠設定的；限制電流可由用戶外設一個電阻設定
2011-07-11 11:52:48
采用TOPSwitch的TNY268p控制芯片,當負載加大時，開關電源處于工作和不工作的狀態，反饋5V一會是穩住的，一會就直接為0，變壓器原邊繞組和其他路負載輸出也一樣，而且副邊加的負載也并不大
2014-01-07 12:55:51
監測器原理。圖 2. 高邊電流監測器示例。然而，不要因為低邊測量電路的簡單性而忽略高邊測量方法的優勢。多種故障會避開低邊監測器，從而使負載面臨危險和未檢測到的情形(圖 3)。注意，能夠檢測通過路徑 A
2020-09-23 09:37:52
本帖最后由 daxinba 于 2021-11-24 22:14 編輯
我設計了一個測試電路，其中有一個用來驅動MOS開關的芯片UCC21530（用于高邊驅動），兩路輸出都用來作高邊驅動，接上
2021-11-16 16:06:40
在工業控制及汽車電子行業中電磁閥、功率繼電器等帶電感線圈的負載大量使用。為了安全及便于維修，這類負載往往一端通過開關接在電源正極上，一端接在電源負極上，這種開關接在負載高側，稱之為高側開關，如
2022-03-01 22:23:42
導讀：全球第三大可穿戴廠商Fitbit發布了新款手環Charge 3，起步價150美元（約合1025元），加入NFC支付功能的特別版售價170美元（約合1162元）。
按照Canalys
2018-08-30 09:23:16
MOSFET 晶體管是可以電壓驅動電流。常用的是N溝道MOSFET，P溝道的制作成本高。簡單功率MOSFET電機控制器。這是一個典型的 MOSFET開關電路。由于電動機負載是電感性的，因此在電感
2021-09-13 08:27:30
鎖定保護（UVLO）和帶自動重啟功能的過溫保護（OTP）。
特性
? 無需副邊反饋電路的實時電流控制
? 線性和負載調整率<2%
? 通用輸入電壓上的高功率因數(=0.9)
? 臨界導
2023-10-20 15:46:09
最近使用MSP430F2272做一款產品，使用3V紐扣電池供電。里面有一個P溝道的CMOS管作為開關，使用IO直接驅動。但在測試的時候發現，CPU會重啟。經過排查發現是IO驅動COMS管這里
2015-09-14 17:55:23
下運行，實現了高功率因數并減少功率MOS管開關損耗。利用美芯晟科技特有的控制技術 ，無需光耦及副邊感應器件就可以精確地調制LED電流。 MT7933 同時實現了各種保護功能，包括過流保護
2019-08-20 11:46:33
為正時，它充當增強型MOSFET。N溝道場效應管與P溝道場效應管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負載，當柵極施加正電壓時，FET導通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
的兩種結構：N溝道型和P溝道型由于制造工藝的原因，P溝的MOS管通常比N溝的MOS管具有更大的導通電阻，這意味著導通功耗會更大。這是選擇時需要注意的地方。一般而言，如果是低邊開關應用，使用N溝MOS管
2023-02-17 14:12:55
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統設計的過程中，選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
PMOS高邊開關控制電路如下圖：
輸入側使用15KW整流模塊，輸出側固定8歐姆負載電阻。
整流模塊設置為40V/5A，模塊空載情況下輸出為100V/0A。此時PMOS可以正常開關，波形紅色為VGS
2024-02-05 15:54:27
：2970598138，歡迎索取資料，全程技術支持。 SM7503P 5V500mA適配器電源管理芯片方案，SM7503P芯片是應用于離線式小功率AC/DC開關電源的高性能原邊反饋控制功率開關芯片，在全電壓輸入范圍內實現高精度恒壓/恒流輸出，精度均小于±3℅，并可使系統節省光耦和TL431等元件，降低成本。
2020-01-07 12:12:45
（ON）<6.9mΩ@ VGS =10V這個裝置是適合用作負載開關或在PWM應用?！?b class="flag-6" style="color: red">高功率和電流處理能力[td=372]◆可提供無鉛產品應用：PWM應用、負載開關、電源管理等◆TO220封裝`
2019-03-13 16:06:37
請問通過u***使labview和電子負載通訊，能夠實現用labview控制電子負載開關機嗎？如果可以，怎樣實現呢？謝謝！
2013-11-04 10:36:11
不同的應用，包括但不限于： ●配電 ●上電排序和電源狀態轉換 ●減小待機模式下的漏電流 ●浪涌電流控制 ●斷電控制 1什么是負載開關? 集成負載開關是可用于開啟和關閉...
