2 控制器的選擇

　　過去，大多數SMPS系統采用分立控制器IC和用場效應晶體管（FET）作為開關，現在可以采用集成控制器，這些集成器件針對各種功率級別和應用進行了優化，通常可分為雙芯片式和單芯片式兩類。雙芯片式包括控制器芯片和MOSFET芯片，而單芯片式僅有一個芯片，一般采用BCDMOS工藝制造。采用 BCDMOS工藝制造高壓功率MOSFET器件，它的局限性多于采用優化MOSFET工藝制造的器件。通常，采用BCDMOS工藝制造的芯片的單位面積 RDS（on）值會高出許多。

　　然而，單芯片解決方案的成本較低，在低功率應用領域具有優勢。因此，一般是為高功率應用選擇雙芯片方案，而為低功率應用選擇單芯片方案，高低功率的分界點在15至20W左右，飛兆半導體有提供兩種類型的功率開關。

　　3 應用實例

　　圖4所示為采用KA5M0365R的通用開關模式電源的電路圖，KA5M0365R是雙芯片器件。電源的輸入電壓為85~265VAC，開關頻率為66kHz，輸出為3.3V、1.2A，5V、1.5A，9V、0.5A和33V、0.1A.

　　圖4 采用KA5M0365R的通用開關模式電源的電路

　　內部MOSFET的額定值為3A和650V，但不是簡單的MOSFET，而是SenseFET，其源極面積約有1%被隔離出來，形成次感應源極。漏極電流的1%來自感應源極，它流經集成電阻器，便于準確地測量電流值，不存在與外部電流采樣電阻器相關的損耗。

　　自線路輸入端開始，首先是一個用于抑制EMI的濾波器，接下來是橋型整流器、NTC電阻器和濾波電容器。NTC電阻器用于避免開關閉合時的電流浪涌。在第一次接通電源時，FPS以旁路模式工作，吸收極少的電流，Vcc電容器被充電，一旦達到電壓鎖定閾值15V范圍的上限，該器件就開始開關，它的電流需求增加，Vcc電壓開始下降。然而，假定Vcc電容器足夠大，Vcc電壓仍保持在電壓鎖定閾值范圍的較低水平，在正常運作期間，第三線圈開始供電。

　　緩沖網絡（Snubber Network）連接在變壓器初級的兩端，以確保變壓器泄漏電感引起的尖峰信號，不會造成開關漏極電壓超過其擊穿電壓。如果超過擊穿電壓，器件會發生雪崩，由于它具有一定的雪崩額定值，這樣僅僅多消耗一點功率，不需配置昂貴的齊納緩沖器。

　　有四個次級線圈提供四路電壓輸出，通過一個光耦，由431型電壓參考器提供反饋信號。 所有的離線式電源必須達到一定的安全標準，圖4所示的設計具有良好的保護功能，得益于控制器具有的過載保護、過壓保護、過流保護、欠壓保護和過熱保護特性。

　　4 針對特定應用的改進

　　低功率電源常常是備用、輔助電源，或用于內務處理，FSDH0165或FSDH565等單芯片器件適用于此類電源，芯片集成了控制器和SenseFET.

　　由于器件采用BCDMOS技術制造，不存在起動電阻器。有可能將高壓整流電源直接連接到器件上，其起動與雙芯片器件相似，然而，區別是該器件用內部電流源為Vcc電容器充電，一旦Vcc引腳電壓達到閾值電壓，器件起動，電流源從內部斷開，因此在正常運作期間，不從電路中直接吸取能量，因而效率提高。對于較高功率電源，可采用圖5所示的系統，它與先前的系統很相似，但它以準諧振模式工作，Lm不是一個單獨的元件，而是變壓器的一部分。

　　圖5 離線式開關電源電路

　　在這種模式下，開關頻率與輸入電壓和負載水平無關，在低輸入電壓和大負載的情況下，頻率降低，而在高輸入電壓和小負載的情況下，開關頻率升高。在最大輸入電壓下，所需頻率不應超過最高開關頻率150kHz，因此施加的負載應有所限制。準諧振模式的優點是EMI較低和效率較高。

　　這里未出現先前所用的傳統RCD（電阻器電容器二極管）緩沖器，作為替代，采用一個與開關并聯的小型電容器，電源開關配有一個額外的同步引腳，用于開通SenseFET.在次級二極管截止之前，其工作與非連續電流反激方式基本相同。在初級二極管截止后，開關管漏極開始振鈴動作，頻率由串聯的電容器和初級電感量所決定。同步引腳電壓開始下降，當電壓超過閾值時，開關再次閉合。選擇合適的同步引腳元件，使得漏極電壓達到最小值時，同步電壓達到閾值。該系統為軟開關型，具有很小的EMI，因為漏極電壓很小，開關損耗也降至最低。

　　6 結語

　　總之，有幾種方法可實現功率因數校正，從簡單的無源解決方案到較復雜和性能較好的有源解決方案。飛兆半導體的ML4803采用小型8引腳封裝，集成了PFC和PWM SMPS控制器，在技術和成本具有相當的優勢。現在已經有多種適合不同應用和功率范圍的器件，使離線式開關電源的設計變得更為簡單。