在 APEC 上，安森美半導體推出了臨界傳導模式 （CrM） 下的圖騰柱功率因數校正 （PFC） 控制器和用于工業電機驅動器、伺服驅動器和 HVAC 的新型轉換器-逆變器-PFC 模塊。在接受《電力電子新聞》采訪時，安森美半導體企業營銷和戰略經理 Ali Husain 強調需要減少 BOM 的圖騰柱 PFC。此外，電機控制的一個關鍵考慮因素是減少熱量積聚并提高整個系統的可靠性。Husain 指出，安森美半導體的新解決方案旨在降低成本和寄生元件，提供現成的解決方案來優化電機控制設計。

圖騰柱PFC控制器

在傳統的 PFC 電路中，整流橋二極管約占 240W 電源損耗的 20%。相比之下，PFC 級的效率通常為 97%，并且 LLC 電路提供類似的性能。用包含 PFC 升壓功能的“圖騰柱”配置中的開關替換二極管可以降低橋損耗并顯著提高整體效率。NCP1680 是一個控制器，可以適應任何類型的開關，無論是超級結硅 MOSFET 還是寬帶開關，例如碳化硅或氮化鎵器件，并帶有適當的柵極驅動器選擇。

“我們希望消除前端的二極管損耗，”Husain 說。“圖騰柱是一種通過寬帶隙半導體變得更加可行和更具吸引力的拓撲結構。因此，如果我們能夠消除電橋，那么我們就可以使升壓 PFC 更有效率。”

安森美半導體推出全新 NCP1680 CrM 圖騰柱 PFC 控制器，該控制器采用全新架構進行線路相位檢測，采用內部補償環路數字電路控制算法。NCP1680 采用具有下游開關的恒定導通時間 CrM 架構，這與其他標準解決方案不同，其他標準解決方案在頻率折疊操作期間采用具有下游同步開關的內置不連續導通模式。用于高達 350 W 的模塊，基于 NCP1680 的 PFC 電路能夠在 300 W 時實現近 99% 的效率。 NCP1680 可與 NCP51820 半橋 GaN HEMT 柵極驅動器或 NCP51561 隔離式 SiC MOSFET 柵極驅動器一起使用。

電機控制

新型 NXH50M65L4C2SG 和 NXH50M65L4C2ESG 分別是基于標準氧化鋁 （AI 2 O 3 ） 基板和增強型低熱阻基板的傳遞模塑功率集成模塊 （TMPIM） 。TMPIMs 采用傳遞模塑工藝，用環氧樹脂模塑料封裝功率器件和外圍組件。結構結構如圖 1 和圖 2 所示。功率器件和類似無源元件的熱敏電阻焊接到直接鍵合的銅基板上，并通過厚鋁鍵合線和引線框架連接。

圖1： 。TMPIM 內部結構（來源：ON Semi）

圖 2：TMPIM 結構：標準和增強（來源：ON Semi）

新型電機控制模塊采用 DIP-26 封裝，尺寸為 73 × 47 × 8 毫米，并通過具有高耐腐蝕性的集成散熱器提供高效的熱管理。如果您需要增加開關頻率，ON Semi 還提供 SiC 版本。DIP-26系列提供變頻-變頻-制動、變頻-變頻、六組等多電平轉換器等不同拓撲結構的模塊產品。

新設備可用于各種堅固耐用的應用。它們包含一個轉換器-逆變器-PFC 電路，該電路由一個單相轉換器和四個 75-A、1，600-V 整流器組成。三相逆變器使用六個帶反向二極管的 50-A、600-V IGBT，雙通道交錯 PFC 包括兩個帶反向二極管的 75-A、650-V IGBT 和兩個 50-A、650-V PFC 二極管。 可忽略的寄生元件提供了 18 kHz 和 65 kHz 之間的寬 PFC 開關頻率范圍。