2021-10-29 08:35:39
低邊和高邊電流監測器的架構和應用是什么
2021-03-11 07:39:28
二極管的方向判斷：它的判斷規則就是：N溝道，由S極指向D極；P溝道，由D極指向S極。4、簡單的判斷方法上面方法不太好記，一個簡單的識別方法是：（想像DS邊的三節斷續線是連通的）不論N溝道還是P溝道
2019-09-11 07:30:00
N溝道和P溝道MOSFET哪個常用?增強型和耗盡型的哪個常用?
2019-05-13 09:00:00
ZCC2451是一款內部集成有高邊高壓功率MOSFET管的高頻率(2 MHz)降壓型開關穩壓器。提供單路最大0.6A高效率輸出，以電流模式控制方式達到快速環路響應。寬范圍輸入電壓（3.3 V至36
2020-10-30 16:33:45
各位好，有沒有2個N溝道和2個P溝道的集成芯片推薦，電流大于1A就可以了，謝謝
2021-10-11 10:27:45
如何利用一顆N溝道MOS管來實現上電瞬間輸出高電壓？
2022-02-15 06:03:40
高可靠MCU負載開關電路設計過程
2021-11-16 09:02:00
今天，我們來聊聊怎樣設計一個高可靠的負載開關電路。從需求分析到原理實現，再到設計驗證，stepbystep。采用MCU來控制一個外部功率開關是一個非常常見的需求。比如MCU用ADC檢測電源輸出電壓
2021-11-01 06:16:21
電壓也很低，所以它可以用在低電壓電路中而不需要電平轉換器（圖5）。圖5：來自Vishay Siliconix的SiP32408和類似SiP32409負載開關的控制使能信號低和高邏輯電平閾值與輸入電壓之間
2019-04-15 08:00:00
?+高邊電源開關的設計者提供一些有用信息。從設計的角度出發，本應用筆記介紹了應用要求，最后從器件層面做出結論。 表1 使用的術語 縮略語含義 A/D模數轉換器 AWG美國線規 BCM車身控制模塊 CP
2018-12-05 09:50:55
MIC94161的典型應用是一系列高端負載開關，設計用于1.7V至5.5V輸入電壓。負載開關傳輸元件是一個內部14.5m RDSON N溝道MOSFET，使器件能夠支持高達3A的連續電流。此外，負載開關支持1.5V邏輯電平控制和關斷功能，采用纖巧的1.5mm x 1mm 6引腳WLCSP封裝
2020-06-04 06:57:06
功率MOS管來進行驅動，而不是使用晶體管，當然也存在使用晶體管來進行驅動的集成IC?！ ∪缟蠄D所示，由于P溝道的MOS管品種少，價格高，并且其導通電阻和開關速度的性能都不如N溝道的MOS管
2020-12-25 15:05:16
首先什么是高低邊開關？關于高低邊開關在汽車中應用非常廣泛，例如車燈控制、氣囊驅動、繼電器控制等，代表性的廠家有ST、英飛凌等，高低邊開關即高低邊驅動，其中高邊或者低邊均相對于負載來說，如圖1負載在
2022-12-22 18:48:54
本文介紹一款單片高速(fSW高達100kHz)四通道低邊開關。該產品能夠驅動任何類型的負載(阻性負載、感性負載和容性負載)，開關一側連接電源電壓(Vcc)。
2019-08-01 08:13:02
費率和負載控制時間開關 Time switch for tariff and load control
2009-01-13 22:18:58
44 Vishay推出新款高速PIN光敏二極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝
2009-11-13 09:21:28744 Vishay Siliconix推出業界性能最先進的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:52711 Vishay推出新款ESD保護陣列VBUS053BZ-HNH-G-08
Vishay推出具有低容值和低漏電流的新款ESD保護陣列VBUS053BZ-HNH-G-08，可保護USB-OTG端口免受瞬態電壓信號的損害
2010-03-23 11:53:11987 Vishay發布新款集成功率光敏
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的集成功率光敏，分別是輸出電流為0.9A的VO2223和輸出電流為1A的VO2223A，擴
2010-03-26 11:38:56722 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:52777 Vishay新款TANTAMOUNT固態鉭電容可滿足宇航級應用
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其CWR06和CWR16 TANTAMOUNT®固態鉭電容器現可滿足
2010-04-29 14:55:52542 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關，以及直流應用的系統/負載開關。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341531 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
2011-01-26 09:04:081505 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301341 Vishay 宣布推出針對3D快門式眼鏡進行優化的新款小尺寸三端SPDT(三端 2:1)開關--- DG9454
2011-03-24 10:43:591839 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出可在-55℃～+215℃寬溫范圍內工作的新款精密低TCR薄膜電阻---PLTT
2011-03-28 11:04:301388 日前，Vishay Intertechnology, Inc.發布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。
2011-08-18 09:42:40850 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 Vishay Intertechnology宣布推出采用一個集成電阻和低電致伸縮陶瓷配方的新款陶瓷多層片式電容器(MLCC)——VJ CDC。
2011-11-18 09:22:09838 微處理器通過控制電源的工作來實現負載管理，負載管理也可以由微處理器與多個負載開關組成。負載開關是一種功率電子開關
2011-12-29 17:32:223543 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，發布新款通過MIL-PRF-83401認證（標準碼57489）的通孔、單片在線路薄膜電阻網絡。M83401具有低至±25ppm/℃的絕對TCR，5ppm/℃的TCR跟蹤和±0.05%的嚴格比例容
2012-02-17 11:57:08934 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導通電阻上設立了新的行業基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay發布6款綠色光耦器件
2012-05-24 16:28:25416 
Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于汽車和工業應用的新款通過AEC-Q101認證的表面貼裝透射式光傳感器---單通道TCPT1350X01和雙通道TCUT1350X01。
2013-06-26 11:39:171047 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK
2013-07-15 11:32:40783 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布新款液鉭高能電容器---HE4，這款器件在+25℃和1kHz條件下的最大ESR只有0.025Ω，在市場上類似器件當中容量最高。
2013-07-26 14:41:241122 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 Vishay發布HML新款微型軸向引線的厚膜電阻——1.85 mm x 0.91 mm的器件采用結實耐用的塑料外殼，可用于助聽器和工業高頻探頭。
2014-01-21 11:39:25721 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 2014 年 12 月16 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布新款汽車級的超薄、大電流電感器---IHLE-4040DC-5A，該電感器采用可減少EMI的整體e屏蔽層和緊湊的4040外形尺寸。
2014-12-16 17:27:58663 賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 2 月2 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布3顆采用超小尺寸WCSP
2015-02-02 14:07:262091 PowerPAK SC-70?封裝的新款20V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:04855 Vishay推出輸入電壓為4.5V～60V的新款2A～10A器件---SiC46X，擴充其microBUCK同步降壓穩壓器。Vishay Siliconix SiC46X器件十分節省空間，在小尺寸
2018-05-21 10:56:001893 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款雙路單刀雙擲/四路單刀雙擲模擬開關---DG2788A。該開關在2.7V下的電阻
2018-08-03 11:45:00678 關鍵詞：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內采用
2019-01-01 16:29:01380 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:141020 不同的應用，包括但不限于： ●配電 ●上電排序和電源狀態轉換 ●減小待機模式下的漏電流 ●浪涌電流控制 ●斷電控制 1什么是負載開關? 集成負載開關是可用于開啟和關閉...
2021-10-22 12:21:017 負載開關（LoadSwitch）是一種電子元器件，其主要功能是在電路中控制負載的開關狀態，可以將電路的負載連接或斷開。負載開關廣泛應用于電子設備、工業自動化、汽車電子、通信設備、物聯網等領域。接下來，我們將介紹負載開關的原理以及如何判斷好壞。
2023-07-14 14:13:221258 
Littelfuse 最新發布保護集成電路產品系列中的五款多功能負載開關器件，是額定電流為2和4A的超高效負載開關，集成了真正反向電流阻斷(TRCB)和壓擺率控制功能。其一流的效率使其成為移動和可穿
2023-12-28 12:24:10431
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